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InP DFB Epiwafer longueur d'onde 1390nm InP substrat 2 4 6 pouces pour 2,5 ~ 25G DFB diode laser
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
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| Payment Terms: | T/T |
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Détail Infomation |
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| PL Wavelength control: | Better than 3nm | PLWavelength uniformity: | Std, Dev better than inm @inner 42mm |
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| Thickness control: | Better than ±3% | Thickness uniformity: | Better than ±3% @inner 42mm |
| Doping control: | Better than ±10% | P-InP doping (cm-*): | Zn doped: 5e17 to 2e18 |
| N-InP doping (cm 3): | Si doped: 5e17 to 3e18 | Toutes les substances dopantes de l'AlnGaAs (cm3): | 1e17 à 2e18 5e17 à 1e19 |
| Le dopage de l'InGaAs ((cm*): | 5e14 à 4e19 | ||
| Mettre en évidence: | Un épi-wafer DFB de 1390 nm,un substrat de 6 pouces |
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Description de produit
InP DFB Epiwafer longueur d'onde 1390nm InP substrat 2 4 6 pouces pour 2,5 ~ 25G DFB diode laser
InP DFB Epiwafer Le résumé du substrat InP
InP DFB Epiwafers conçus pour les applications de longueur d'onde de 1390 nm sont des composants critiques utilisés dans les systèmes de communication optique à grande vitesse, en particulier pour 2.Diodes laser DFB (Réaction distribuée) de 5 Gbps à 25 GbpsCes plaquettes sont cultivées sur des substrats à base d'indium phosphure (InP) à l'aide de techniques avancées de dépôt de vapeur chimique métal-organique (MOCVD) afin d'obtenir des couches épitaxielles de haute qualité.
La région active du laser DFB est généralement fabriquée à l'aide de puits quantiques multiples quaternaires InGaAlAs ou InGaAsP (MQW), conçus pour être compensés par la contrainte.Cela garantit des performances et une stabilité optimales pour la transmission de données à grande vitesseLes plaquettes sont disponibles dans différentes tailles de substrat, y compris 2 pouces, 4 pouces et 6 pouces, pour répondre aux divers besoins de fabrication.
La longueur d'onde de 1390 nm est idéale pour les systèmes de communication optique nécessitant une sortie en mode unique précise avec une faible dispersion et perte,le rendant particulièrement adapté aux réseaux de communication à moyenne portée et aux applications de détectionLes clients peuvent s'occuper eux-mêmes de la formation de la grille ou demander des services d'épihouse, y compris la re-growth pour une personnalisation ultérieure.
Ces épi-plaquettes sont spécialement conçues pour répondre aux exigences des systèmes modernes de télécommunications et de communication de données, en fournissant dessolutions hautes performances pour émetteurs-récepteurs optiques et modules laser dans les réseaux à grande vitesse.
Structure du substrat de l'épiwafer InP DFB
InP DFB Epiwafer Résultat de l'essai de cartographie PL du substrat InP
Résultat de l'essai XRD et ECV du substrat InP DFB Epiwafer
InP DFB Epiwafer Les vraies photos du substrat InP
Propriétés du substrat InP DFB Epiwafer
Propriétés de l'épiwafer DFB InP sur le substrat InP
Matériau de substrat: phosphure d'indium (InP)
- Matching de la grille: InP assure une excellente correspondance entre le réseau et les couches épitaxielles telles que InGaAsP ou InGaAlAs, assurant une croissance épitaxielle de haute qualité avec un stress et des défauts minimaux,qui est crucial pour les performances des lasers DFB.
- Écart de bande direct: l'inP a une bande passante directe de 1,344 eV, ce qui le rend idéal pour émettre de la lumière dans le spectre infrarouge, en particulier à des longueurs d'onde telles que 1,3 μm et 1,55 μm, couramment utilisées dans la communication optique.
Les couches épitaxiennes
- Région active: La région active est généralement constituée de puits quantiques multiples quaternaires InGaAsP ou InGaAlAs (MQW). Ces MQW sont compensés par contrainte pour améliorer les performances,assurant une recombinaison efficace d'électrons-trous et un gain optique élevé.
- Couches de revêtement: Ces couches fournissent un confinement optique, assurant que la lumière reste dans la région active, ce qui améliore l'efficacité du laser.
- Couche de grille: La structure de grille intégrée fournit une rétroaction pour un fonctionnement en mode unique, assurant une émission stable et à largeur de ligne étroite.La grille peut être fabriquée par le client ou offerte par le fournisseur d'épi-wafer.
Longueur d'onde de fonctionnement:
- 1390 nm: Le laser DFB est optimisé pour fonctionner à 1390 nm, ce qui convient aux applications de communication optique, y compris les réseaux de métro et de longue distance.
Capacité de modulation à haute vitesse:
- L'épi-wafer est conçu pour être utilisé dans les lasers DFB qui prennent en charge des vitesses de transmission de données de 2,5 Gbps à 25 Gbps, ce qui le rend idéal pour les systèmes de communication optique à grande vitesse.
Stabilité à la température:
- Les épi-plaquettes DFB basées sur l'inP offrent une excellente stabilité à température, assurant une émission constante de longueur d'onde et des performances fiables dans différents environnements opérationnels.
Mode unique et largeur de ligne étroite:
- Les lasers DFB offrent un fonctionnement en mode unique avec une largeur de ligne spectrale étroite, réduisant les interférences du signal et améliorant l'intégrité de la transmission de données, ce qui est essentiel pour les réseaux de communication à grande vitesse.
L'épiwafer DFB InP sur un substrat InP offre une excellente correspondance de réseau, une capacité de modulation à grande vitesse, une stabilité thermique et un fonctionnement en mode unique précis,Il s'agit d'un composant clé dans les systèmes de communication optique fonctionnant à 1390 nm pour des débits de données de 2.5 à 25 Gbps.
Fiche de données
Plus de données sont dans notre document PDF, veuillez cliquer dessusLes résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel annuel de l'équipe de recherche.