• Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type
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Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type

Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: Sapphire Wafer

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 25
Délai de livraison: 4 à 6 semaines
Conditions de paiement: T/T
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Matériel: Gaufrette de carbure de silicium Épaisseur: 3mm (l'autre épaisseur correcte)
Surface: DSP TTV: <15um
Faites une fleur.: <20um La distorsion.: <30um
Je vous en prie.: 12 pouces 300 mm
Mettre en évidence:

Wafer SiC de 12 pouces

,

De catégorie gaufrette factice conductrice sic

Description de produit

Plaquette SiC de 12 pouces, plaquette de carbure de silicium de 300 mm, plaquette conductrice de qualité factice, de type N, qualité recherche

 

Résumé

 

Le carbure de silicium (SiC), en tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite de troisième génération, offre des propriétés supérieures telles qu'une résistance diélectrique élevée (>30 MV/cm), une excellente conductivité thermique (>1 500 W/m·K) et une mobilité élevée des électrons. Ces attributs rendent le SiC essentiel pour les applications avancées dans la 5G, les véhicules électriques (VE) et les énergies renouvelables. Alors que l'industrie se tourne vers la production de masse, l'adoption de plaquettes de SiC de 12 pouces (également connues sous le nom de plaquettes de SiC de 300 mm) joue un rôle crucial dans l'augmentation de la production et la réduction des coûts. La transition vers les plaquettes de SiC de grand diamètre soutient non seulement des rendements de dispositifs plus élevés et des performances améliorées, mais permet également une réduction annuelle des coûts de 15 % à 20 % (selon les données de Yole), accélérant la commercialisation des solutions basées sur le SiC.

 

Principaux avantages:

  • Efficacité énergétique des plaquettes de SiC de 12 pouces : les dispositifs à base de SiC réduisent la consommation d'énergie de **jusqu'à 70 %** par rapport au silicium dans les applications haute tension/courant.
  • Plaquette SiC de 12 pouces Gestion thermique : Fonctionne de manière stable à **200 °C et plus** dans les environnements automobiles et aérospatiaux.
  • Plaquette SiC de 12 pouces Intégration du système : Permet des facteurs de forme **50 % à 80 % plus petits** pour les modules d'alimentation, libérant de l'espace pour des composants supplémentaires.

 


 

Présentation de l'entreprise

 

Notre société, ZMSH, est un acteur de premier plan dans l'industrie des semi-conducteurs depuis plus de dix ans, bénéficiant d'une équipe professionnelle d'experts en usine et de personnel de vente. Nous sommes spécialisés dans la fourniture de solutions personnalisées de plaquettes de saphir et les plaquettes de SiC, y compris les plaquettes de SiC de 12 pouces et les plaquettes de SiC de 300 mm, pour répondre aux divers besoins des clients dans les secteurs de haute technologie. Qu'il s'agisse de conceptions sur mesure ou de services OEM, ZMSH est équipé pour fournir des produits de plaquettes de SiC de haute qualité avec des prix compétitifs et des performances fiables. Nous nous engageons à assurer la satisfaction de nos clients à chaque étape et vous invitons à nous contacter pour plus d'informations ou pour discuter de vos besoins spécifiques.

 


 

Paramètres techniques des plaquettes de silicium

 

 

Paramètre Spécification
Polytype
4H SiC
Type de conductivité
N
Diamètre
300,00 ± 0,5 mm
Épaisseur
700 ± 50 µm
Axe d'orientation de la surface cristalline
4,0° vers <11-20> ± 0,5°
Profondeur de l'encoche
1~1,25 mm
Orientation de l'encoche
<1-100> ± 5°
Face Si
CMP poli
Face C
CMP poli

 

 

 


 

Applications des plaquettes de SiC

 

1. Véhicules électriques
Les dispositifs d'alimentation à base de SiC de 12 pouces révolutionnent la conception des VE en abordant les limitations clés du silicium:

  • Efficacité supérieure: Permet des autonomies plus longues et une recharge plus rapide dans des conditions extrêmes (par exemple, architectures 800 V).
  • Stabilité thermique: Fonctionne de manière fiable dans des environnements difficiles (par exemple, systèmes de gestion thermique des batteries).
  • Optimisation de l'espace: Réduit la taille des composants jusqu'à 50 %, libérant de l'espace pour des capteurs et des systèmes de sécurité avancés.

2. Énergies renouvelables
La technologie SiC de 300 mm accélère l'adoption de l'énergie solaire et éolienne:

  • Onduleurs solaires: Améliore l'efficacité de l'intégration au réseau, réduisant les pertes d'énergie lors de la conversion de puissance.
  • Éoliennes: Prend en charge des densités de puissance plus élevées dans les systèmes offshore, réduisant les coûts d'installation par watt.

3. 5G et télécommunications
Le SiC de 300 mm répond aux défis critiques du déploiement du réseau 5G:

  • FONCTIONNEMENT HAUTE FRÉQUENCE: Permet une transmission de données ultra-rapide (par exemple, bandes mmWave) avec une perte de signal minimale.
  • Efficacité énergétique: Réduit la consommation d'énergie dans les stations de base jusqu'à 40 %, ce qui correspond aux objectifs de développement durable des opérateurs de télécommunications.

4. Électronique industrielle et grand public
Le SiC stimule l'innovation dans divers secteurs :

  • Automatisation industrielle: Alimente les moteurs et onduleurs haute tension dans les usines, améliorant la productivité et la réutilisation de l'énergie.
  • Appareils grand public: Permet des chargeurs et des adaptateurs d'alimentation compacts et performants pour les ordinateurs portables et les smartphones.

 

 


 

Affichage du produit - ZMSH

 

Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type 0    Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type 1

Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type 2    Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type 3

 


 

Plaquette SiC FAQ

 

Q : Comment le SiC de 12 pouces se compare-t-il au silicium en termes de fiabilité à long terme ?

R : La stabilité à haute température  et la

 

résistance aux radiations du SiC de 12 pouces le rendent plus durable dans les environnements difficiles (par exemple, VE, aérospatiale). Nous assistons nos clients avec la

pour garantir la conformité aux normes de fiabilité strictes.  et les

 

tests de vieillissement accélérés

pour garantir la conformité aux normes de fiabilité strictes.Q :

Quels sont les principaux défis de l'adoption de la technologie SiC aujourd'hui ?

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.