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GaP Wafer 2 pouces N Type Non dopé S Dopé 100 DSP SSP CZ Haute pureté 5N 99,999%
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
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| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Poids moléculaire (g/mol): | 100.697 | Couleur/aspect: | Solide orange pâle |
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| La pureté: | ≥ 99,999%, 5N | Points de fusion (°C) tertiaires: | 1,457 |
| Échappement de bande (eV): | 2.24 | Mobilité des électrons (cm2/(V·s)): | 300 |
| La résistance à l'écoulement de l'air doit être comprise entre 2 et 5 °C.: | -13,8 × 10 - 6 | Conductivité thermique (W/(cm·K)): | 0.752 |
| Mettre en évidence: | Wafer GaP de type N,2 pouces de gafferie,Wafer GaP de haute pureté |
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Description de produit
GaP Wafer 2 pouces N Type sans dopage S Dopé 100 DSP SSP CZ Haute pureté 5N 99,999%
Description de la plaque GaP:
Dans les semi-conducteurs, le phosphure de gallium est un semi-conducteur composé de type III-V qui a une large bande indirecte de phosphure de gallium (gap) Wafersgap.La structure cristalline de ce composé est la même que celle du siliciumSa constante de réseau est de 0,545 nm et sa mobilité électronique et de trou est d'environ 100 et 75 cm2/V-s, respectivement.Il a été utilisé dans la fabrication de nombreux appareils électroniques, y compris les commutateurs CMOS et RF/V/A.
Le principal matériau de substrat pour les LED est le phosphure de gallium, et il est transparent à la lumière rouge, jaune et orange.Ces diodes sont transparentes à la plupart de la lumièreLeur utilisation dans les composants électroniques dépend de la luminosité de leur émission.il n'émet pas assez de lumière pour être utile comme source d'éclairage.
Les caractéristiques de la gaufre GaP:
1GaP a une bande passante directe d'environ 2,26 eV à température ambiante. Ce niveau d'énergie de bande passante rend GaP adapté aux applications optoélectroniques, y compris les LED et les photodétecteurs.
2Propriétés optiques: Les plaquettes GaP présentent d'excellentes propriétés optiques, telles qu'une transparence élevée dans le spectre visible.Cette transparence est avantageuse pour les appareils optoélectroniques fonctionnant dans la gamme de lumière visible.
3Propriétés électriques: Le GaP possède de bonnes propriétés électriques, notamment une grande mobilité électronique et un faible courant noir.le rendant adapté aux appareils électroniques à grande vitesse et aux appareils optoélectroniques à faible bruit.
4Propriétés thermiques: Les plaquettes GaP ont une conductivité thermique relativement bonne, ce qui contribue à la dissipation de la chaleur des appareils électroniques.Cette propriété est importante pour maintenir les performances et la fiabilité du dispositif.
5Structure cristalline: Le GaP a une structure cristalline de zincblende, ce qui influence ses propriétés électroniques et optiques.La structure cristalline affecte également les processus de croissance et de fabrication des dispositifs à base de GaP.
6. Dopage: Les plaquettes GaP peuvent être dopées avec diverses impuretés pour modifier leur conductivité électrique et leurs propriétés optiques.Ce contrôle du dopant est essentiel pour adapter les dispositifs GaP à des applications spécifiques.
7Compatibilité avec les composés III-V: le GaP est compatible avec d'autres semi-conducteurs composés III-V,permettant la croissance des hétérostructures et l'intégration de différents matériaux pour créer des dispositifs avancés.
La forme de la gaufre GaP:
| Structure cristalline | Le nombre d'hectares est de 5 4505. | |
| Méthode de croissance | CZ (LEC) | |
| Densité | 40,13 g/cm3 | |
| Point de fusion | 1480 oC | |
| Expansion thermique | 5.3 x10-6 / oC | |
| Dépendant | S dopé | non dopé |
| Axe de croissance des cristaux | Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2. | Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la valeur de l'énergie utilisée. |
| Type de conducteur | N | N |
| Concentration du transporteur | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
| Résistance | ~ 0,03 W-cm | ~ 0,3 W-cm |
| DPE | Le montant de la subvention | Le montant de la subvention |
La photo physique de GaP Wafer
Applications de la plaque GaP:
1. Diodes électroluminescentes (LED):
Les plaquettes GaP sont couramment utilisées dans la fabrication de LED pour diverses applications d'éclairage, y compris les feux d'indicateur, les écrans et l'éclairage automobile.
2Diodes laser:
Les plaquettes GaP sont utilisées dans la production de diodes laser pour des applications telles que le stockage de données optiques, les télécommunications et les dispositifs médicaux.
3Les photodétecteurs:
Les plaquettes GaP sont utilisées dans les photodétecteurs pour les applications de détection de la lumière, y compris les communications optiques, les systèmes d'imagerie et la surveillance de l'environnement.
4- Des cellules solaires:
Les plaquettes GaP sont utilisées dans le développement de cellules solaires à haut rendement, en particulier dans les structures de cellules solaires à jonctions multiples pour les applications spatiales et les concentrateurs photovoltaïques terrestres.
5. Dispositifs optoélectroniques:
Les plaquettes GaP font partie intégrante de divers appareils optoélectroniques, tels que les circuits intégrés photoniques, les capteurs optiques et les modulateurs optoélectroniques.
6Électronique à grande vitesse:
Les plaquettes GaP sont utilisées dans les appareils électroniques à grande vitesse, y compris les transistors à haute fréquence, les circuits intégrés à micro-ondes et les amplificateurs de puissance RF.
7Les lasers à semi-conducteurs:
Les plaquettes GaP sont utilisées dans la fabrication de lasers semi-conducteurs utilisés dans des applications telles que les communications optiques, les scanners de codes à barres et les équipements médicaux.
8- La photonique.
Les plaquettes GaP jouent un rôle crucial dans les applications de la photonique, y compris les guides d'ondes, les commutateurs optiques et les cristaux photoniques pour manipuler la lumière à l'échelle nanométrique.
9Technologie des capteurs:
Les plaquettes GaP sont utilisées dans le développement de capteurs pour diverses applications, telles que la détection des gaz, la surveillance de l'environnement et le diagnostic biomédical.
10. Dispositifs à hétérojunction:
Les plaquettes GaP sont intégrées à d'autres semi-conducteurs composés III-V pour créer des dispositifs hétérojoints, permettant des fonctionnalités avancées dans les systèmes électroniques et optoélectroniques.
Des images d'application de la plaque GaP:
FAQ:
1Q: À quoi sert le phosphure de gallium?
R: Le phosphure de gallium est utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (LED) rouges, orange et vertes à faible ou moyenne luminosité à faible coût depuis les années 1960.Il est utilisé seul ou avec de l'arsenure de gallium
Recommandation du produit:
1.SOI Wafer Silicium sur isolant Wafer Dopant P BOX Couche 0,4-3 Orientation du substrat 100 111