• FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage
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FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage

Détails sur le produit:

Place of Origin: China

Conditions de paiement et expédition:

Delivery Time: 2-4weeks
Payment Terms: T/T
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Détail Infomation

PL Wavelength control: Better than 3nm PL Wavelength uniformity: Std.Dev better than 1nm @inner 42mm
Thickness control: Better than +3% Thickness uniformity: Better than +3% @inner 42mm
Doping control: Better than ±10% P-InP doping (cm-°): Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm 3): Si doped: 5e17 to 3e18 AllnGaAs doping (cmr3): 1e17 to 2e18
Mettre en évidence:

6 pouces d' épaisseur Epiwafer InP Substrate

,

Substrate InP de 350 à 650um

,

Substrate InP de 6 pouces

Description de produit

FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrat dia 2 3 4 6 pouces épaisseur:350-650um InGaAs dopant

 

FP ((Fabry-Perot)) L'abstrait du substrat InP de l'épiwafer

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage 0

 

L'épiwafer Fabry-Perot (FP) sur des substrats à phosphure d'indium (InP) est un composant essentiel dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques de haute performance,en particulier les diodes laser utilisées dans les systèmes de communication optiqueLe substrat InP offre une excellente correspondance de réseau avec des matériaux tels que l'InGaAsP, permettant la croissance de couches épitaxiales de haute qualité.Plage de longueur d'onde de 55 μm, ce qui les rend idéales pour la communication par fibre optique en raison des caractéristiques de faible perte des fibres optiques dans ce spectre.sont largement utilisés dans les interconnexions de centres de données, la détection environnementale et le diagnostic médical, fournissant des solutions rentables avec de bonnes performances.La structure plus simple des lasers FP par rapport à des conceptions plus complexes comme les lasers DFB (Distributed Feedback) en fait un choix populaire pour les applications de communication à moyenne portéeLes épi-plaquettes FP basées sur l'inP sont essentielles dans les industries qui nécessitent des composants optiques fiables et à grande vitesse.

 

 


FP ((Fabry-Perot)) vitrine du substrat InP de l'épiwafer

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage 1

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage 2

 


FP ((Fabry-Perot)) Fiche de données du substrat InP de l'épiwafer

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage 3


FP ((Fabry-Perot)) Structure du substrat InP de l'épiwafer

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage 4

 

  • InP Substrate (Base)
  • Couche tampon (lissage de surface)
  • Région active (puits quantiques)
  • Couches de revêtement (confinement optique)
  • Couches de type P et de type N (injection de support)
  • Couches de contact (contacts électriques)
  • Les facettes réfléchissantes (cavité laser FP)

 
FP ((Fabry-Perot)) Application du substrat InP de l'épiwafer
 

Les épi-wafers Fabry-Perot (FP) sur des substrats à phosphure d'indium (InP) sont largement utilisés dans diverses applications optoélectroniques en raison de leurs propriétés d'émission lumineuse efficaces, en particulier dans le 1.3 μm à 1Les principales applications sont les suivantes:

1.Communication par fibre optique

  • Diodes laser: Les lasers FP sont couramment utilisés comme sources lumineuses dans les systèmes de communication par fibre optique, en particulier pour la transmission de données à courte et moyenne portée.fonctionnant à des longueurs d'onde qui minimisent la perte de signal dans les fibres optiques.
  • Transcepteurs et modules optiques: Les lasers FP intégrés dans des émetteurs-récepteurs optiques permettent la conversion de signaux électriques en signaux optiques pour la transmission de données sur les réseaux à fibre optique.

2.Les interconnexions des centres de données

  • Connectivité à grande vitesse: Les lasers FP dans les centres de données fournissent des interconnexions optiques à haute vitesse et à faible latence entre les serveurs et les équipements réseau.

3.Détection environnementale et détection de gaz

  • Capteurs de gaz: Les lasers FP sont utilisés dans les systèmes de détection des gaz pour détecter des gaz spécifiques, tels que le CO2 et le CH4, en ajustant les longueurs d'onde d'absorption de ces gaz.Ces systèmes sont utilisés pour la surveillance environnementale et les applications de sécurité industrielle.

4.Diagnostique médicale

  • Tomographie de cohérence optique (TOC): Les lasers FP sont utilisés dans les systèmes OCT pour l'imagerie médicale non invasive, en particulier en ophtalmologie, en dermatologie et en diagnostic cardiovasculaire.Ces systèmes tirent parti de la vitesse et de la précision des lasers FP pour une imagerie détaillée des tissus..

5.Systèmes LIDAR

  • Les véhicules autonomes et la cartographie: les lasers FP sont utilisés dans les systèmes LIDAR (Light Detection and Ranging) pour des applications telles que la conduite autonome, la cartographie 3D et la numérisation de l'environnement,lorsque des mesures de distance à haute résolution sont essentielles.

6.Circuits intégrés photoniques (PIC)

  • Photonique intégrée: les épi-wafers sont des matériaux de base pour le développement de circuits intégrés photoniques qui intègrent plusieurs appareils photoniques (p. ex.détecteurs) sur une seule puce pour le traitement et la communication de signaux à grande vitesse.

7.Communication par satellite et aérospatiale

  • Communication à haute fréquence: Les lasers FP basés sur l'inP sont utilisés dans les systèmes de communication par satellite pour la transmission de données à haute fréquence sur de longues distances dans les applications spatiales et aérospatiales.

8.Recherche et développement

  • Prototypage et essais: Les Epiwafers sont utilisés dans la R&D pour développer de nouveaux appareils optoélectroniques, améliorer les performances des diodes laser et explorer de nouvelles longueurs d'onde pour les technologies émergentes.

Ces applications mettent en évidence la polyvalence des Epiwafers FP sur des substrats InP, qui fournissent des solutions efficaces et rentables dans des domaines tels que les télécommunications, le diagnostic médical,détection environnementale, et les systèmes optiques à grande vitesse.

 


 

 

L'avantage du substrat InP de l'épi-wafer
 
  • Émission lumineuse efficace dans les longueurs d'onde clés:

    • Les épi-plaquettes FP sur des substrats InP sont optimisées pour une émission dans la gamme de longueurs d'onde de 1,3 μm à 1,55 μm, ce qui s'aligne sur les fenêtres de transmission à faible perte des fibres optiques,les rendant idéales pour la communication par fibre optique.
  • Performance à grande vitesse:

    • Les substrats InP ont une excellente mobilité électronique, ce qui permet aux lasers FP d'obtenir un fonctionnement à haute vitesse et de prendre en charge la transmission de données à haute fréquence.Cela les rend appropriés pour des applications à large bande passante telles que les centres de données et les télécommunications.
  • Fabrication rentable:

    • Par rapport aux structures laser plus complexes comme les lasers à rétroaction distribuée (DFB), les lasers FP ont une conception plus simple.Cela se traduit par des coûts de production plus faibles tout en offrant de bonnes performances pour les applications de courte à moyenne portée.
  • Applications polyvalentes:

    • Les épi-plaquettes FP sont utilisées dans un large éventail d'applications, de la communication par fibre optique et des interconnexions de centres de données à la détection environnementale, au diagnostic médical (OCT) et aux systèmes LIDAR.Leur polyvalence est un avantage majeur dans tous les secteurs..
  • Processus de fabrication simplifié:

    • Les lasers FP sont plus faciles à fabriquer que d'autres types de lasers, tels que les lasers DFB, en raison de leur dépendance à des facettes fendues naturellement réfléchissantes plutôt qu'à des grilles complexes,réduire la complexité et le coût de fabrication.
  • Une bonne flexibilité de longueur d'onde:

    • Les lasers FP peuvent être réglés sur une gamme de longueurs d'onde en réglant le courant ou la température, ce qui offre une flexibilité pour différentes applications, en particulier dans les systèmes de détection et de communication.
  • Faible consommation électrique:

    • Les lasers FP basés sur des épi-wafers InP ont tendance à avoir une consommation d'énergie plus faible, ce qui les rend efficaces pour des déploiements à grande échelle dans les réseaux de communication de données et de détection où l'efficacité énergétique est essentielle.
 

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 pouces Épaisseur 350-650um InGaAs Dopage pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
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