 |
Les substrats composites semi-isolateurs SiC-on-Si 4H présentent une LED à haute résistivité
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
|---|---|
| Conditions de paiement: | T/T |
|
Détail Infomation |
|||
| Matériel de substrat: | Carbure de silicium sur plaquette composée de silicium | Surface avant: | CMP Polie, Ra < 0,5 Nm (polie à une seule face, SSP) |
|---|---|---|---|
| Longueur plate secondaire: | 18.0 +/- 2,0 mm | Taper: | Les produits de base sont les suivants: |
| Longueur plate primaire: | 32.5 +/- 2,5 mm | Diamètre: | 100 mm +/- 0,5 mm |
| Contenu en carbone: | 0.5 ppm | Orientation à plat secondaire:: | 90 degrés de la plage primaire |
| Mettre en évidence: | LED SiC sur des substrats composés Si,SiC sur des substrats composés Si |
||
Description de produit
Semi-isolant SiC sur des substrats composites Si 4H présentant une LED à haute résistivité
Description du produit de SiC sur les substrats composites Si:
Un carbure de silicium semi-isolant (SiC) sur une plaquette composée de silicium est un type spécialisé de plaquette qui combine les propriétés du carbure de silicium et des matériaux de silicium.La gaufre est constituée d'une couche de carbure de silicium semi-isolant sur un substrat de siliciumLe terme "semi-isolant" indique que le matériau a des propriétés électriques qui ne sont ni purement conductives ni purement isolantes, mais quelque part entre les deux.
Caractéristiques du SiC sur les substrats composites de Si:
1- Haute résistivité: le SiC semi-isolant sur les plaquettes de Si présente une résistivité élevée, ce qui signifie qu'il a une faible conductivité électrique par rapport aux matériaux conducteurs ordinaires.
2Faible fuite: en raison de leur nature semi-isolante, ces plaquettes ont de faibles courants de fuite, ce qui les rend appropriées pour des applications nécessitant une fuite électrique minimale.
3Voltage de rupture élevé: Ils ont généralement une tension de rupture élevée, ce qui leur permet de résister à des champs électriques élevés sans rupture.
Liste de paramètres des substrats composites SiC sur Si:
| Nom de l'article | Spécification |
| Diamètre | 150 ± 0,2 mm |
| Polytypes de SiC | 4 heures |
| Résistance au SiC | ≥ 1E8 Ω·cm |
| Épaisseur de la couche SiC de transfert | ≥ 0,1 μm |
| Ne fonctionne pas | ≤ 5 ea/plaque (2 mm > D > 0,5 mm) |
| Roughness avant | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Si L'orientation | Le nombre total d'exemplaires est le suivant: |
| Type Si | R/N |
| Plate/Encoche | Plate/Encoche |
| Écrou, rayure, fissure (inspection visuelle) | Aucune |
| TTV | ≤ 5 μm |
| Épaisseur | Pour les appareils de traitement de l'air |
Applications du SiC sur les substrats composites de Si:
1Dispositifs à haute fréquence: Le SiC semi-isolant sur les plaquettes composées de Si est couramment utilisé dans les dispositifs à haute fréquence tels que les transistors RF, les amplificateurs et les systèmes à micro-ondes.
2Électronique de puissance: Ils trouvent des applications dans les appareils électroniques de puissance où une tension de panne élevée et de faibles pertes électriques sont cruciales pour une conversion efficace de la puissance.
3Sensors: Ces plaquettes sont utilisées dans les technologies de capteurs où une résistivité élevée et de faibles caractéristiques de fuite sont requises pour une détection et une mesure précises.
4Optoélectronique: Dans les appareils optoélectroniques tels que les photodétecteurs et les LED, le SiC semi-isolant sur les plaquettes de Si peut améliorer les performances en raison de leurs propriétés électriques uniques.
Application du SiC sur les substrats composites:
FAQ:
A: Je suis désolé. The use of silicon carbide composite (SiC/SiC) components within fusion reactors has the potential to double the electricity generated from every gigawatt of thermal energy produced compared with advanced steel designs