• SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111
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SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111

SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: Pâte de soja

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Délai de livraison: 2 à 4 semaines
Conditions de paiement: T/T, T/T
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Diamètre: 4 pouces 6 pouces 8 pouces Dopant: 100 111
Le type: SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-Cut, qui est une marque américaine. Épaisseur (um): 02 à 150
L'uniformité: <5> Couche BOX: Épaisseur (mm) 0,4-3
L'uniformité: <2> Résistance: 0.001-20000 Ohm-cm
Mettre en évidence:

100 111 Waffle à base de SOI

,

P BOX couche Wafer SOI

,

0.4-3 Wafer SOI

Description de produit

SOI Wafer Silicium sur Wafer isolant Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111

Résumé des plaquettes SOI

SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111 0

Les plaquettes SOI (Silicon-On-Insulator) sont un type de technologie de matériaux semi-conducteurs utilisée principalement dans l'industrie de la microélectronique.Ces plaquettes sont fabriquées en insérant une fine couche de matériau isolantCette configuration offre plusieurs avantages par rapport aux plaquettes de silicium en vrac conventionnelles.

 

Photo de la galette du SOI

SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111 1SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111 2

SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111 3SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111 4

Propriétés des plaquettes SOI

Les plaquettes SOI (Silicon-On-Insulator) présentent un ensemble de propriétés distinctes qui les rendent particulièrement précieuses dans diverses applications microélectroniques de haute performance et spécialisées.Voici quelques-unes des principales propriétés des plaquettes SOI:

  1. Isolement électrique: La couche d'oxyde (BOX) enterrée dans les plaquettes SOI fournit une excellente isolation électrique entre la couche supérieure de silicium où les dispositifs sont construits et le substrat sous-jacent.Cet isolement aide à réduire la capacité parasitaire, améliorant ainsi les performances des circuits à grande vitesse.

  2. Réduction de la consommation électrique: En raison de la capacité parasitaire réduite et des courants de fuite, les appareils construits sur des plaquettes SOI consomment moins d'énergie que ceux construits sur du silicium en vrac.Cette propriété est particulièrement bénéfique pour les appareils portables et à batterie.

  3. Des performances élevées: La fine couche supérieure de silicium peut être complètement épuisée, ce qui conduit à un meilleur contrôle du canal et réduit les effets de canal court dans les transistors.Il en résulte des transistors qui peuvent fonctionner à des tensions de seuil inférieures avec des courants d'entraînement plus élevés, permettant des vitesses de commutation plus rapides et des performances plus élevées.

  4. Isolement thermique: La couche isolante assure également une certaine isolation thermique entre la couche active et le substrat.Cela peut être avantageux dans les applications où la chaleur générée par le dispositif doit être confinée à la couche supérieure, contribuant à gérer plus efficacement les effets thermiques.

  5. Immunité par verrouillage: La technologie SOI offre une immunité inhérente au verrouillage, qui est un type de court-circuit pouvant survenir dans les appareils en silicium en vrac.Ceci est dû à l'absence d'une jonction p-n entre les régions de type n et de type p s'étendant dans le substrat., qui est une cause typique de verrouillage dans les appareils en vrac.

  6. Dureté au rayonnement: La configuration structurelle des plaquettes SOI rend les dispositifs construits sur elles plus résistants aux effets des rayonnements tels que la dose ionisante totale (TID) et les perturbations d'événement unique (SEU).Cette propriété est essentielle pour les applications spatiales et autres environnements exposés à des niveaux élevés de rayonnement..

  7. Évolutivité: La technologie SOI est hautement évolutive, ce qui permet la fabrication de dispositifs avec de très petites tailles de caractéristiques.

  8. Compatibilité avec les procédés de fabrication courants: Bien qu'offrant des avantages uniques, les plaquettes SOI peuvent encore être traitées en utilisant bon nombre des mêmes techniques de fabrication que le silicium traditionnel en vrac,qui facilite l'intégration dans les lignes de production existantes.

Je suis désolée.

Diamètre 4 ¢ 5 ¢ 6 ¢ 8 ¢

 

 

 

Couche d'appareil

Dépendant Boron, phos, arsenic, antimone, non dopé
Les orientations Le nombre total d'exemplaires
Le type SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-Cut, qui est une marque américaine.
Résistance 0.001 à 2000 Ohm-cm
Épaisseur (mm) 02 à 150
L'uniformité < 5%

 

Couche BOX

Épaisseur (mm) 0.4 à 3
L'uniformité < 2,5%

 

 

Substrate

Les orientations Le nombre total d'exemplaires
Type/Dopant Le type P/Boron, le type N/Phos, le type N/As, le type N/Sb
Épaisseur (mm) 300 à 725
Résistance 0.001 à 2000 Ohm-cm
Surface finie P/P, P/E
Particule Les résultats sont publiés dans le Bulletin.0.3 millions

Les plaquettes SOI (Silicon-On-Insulator) sont un type de technologie de matériaux semi-conducteurs utilisée principalement dans l'industrie de la microélectronique.Ces plaquettes sont fabriquées en insérant une fine couche de matériau isolantCette configuration offre plusieurs avantages par rapport aux plaquettes de silicium en vrac conventionnelles.

Applications des plaquettes SOI

Les plaquettes SOI (Silicon-On-Insulator) sont utilisées dans diverses applications de haute technologie en raison de leurs propriétés uniques telles qu'une capacité parasitaire réduite, des performances améliorées à haute fréquence,consommation d'énergie réduiteVoici quelques-unes des principales applications des plaquettes SOI:

  1. Microprocesseurs à haute performance: la technologie SOI est largement utilisée dans la production de microprocesseurs pour ordinateurs et serveurs.qui est essentiel pour les applications informatiques haute performance.

  2. Circuits à radiofréquence (RF): Les plaquettes SOI sont particulièrement avantageuses pour les applications RF en raison de leurs excellentes propriétés d'isolation, qui réduisent les conversations croisées et améliorent les performances de commutation RF et de traitement du signal.Cela les rend idéales pour une utilisation dans les téléphones portables, réseaux sans fil et autres dispositifs de communication.

  3. Électronique automobile: La durabilité et la stabilité opérationnelles accrues des dispositifs à base d'IOS dans des conditions de température et de rayonnement élevés les rendent adaptés aux applications automobiles,y compris les unités de commande du moteur, les capteurs automobiles et les systèmes de gestion de l'énergie.

  4. Appareils électriques: La technologie SOI est bénéfique dans les dispositifs d'alimentation utilisés pour la conversion de tension et la gestion de l'alimentation dans divers produits électroniques.Ces appareils bénéficient de la capacité de SOI à gérer des tensions et des densités de puissance élevées avec une meilleure efficacité et une production de chaleur réduite.

  5. Systèmes MEMS (systèmes microélectro-mécaniques): Les plaquettes SOI fournissent une plate-forme solide pour le développement de dispositifs MEMS, tels que des accéléromètres et des gyroscopes, qui sont utilisés dans les airbags automobiles, les smartphones et autres appareils électroniques grand public.La couche d'oxyde enfouie dans les plaquettes SOI offre une excellente isolation mécanique et électrique, ce qui est crucial pour les appareils MEMS.

  6. Photonics et optoélectronique: Les propriétés des plaquettes SOI facilitent l'intégration de composants optiques tels que des guides d'ondes, des modulateurs et des détecteurs avec des circuits électroniques.Cette intégration est vitale pour développer des systèmes optoélectroniques avancés utilisés dans la transmission de données, télécommunications et applications de détection.

  7. L'informatique quantique: les plaquettes SOI sont également à l'étude comme substrat pour le développement de bits quantiques (cubits) pour l'informatique quantique,grâce à leur capacité à fonctionner à des températures cryogéniques et à leur compatibilité avec les procédés de semi-conducteurs existants.

  8. Applications spatiales et militaires: Les dispositifs construits sur des plaquettes SOI sont plus résistants aux effets des radiations, ce qui les rend adaptés aux applications spatiales et aux équipements militaires où l'exposition aux radiations est préoccupante.

La technologie SOI continue d'évoluer, répondant à des défis de plus en plus complexes dans ces applications, stimulant les progrès de l'électronique et facilitant de nouvelles innovations dans de nombreux domaines.

Questions et réponses

Qu'est-ce qu'une plaque de silicium SOI?

 

Une plaque de silicium SOI (Silicon-On-Insulator) est un type de matériau semi-conducteur utilisé principalement dans l'industrie de la microélectronique.Il est constitué d'une fine couche de silicium séparée d'un substrat de silicium plus épais par une couche de matériau isolantCette structure est obtenue grâce à des procédés de fabrication spécialisés tels que la séparation par implantation d'oxygène (SIMOX) ou la technique Smart Cut.

Le principal avantage des plaquettes en silicium SOI par rapport aux plaquettes en silicium en vrac traditionnelles est la présence de la couche isolante, qui réduit considérablement la capacité parasitaire,améliore les performances en minimisant les fuites électriquesCela conduit à des améliorations de la vitesse, de l'efficacité énergétique et des performances globales des appareils électroniques.Les plaquettes SOI sont largement utilisées dans diverses applications, y compris les microprocesseurs hautes performances, les circuits à radiofréquence (RF), l'électronique de puissance et les MEMS (systèmes micro-électro-mécaniques), entre autres.Leurs caractéristiques les rendent particulièrement adaptés aux environnements où les hautes vitesses, une faible consommation d'énergie et une résistance aux conditions difficiles sont essentielles.

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Je suis intéressé à SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111 pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
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