Un carbure de silicium semi-isolant (SiC) sur une plaquette composée de silicium est un type spécialisé de plaquette qui combine les propriétés du carbure de silicium et des matériaux de silicium.La gaufre est constituée d'une couche de carbure de silicium semi-isolant sur un substrat de siliciumLe terme "semi-isolant" indique que le matériau a des propriétés électriques qui ne sont ni purement conductives ni purement isolantes, mais quelque part entre les deux.

Caractéristiques du SiC sur les substrats composites de Si:

1- Haute résistivité: le SiC semi-isolant sur les plaquettes de Si présente une résistivité élevée, ce qui signifie qu'il a une faible conductivité électrique par rapport aux matériaux conducteurs ordinaires.

2Faible fuite: en raison de leur nature semi-isolante, ces plaquettes ont de faibles courants de fuite, ce qui les rend appropriées pour des applications nécessitant une fuite électrique minimale.

3Voltage de rupture élevé: Ils ont généralement une tension de rupture élevée, ce qui leur permet de résister à des champs électriques élevés sans rupture.

Liste de paramètres des substrats composites SiC sur Si:

Nom de l'article	Spécification
Diamètre	150 ± 0,2 mm
Polytypes de SiC	4 heures
Résistance au SiC	≥ 1E8 Ω·cm
Épaisseur de la couche SiC de transfert	≥ 0,1 μm
Ne fonctionne pas	≤ 5 ea/plaque (2 mm > D > 0,5 mm)
Roughness avant	Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm)
Si L'orientation	Le nombre total d'exemplaires est le suivant:
Type Si	R/N
Plate/Encoche	Plate/Encoche
Écrou, rayure, fissure (inspection visuelle)	Aucune
TTV	≤ 5 μm
Épaisseur	Pour les appareils de traitement de l'air

Applications du SiC sur les substrats composites de Si:

1Dispositifs à haute fréquence: Le SiC semi-isolant sur les plaquettes composées de Si est couramment utilisé dans les dispositifs à haute fréquence tels que les transistors RF, les amplificateurs et les systèmes à micro-ondes.

2Électronique de puissance: Ils trouvent des applications dans les appareils électroniques de puissance où une tension de panne élevée et de faibles pertes électriques sont cruciales pour une conversion efficace de la puissance.

3Sensors: Ces plaquettes sont utilisées dans les technologies de capteurs où une résistivité élevée et de faibles caractéristiques de fuite sont requises pour une détection et une mesure précises.

4Optoélectronique: Dans les appareils optoélectroniques tels que les photodétecteurs et les LED, le SiC semi-isolant sur les plaquettes de Si peut améliorer les performances en raison de leurs propriétés électriques uniques.

Application du SiC sur les substrats composites:

Les substrats composites semi-isolateurs SiC-on-Si 4H présentent une LED à haute résistivité 0

FAQ:

1.Q:Qu'est-ce que le SiC sur les plaquettes de Si?

R: Ces plaquettes sont composées d'un seul cristal de SiC, un matériau composé de semi-conducteurs où les atomes de silicium et de carbone forment un réseau tridimensionnel solide.

2.Q:Comment le SiC est-il comparé au Si?

R: Un facteur de différenciation clé du SiC par rapport au silicium est son efficacité au niveau du système, en raison de la plus grande densité de puissance, des pertes de puissance plus faibles, de la fréquence de fonctionnement plus élevée,et une température de fonctionnement élevée.

3Q: Le SiC est-il un composite?
A: Je suis désolé. The use of silicon carbide composite (SiC/SiC) components within fusion reactors has the potential to double the electricity generated from every gigawatt of thermal energy produced compared with advanced steel designs

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