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Plaquettes épitaxiales 4H-SiC pour MOSFET à ultra-haute tension (100 ‰ 500 μm, 6 pouces)

Gaufrette de carbure de silicium
2025-09-02
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Résumé du produit des plaquettes épitaxales 4H-SiC Le développement rapide des véhicules électriques, des réseaux intelligents, des énergies renouvelables et des systèmes industriels à haute puissance ... Vue davantage
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Plaquettes épitaxiales 4H-SiC pour MOSFET à ultra-haute tension (100 ‰ 500 μm, 6 pouces)
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