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SrLaAlO4 / LaSrAlO4 LSAO 10x10x0.5mmt5x5x1mmt Substrate pour l'épitaxie personnalisé
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Tantalate de lithium LiTaO3 Wafer cristallin Filtres SAW à haute fréquence Coefficient piézoélectrique élevé
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Lithium niobate LiNbO3 Cristal ingot à haute fréquence SAW
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LiTaO3 Wafer Tantalate de lithium électro-optique personnalisation optique non linéaire piézoélectrique
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En tant que substrat 2 pouces 3 pouces 4 pouces 5 pouces 6 pouces Un/S/Zn Type N/P DSP/SSP poli
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ZnTe Wafer ZnTe Crystal Type N Type P Tailles et spécifications personnalisées disponibles
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Wafer de silicium 4 pouces 8 pouces Single Side Double Side Polish 350um Épaisseur P Dopé B Dopé
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Wafer SOI P Type N Type 6 pouces 8 pouces 12 pouces Polissage de surface SSP/DSP
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ITO Substrate de verre revêtu d'oxyde d'indium et d'étain verre revêtu d'In2O3/SnO2 10 X 10 50×50 épaisseur 1,1 mm
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Fluor d'oxyde d'étain de verre FTO enduit de verre Substrate de verre FTO verre 1'' x 1' x 3'
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Orientation du substrat cristallin ZnTe 110 10x10x0.5 mm 10x10x1 mm Pour la génération de détection THz
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SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche
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8 pouces Si Wafer CZ 200 mm Wafer au silicium de qualité supérieure < 111>, SSP, DSP P type, B Dopant pour matériau semi-conducteur
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Wafer de silicium Wafer de silicium de 8 pouces N type P type < 111> < 100> < 110> SSP DSP de qualité Prime de qualité Dummy
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Si Wafer / Substrate épaisseur de 8 pouces 675-775 μm, type P/N, orientation 111, double / côté unique poli
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