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Si Wafer 8 pouces épaisseur de 675 μm à 775 μmP Type N Type 111 Polissage à double face / polissage à une seule face
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Wafer SOI Wafer au silicium sur isolant Wafer 4 pouces 5 pouces 6 pouces 8 pouces 100 111 P Type N Type
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3 pouces 4 pouces LiTaO3 Wafer Substrate Double ou simple Polie en Z-coupé X-coupé Y-coupé
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Ni Substrate Wafer de nickel 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm avec une orientation < 100> < 110> < 111>
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Ni Substrate structure cubique monocristalline <100> <110><111> a=3,25A pureté 99,99% densité 8.91
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Le magnésium est un composé de magnésium monocristallin hexagonal 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm pureté 99,99%
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L'indicateur d'oxydation de l'huile d'olive doit être supprimé de l'échantillon.
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Substrate de cuivre Wafer Cube de cuivre / Substrate 100 110 111 Orientaiton SSP DSP Pureté 99,99%
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Substrate de cuivre à cristal unique Cu 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A
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L'orientation du substrat en aluminium monocristallin est de 111 100 111 5×5×0,5 mm A=4,040
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Épaisseur personnalisée Al Substrate d'aluminium monocristallin Pureté 99/99% 5×5×1/0.5 mm 10×10×1/0.5 20x20x0.5/1 mm
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Wafer de silice fondu JGS1 JGS2 BF33 8 pouces 12 pouces épaisseur 750um±25um Ra ≤ 0,5 nm TTV ≤ 10um
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largeur de bande du substrat N-InP 02:2Wavelength.5G 1270nm epi wafer pour une diode laser FP
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2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 12 pouces Wafer Si Wafer de silicium Polissage sans tampon type P type N type semi-conducteur
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Substrate N-GaAs épaisseur 6 pouces 350um Pour l'utilisation de VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
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