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SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111
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SOI Wafer Silicium sur isolant 100 mm 150 mm P type Dopant B Appareil 220 Résistance: 8,5-11,5 ohm-cm
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Silicium sur une plaque SOI isolante 6", 2,5 "m (dopé au P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (type P /dopé au bore)
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L'orientation de la gaine de silicium CZ111 Résistivité: 1-10 (ohm.cm) polissage à une ou deux faces
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Wafer en silicium d'épaisseur de 4 pouces 500+/-20 Résistivité 1-10 ohm·cm Orientation100 polissage à double face
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3 pouces InP Indium Phosphide Substrate de type N semi-conducteur méthode de croissance VGF 111 100 orientation
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Epi Prêt 4 pouces InP Wafers N Type P Type EPF < 1000cm^2 Avec l'épaisseur de 325um±50um
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Dispositif électronique à base de plaquette de Si à cristal unique, sous-strate de photolithographie, couche 2"3"4"6"8"
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Conductivité des plaquettes de silicium de haute pureté Cellules solaires
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4 pouces 6 pouces 8 pouces Wafers SOI compatibles avec la structure CMOS à trois couches
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Couche d'oxyde thermique SiO2 épaisseur de gaufre 20um Système de communication optique MEMS
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6 pouces 8 pouces SIO2 Dioxyde de silicium épaisseur de gaufre 10um-25um Surface micro-usinage
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Wafers de silicium de haute pureté haute conductivité thermique 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces
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GaP Wafer Gallium Phosphide orientation à cristal unique (111)A 0°±0,2 Cellules solaires
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Wafer GaP de 2 pouces avec position/longueur EJ 0-1-1 / 16±1 mm LED LD Mobilité Min 100
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