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Gaufrette de carbure de silicium

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  • La Chine 3C-N type Wafers de carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces ou 5 * 5 10 * 10 mm Taille de production de qualité de recherche

    3C-N type Wafers de carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces ou 5 * 5 10 * 10 mm Taille de production de qualité de recherche

    meilleur prix
  • La Chine Wafers de carbure de silicium 3C-N de type 5*5 10*10 mm de diamètre épaisseur 350 μm±25 μm

    Wafers de carbure de silicium 3C-N de type 5*5 10*10 mm de diamètre épaisseur 350 μm±25 μm

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  • La Chine Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED

    Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED

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  • La Chine Épaisseur de la galette de graines de 4H SiC 600±50μm <1120> Personnalisation Croissance du carbure de silicium

    Épaisseur de la galette de graines de 4H SiC 600±50μm <1120> Personnalisation Croissance du carbure de silicium

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  • La Chine Wafer SiC de 6 pouces 4H/6H-P Substrate de carbure de silicium DSP (111) Semiconducteur RF Laser à LED à micro-ondes

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  • La Chine de simulacre non dopé extérieur de la pureté 6N gaufrette principale de SIC de catégorie HPSI DSP

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  • La Chine le substrat de carbure de silicium 4Inch, simulacre principal de grande pureté évaluent ultra semi sic les gaufrettes 4H-

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  • La Chine 4&quot; silicium sur la catégorie 4H de perfection de production de gaufrettes de saphir N-a enduit sic des gaufrettes

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  • La Chine 4H/6H P-type Sic Wafer 4 pouces 6 pouces Z Grade P Grade D Grade hors axe 2,0°-4,0° Vers le dopage de type P

    4H/6H P-type Sic Wafer 4 pouces 6 pouces Z Grade P Grade D Grade hors axe 2,0°-4,0° Vers le dopage de type P

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  • La Chine Substrate SiC Carbure de silicium Substrate 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10 mm P Grade R Grade D Grade

    Substrate SiC Carbure de silicium Substrate 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10 mm P Grade R Grade D Grade

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  • La Chine Substrate SiC de 4 pouces de type p 4H/6H-P de type n 3C-N de qualité zéro de qualité de production de qualité factice

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  • La Chine Wafer SiC 4H N de type 8 pouces de qualité de production de qualité factice personnalisé Wafer au carbure de silicium poli à double face

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  • La Chine 5×5 mm 10×10 mm Wafer SiC de type 4H-P 6H-P 3C-N de qualité de production de qualité de recherche de qualité de mannequin

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  • La Chine 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H P Type 6H P Type 3C N Type SiC Wafer Carbure de silicium Wafer semi-conducteur

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  • La Chine Wafer SiC 4H de type N de qualité carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces DSP sur mesure

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