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SiC de type N sur plaquette composée de Si 6 pouces 150 mm SiC de type 4H-N Si de type N ou P
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | SiC de type N sur une plaquette composée de Si |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Délai de livraison: | 4 à 6 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Diamètre: | 150 ± 0,2 mm | Polytype: | 4 heures |
|---|---|---|---|
| Résistance: | 0.015-0.025 ohm · cm | Épaisseur de la couche SiC de transfert: | ≥0.1μm |
| VIDE: | ≤5ea/plaque (2 mm>D>0,5 mm) | Roughness avant: | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
| Orientation SI: | Le nombre total d'exemplaires est le suivant: | Type Si: | R/N |
| Longueur plate: | 47.5 ± 1,5 mm | Les éclaboussures, les rayures, les fissures (inspection visuelle): | Aucune |
| Mettre en évidence: | 6 pouces de SiC sur une gaufre composée de Si,150 mm de SiC sur une gaufre composée de Si |
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Description de produit
SiC de type N sur plaquette composée de Si 6 pouces 150 mm SiC de type 4H-N Si de type N ou P
SiC de type N sur Wafer composé de Si
Le carbure de silicium (SiC) de type N sur des plaquettes composées de silicium (Si) a attiré une attention significative en raison de ses applications prometteuses dans les appareils électroniques à haute puissance et à haute fréquence.Cette étude présente la fabrication et la caractérisation du SiC de type N sur des plaquettes composées de SiEn utilisant le dépôt chimique de vapeur (CVD), nous avons réussi à faire pousser une couche de SiC de haute qualité sur un substrat de Si,assurer une incompatibilité et des défauts de treillis minimauxL'intégrité structurelle de la plaque composite a été confirmée par diffraction par rayons X (XRD) et par microscopie électronique de transmission (TEM).présentant une couche de SiC uniforme avec une excellente cristallinitéLes mesures électriques ont démontré une mobilité supérieure du support et une résistance réduite, ce qui rend ces plaquettes idéales pour l'électronique de puissance de nouvelle génération.la conductivité thermique a été améliorée par rapport aux plaquettes Si traditionnelles, contribuant à une meilleure dissipation de chaleur dans les applications à haute puissance.Les résultats suggèrent que le SiC de type N sur des plaquettes composées de Si détient un grand potentiel pour l'intégration de dispositifs à base de SiC de haute performance avec la plate-forme de technologie du silicium bien établie.
Spécifications et schéma schématique pourSiC de type N sur une plaquette composée de Si
| Nom de l'article | Spécification | Nom de l'article | Spécification |
|---|---|---|---|
| Diamètre | 150 ± 0,2 mm | Si L'orientation | Le nombre total d'exemplaires est le suivant: |
| Type SiC | 4 heures | Type Si | R/N |
| Résistance au SiC | 0.015 0.025 Ω·cm | Longueur plate | 47.5 ± 1,5 mm |
| Épaisseur de la couche SiC de transfert | ≥ 0,1 μm | Écrou, rayure, fissure (inspection visuelle) | Aucune |
| Ne fonctionne pas | ≤ 5 ea/plaque (2 mm < D < 0,5 mm) | TTV | ≤ 5 μm |
| Roughness avant | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm) | Épaisseur | Pour les appareils de traitement de l'air |
SiC de type N sur des photos de plaquettes composées de Si
SiC de type N sur les applications de plaquettes composées de Si
Le SiC de type N sur les plaquettes composées de Si a une variété d'applications en raison de leur combinaison unique de propriétés à la fois du carbure de silicium (SiC) et du silicium (Si).Ces applications se concentrent principalement sur lesCertains des principaux domaines d'application sont les suivants:
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Électronique de puissance:
- Appareils électriques: Les plaquettes SiC sur Si de type N sont utilisées dans la fabrication de dispositifs de puissance tels que des diodes, des transistors (par exemple, des MOSFET, des IGBT) et des redresseurs.Ces appareils bénéficient de la haute tension de rupture et de la faible résistance au SiC, tandis que le substrat Si permet une intégration plus facile avec les technologies existantes à base de silicium.
- Convertisseurs et inverseurs: Ces plaquettes sont utilisées dans les convertisseurs et les onduleurs pour les systèmes d'énergie renouvelable (par exemple, onduleurs solaires, éoliennes), où une conversion efficace de l'énergie et une gestion de la chaleur sont essentielles.
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Électronique automobile:
- Véhicules électriques (VE): Dans les véhicules électriques et hybrides, les plaquettes de SiC sur Si de type N sont utilisées dans les composants du groupe motopropulseur, y compris les onduleurs, les convertisseurs et les chargeurs embarqués.L'efficacité élevée et la stabilité thermique du SiC permettent une électronique de puissance plus compacte et efficace, ce qui améliore les performances et la durée de vie de la batterie.
- Systèmes de gestion des batteries (BMS): Ces plaquettes sont également utilisées dans le BMS pour gérer les niveaux de puissance élevés et les contraintes thermiques associés à la charge et à la décharge des batteries des véhicules électriques.
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Appareils à RF et à micro-ondes:
- Applications à haute fréquence: Les plaquettes SiC sur Si de type N conviennent aux appareils à radiofréquence (RF) et aux appareils à micro-ondes, y compris les amplificateurs et les oscillateurs, utilisés dans les systèmes de télécommunications et de radar.La haute mobilité électronique du SiC permet un traitement plus rapide du signal à haute fréquence.
- Technologie 5G: Ces plaquettes peuvent être utilisées dans les stations de base 5G et autres composants de l'infrastructure de communication, où une manipulation à haute puissance et un fonctionnement à fréquence élevée sont nécessaires.
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Aérospatiale et défense:
- Environnement hostile électronique: Les plaquettes sont utilisées dans les applications aérospatiales et de défense où l'électronique doit fonctionner de manière fiable sous des températures extrêmes, des radiations et des contraintes mécaniques.La tolérance et la durabilité du SiC à haute température le rendent idéal pour de tels environnements.
- Modules d'alimentation pour satellites: Dans les modules d'alimentation par satellite, ces plaquettes contribuent à une gestion efficace de l'énergie et à une fiabilité à long terme dans les conditions spatiales.
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Électronique industrielle:
- Les moteurs: les plaquettes SiC sur Si de type N sont utilisées dans les moteurs industriels, où elles améliorent l'efficacité et réduisent la taille des modules de puissance,conduisant à une consommation d'énergie plus faible et à de meilleures performances dans les applications industrielles à haute puissance.
- Réseaux intelligents: Ces plaquettes font partie intégrante du développement de réseaux intelligents, où la conversion et la distribution d'énergie à haut rendement sont essentielles pour la gestion des charges électriques et l'intégration des énergies renouvelables.
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Dispositifs médicaux:
- Électronique implantable: La biocompatibilité et la robustesse du SiC, combinées aux avantages de traitement du Si,rendre ces plaquettes adaptées aux dispositifs médicaux implantables nécessitant une fiabilité élevée et une faible consommation d'énergie.
En résumé, le SiC de type N sur les plaquettes composées de Si est polyvalent et essentiel dans les applications qui exigent une efficacité, une fiabilité et des performances élevées dans des environnements difficiles.en les rendant un matériau clé dans l'avancement des technologies électroniques modernes.