SOI Wafer Silicium sur isolant 100 mm 150 mm P type Dopant B Appareil 220 Résistance: 8,5-11,5 ohm-cm

SOI Wafer Silicium sur isolant 100 mm 150 mm P type Dopant B Appareil: 220 Résistivité: 8,5-11,5 ohm-cm

Page de détail du produit pour la plaque SOI (Silicon-on-Isolator)

Vue d'ensemble du produit

Nous présentons nos plaquettes en silicium sur isolant (SOI) de haute performance, disponibles en diamètre de 100 mm et 150 mm.offrant une isolation électrique supérieure, une capacité parasitaire réduite et une gestion thermique améliorée. Idéal pour l'informatique haute performance, la communication RF, les appareils MEMS et l'électronique de puissance,nos plaquettes SOI assurent des performances et une fiabilité de premier ordre.

Les spécifications

Dimensions de la plaque:

• Options de diamètre: 100 mm (4 pouces) et 150 mm (6 pouces)

Couche d'appareil:

• MatérielLe silicium
• Épaisseur: 220 nanomètres
• Type de dopant: type P
• Élément dopant: Bore (B)
• Résistance: 8,5 à 11,5 ohm-cm

Couche d'oxyde enfoui (BOX):

• Matériel: Dioxyde de silicium (SiO2)
• Épaisseur: personnalisable en fonction des besoins de l'application (généralement entre 200 nm et 2 μm)

Griffe de la galette:

• MatérielLe silicium
• Le type: de type P (dopé au bore)
• Épaisseur: épaisseur standard de 500 à 700 μm, fournissant un support mécanique robuste

Principales caractéristiques

1. Isolement électrique supérieur:

   • La couche BOX assure une excellente isolation électrique entre la couche de l'appareil et la plaque de poignée, réduisant considérablement la capacité parasitaire et le bruit croisé.

2. Couche de dispositif de haute qualité:

   • La couche de dispositif en silicium de type P de 220 nm d'épaisseur, dopée de bore, fournit des propriétés électriques optimales pour une variété d'applications de semi-conducteurs, garantissant des performances et une fiabilité élevées.

3. Résistance optimale:

   • La résistivité de la couche de l'appareil de 8,5-11,5 ohm-cm est idéale pour les applications à haute vitesse et à faible puissance, équilibrant la conductivité et les caractéristiques de fuite.

4. Gestion thermique améliorée:

   • La structure SOI permet une meilleure dissipation de chaleur, ce qui est essentiel pour maintenir les performances et la longévité de l'appareil dans des conditions de haute puissance ou de haute fréquence.

5. Stabilité mécanique:

   • L'épaisse poignée de la gaufre fournit un support mécanique robuste, assurant la stabilité de la gaufre pendant le processus de fabrication et dans les environnements opérationnels.

6. Options de personnalisation:

   • Nous offrons la personnalisation de l'épaisseur de la couche BOX et d'autres paramètres pour répondre aux exigences spécifiques de l'application, offrant une flexibilité pour les divers besoins des semi-conducteurs.

Applications

1. L'informatique à haute performance:

   • Idéal pour les processeurs, GPU et autres circuits logiques numériques à grande vitesse, offrant une vitesse améliorée et une consommation d'énergie réduite.

2. 5G et communication RF:

   • Parfait pour les composants RF et le traitement du signal haute fréquence, bénéficiant de l'excellent isolement et des propriétés thermiques.

3. Dispositifs MEMS:

   • Convient pour la fabrication de dispositifs MEMS tels que des accéléromètres, des gyroscopes et d'autres capteurs, fournissant la stabilité mécanique et la précision requises.

4. électronique de puissance:

   • Utilisé dans les applications de gestion de l'énergie, y compris les interrupteurs et les convertisseurs de puissance, où la gestion thermique et l'efficacité sont cruciales.

5. Circuits analogiques et à signal mixte:

   • Améliore les performances des circuits analogiques en réduisant le bruit et le bruit croisé, ce qui le rend adapté au traitement audio et au conditionnement du signal.

Qualité et fiabilité

• Normes de fabrication:

  • Nos plaquettes SOI sont fabriquées selon les normes les plus élevées de l'industrie, assurant une qualité et des performances constantes.

• Contrôle de la qualité:

  • Des processus rigoureux de contrôle de la qualité sont en place pour s'assurer que chaque plaquette répond aux propriétés électriques, mécaniques et thermiques spécifiées.

• Certificats:

  • Conforme aux normes internationales de fabrication de semi-conducteurs, assurant la compatibilité avec les processus de fabrication mondiaux.

Informations relatives à la commande

• Disponibilité:

  • Les plaquettes SOI de 100 mm et 150 mm sont disponibles pour expédition immédiate.

• Le paquetage:

  • Les gaufres sont emballées en toute sécurité dans des contenants antistatiques, compatibles avec les salles blanches, pour éviter la contamination et les dommages pendant le transport.

Améliorez vos applications de semi-conducteurs avec nos plaquettes SOI avancées, conçues pour l'excellence et la fiabilité.