Nom De Marque: | ZMSH |
Numéro De Modèle: | Sapphire Wafer |
MOQ: | 25 |
Conditions De Paiement: | T/T |
Résumé
Le carbure de silicium (SiC), en tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite de troisième génération, offre des propriétés supérieures telles qu'une résistance diélectrique élevée (>30 MV/cm), une excellente conductivité thermique (>1 500 W/m·K) et une mobilité élevée des électrons. Ces attributs rendent le SiC essentiel pour les applications avancées dans la 5G, les véhicules électriques (VE) et les énergies renouvelables. Alors que l'industrie se tourne vers la production de masse, l'adoption de plaquettes de SiC de 12 pouces (également connues sous le nom de plaquettes de SiC de 300 mm) joue un rôle crucial dans l'augmentation de la production et la réduction des coûts. La transition vers les plaquettes de SiC de grand diamètre soutient non seulement des rendements de dispositifs plus élevés et des performances améliorées, mais permet également une réduction annuelle des coûts de 15 % à 20 % (selon les données de Yole), accélérant la commercialisation des solutions basées sur le SiC.
Principaux avantages:
Notre société, ZMSH, est un acteur de premier plan dans l'industrie des semi-conducteurs depuis plus de dix ans, bénéficiant d'une équipe professionnelle d'experts en usine et de personnel de vente. Nous sommes spécialisés dans la fourniture de solutions personnalisées de plaquettes de saphir et les plaquettes de SiC, y compris les plaquettes de SiC de 12 pouces et les plaquettes de SiC de 300 mm, pour répondre aux divers besoins des clients dans les secteurs de haute technologie. Qu'il s'agisse de conceptions sur mesure ou de services OEM, ZMSH est équipé pour fournir des produits de plaquettes de SiC de haute qualité avec des prix compétitifs et des performances fiables. Nous nous engageons à assurer la satisfaction de nos clients à chaque étape et vous invitons à nous contacter pour plus d'informations ou pour discuter de vos besoins spécifiques.
Paramètres techniques des plaquettes de silicium
Paramètre | Spécification |
---|---|
Polytype
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4H SiC |
Type de conductivité
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N |
Diamètre
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300,00 ± 0,5 mm
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Épaisseur |
700 ± 50 µm
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Axe d'orientation de la surface cristalline
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4,0° vers <11-20> ± 0,5°
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Profondeur de l'encoche
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1~1,25 mm
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Orientation de l'encoche
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<1-100> ± 5°
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Face Si
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CMP poli
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Face C
|
CMP poli
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Applications des plaquettes de SiC
1. Véhicules électriques
Les dispositifs d'alimentation à base de SiC de 12 pouces révolutionnent la conception des VE en abordant les limitations clés du silicium:
2. Énergies renouvelables
La technologie SiC de 300 mm accélère l'adoption de l'énergie solaire et éolienne:
3. 5G et télécommunications
Le SiC de 300 mm répond aux défis critiques du déploiement du réseau 5G:
4. Électronique industrielle et grand public
Le SiC stimule l'innovation dans divers secteurs :
Affichage du produit - ZMSH
Q : Comment le SiC de 12 pouces se compare-t-il au silicium en termes de fiabilité à long terme ?
R : La stabilité à haute température et la
résistance aux radiations du SiC de 12 pouces le rendent plus durable dans les environnements difficiles (par exemple, VE, aérospatiale). Nous assistons nos clients avec la
pour garantir la conformité aux normes de fiabilité strictes. et les
tests de vieillissement accélérés
pour garantir la conformité aux normes de fiabilité strictes.Q :
Quels sont les principaux défis de l'adoption de la technologie SiC aujourd'hui ?