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    SiC de type N sur plaquette composée de Si 6 pouces 150 mm SiC de type 4H-N Si de type N ou P

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  • La Chine Wafer de silicium N type P Dopant 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Résistivité 0-100 Ohm-cm Single-side poli

    Wafer de silicium N type P Dopant 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Résistivité 0-100 Ohm-cm Single-side poli

    meilleur prix
  • La Chine Métode de croissance de 2 pouces de plaquettes de silicium de type P-type N-type CZ BOW ≤30 Pour l'éclairage LED

    Métode de croissance de 2 pouces de plaquettes de silicium de type P-type N-type CZ BOW ≤30 Pour l'éclairage LED

    meilleur prix
  • La Chine SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111

    SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111

    meilleur prix
  • La Chine SOI Wafer Silicium sur isolant 100 mm 150 mm P type Dopant B Appareil 220 Résistance: 8,5-11,5 ohm-cm

    SOI Wafer Silicium sur isolant 100 mm 150 mm P type Dopant B Appareil 220 Résistance: 8,5-11,5 ohm-cm

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  • La Chine Silicium sur une plaque SOI isolante 6", 2,5 "m (dopé au P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (type P /dopé au bore)

    Silicium sur une plaque SOI isolante 6", 2,5 "m (dopé au P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (type P /dopé au bore)

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  • La Chine L'orientation de la gaine de silicium CZ111 Résistivité: 1-10 (ohm.cm) polissage à une ou deux faces

    L'orientation de la gaine de silicium CZ111 Résistivité: 1-10 (ohm.cm) polissage à une ou deux faces

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  • La Chine Wafer en silicium d'épaisseur de 4 pouces 500+/-20 Résistivité 1-10 ohm·cm Orientation100 polissage à double face

    Wafer en silicium d'épaisseur de 4 pouces 500+/-20 Résistivité 1-10 ohm·cm Orientation100 polissage à double face

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  • La Chine 3 pouces InP Indium Phosphide Substrate de type N semi-conducteur méthode de croissance VGF 111 100 orientation

    3 pouces InP Indium Phosphide Substrate de type N semi-conducteur méthode de croissance VGF 111 100 orientation

    meilleur prix
  • La Chine Epi Prêt 4 pouces InP Wafers N Type P Type EPF < 1000cm^2 Avec l'épaisseur de 325um±50um

    Epi Prêt 4 pouces InP Wafers N Type P Type EPF < 1000cm^2 Avec l'épaisseur de 325um±50um

    meilleur prix
  • La Chine Dispositif électronique à base de plaquette de Si à cristal unique, sous-strate de photolithographie, couche 2&quot;3&quot;4&quot;6&quot;8&quot;

    Dispositif électronique à base de plaquette de Si à cristal unique, sous-strate de photolithographie, couche 2"3"4"6"8"

    meilleur prix
  • La Chine Conductivité des plaquettes de silicium de haute pureté Cellules solaires

    Conductivité des plaquettes de silicium de haute pureté Cellules solaires

    meilleur prix
  • La Chine 4 pouces 6 pouces 8 pouces Wafers SOI compatibles avec la structure CMOS à trois couches

    4 pouces 6 pouces 8 pouces Wafers SOI compatibles avec la structure CMOS à trois couches

    meilleur prix
  • La Chine Couche d&#039;oxyde thermique SiO2 épaisseur de gaufre 20um Système de communication optique MEMS

    Couche d'oxyde thermique SiO2 épaisseur de gaufre 20um Système de communication optique MEMS

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  • La Chine 6 pouces 8 pouces SIO2 Dioxyde de silicium épaisseur de gaufre 10um-25um Surface micro-usinage

    6 pouces 8 pouces SIO2 Dioxyde de silicium épaisseur de gaufre 10um-25um Surface micro-usinage

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