 |
8 pouces SiC épitaxial Wafers Résultat et efficacité Électronique de puissance évolutive
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Model Number: | 4 inch |
Conditions de paiement et expédition:
| Minimum Order Quantity: | 10 |
|---|---|
| Prix: | 5 USD |
| Packaging Details: | custom cartons |
| Delivery Time: | 4-8 weeks |
| Payment Terms: | T/T |
| Supply Ability: | By case |
|
Détail Infomation |
|||
| Grade: | Zero MPD Grade,Production Grade,Research Grade,Dummy Grade | Resistivity 4H-N: | 0.015~0.028 Ω•cm |
|---|---|---|---|
| Resistivity 4/6H-SI: | ≥1E7 Ω·cm | Primary Flat: | {10-10}±5.0° or round shape |
| TTV/Bow /Warp: | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | Roughness: | Polish Ra≤1 nm / CMP Ra≤0.5 nm |
Description de produit
Aperçu des plaquettes épitaxiales en SiC
Les plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces (200 mm) émergent désormais comme le format le plus avancé de l'industrie du SiC. Représentant le summum de la science des matériaux et des capacités de fabrication, les plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces offrent des opportunités inégalées pour augmenter la production de dispositifs de puissance tout en réduisant le coût par dispositif.
Alors que la demande de véhicules électriques, d'énergies renouvelables et d'électronique de puissance industrielle continue de croître à l'échelle mondiale, les plaquettes de 8 pouces permettent une nouvelle génération de MOSFET en SiC, de diodes et de modules d'alimentation intégrés avec un débit plus élevé, un meilleur rendement et des coûts de fabrication plus faibles.
Grâce à leurs propriétés de large bande interdite, à leur conductivité thermique élevée et à leur tension de claquage exceptionnelle, les plaquettes en SiC de 8 pouces ouvrent de nouvelles voies en matière de performances et d'efficacité dans l'électronique de puissance avancée.
Comment les plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces sont fabriquées
La fabrication de plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces nécessite des réacteurs CVD de nouvelle génération, un contrôle précis de la croissance cristalline et une technologie de substrat ultra-plate :
-
Fabrication du substrat
Les substrats monocristallins en SiC de 8 pouces sont produits via des techniques de sublimation à haute température et ensuite polis pour obtenir une rugosité inférieure au nanomètre. -
Croissance épitaxiale CVD
Des outils CVD avancés à grande échelle fonctionnent à ~1600 °C pour déposer des couches épitaxiales en SiC de haute qualité sur les substrats de 8 pouces, avec un débit de gaz et une uniformité de température optimisés pour gérer la plus grande surface. -
Dopage sur mesure
Des profils de dopage de type N ou de type P sont créés avec une grande uniformité sur l'ensemble de la plaquette de 300 mm. -
Métrologie de précision
Le contrôle de l'uniformité, la surveillance des défauts cristallins et la gestion des processus in situ garantissent la cohérence du centre au bord de la plaquette. -
Assurance qualité complète
Chaque plaquette est validée via :-
AFM, Raman et XRD
-
Cartographie des défauts sur toute la plaquette
-
Analyse de la rugosité de surface et de la déformation
-
Mesures des propriétés électriques
-
Spécifications
| Grade | Substrat SiC de type N de 8 pouces | ||
| 1 | Polytype | -- | 4HSiC |
| 2 | Type de conductivité | -- | N |
| 3 | Diamètre | mm | 200,00±0,5 mm |
| 4 | Épaisseur | um | 700±50µm |
| 5 | Axe d'orientation de la surface cristalline | degré | 4,0° vers±0,5° |
| 6 | Profondeur de l'encoche | mm | 1~1,25 mm |
| 7 | Orientation de l'encoche | degré | ±5° |
| 8 | Résistivité (moyenne) | Ωcm | NA |
| 9 | TTV | um | NA |
| 10 | LTV | um | NA |
| 11 | Bombement | um | NA |
| 12 | Voile | um | NA |
| 13 | MPD | cm-2 | NA |
| 14 | TSD | cm-2 | NA |
| 15 | BPD | cm-2 | NA |
| 16 | TED | cm-2 | NA |
| 17 | EPD | cm-2 | NA |
| 18 | Polytypes étrangers | -- | NA |
| 19 | SF(BSF)(taille de grille de 2x2 mm) | % | NA |
| 20 | TUA (TotalUsableArea)(taille de grille de 2x2 mm) | % | NA |
| 21 | Exclusion de bord nominale | mm | NA |
| 22 | Rayures visuelles | -- | NA |
| 23 | Rayures - longueur cumulative (surface Si) | mm | NA |
| 24 | Face Si | -- | Poli CMP |
| 25 | Face C | -- | Poli CMP |
| 26 | Rugosité de surface (face Si) | nm | NA |
| 27 | Rugosité de surface (face C) | nm | NA |
| 28 | Marquage laser | -- | Face C, au-dessus de l'encoche |
| 29 | Éclats de bord (surfaces avant et arrière) | -- | NA |
| 30 | Plaques hexagonales | -- | NA |
| 31 | Fissures | -- | NA |
| 32 | Particules (≥0,3 um) | -- | NA |
| 33 | Contamination de surface (taches) | -- | Aucune : les deux faces |
| 34 | Contamination par les métaux résiduels (ICP-MS) | atome/cm2 | NA |
| 35 | Profil de bord | -- | Chanfrein, forme en R |
| 36 | Emballage | -- | Cassette multi-plaquettes ou conteneur pour plaquette unique |
Applications
Les plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces permettent la production de masse de dispositifs de puissance fiables dans des secteurs tels que :
-
Véhicules électriques (VE)
Onduleurs de traction, chargeurs embarqués et convertisseurs CC/CC. -
Énergie renouvelable
Onduleurs solaires en chaîne, convertisseurs d'énergie éolienne. -
Entraînements industriels
Entraînements de moteurs efficaces, systèmes servo. -
Infrastructure 5G / RF
Amplificateurs de puissance et commutateurs RF. -
Électronique grand public
Alimentations électriques compactes et à haut rendement.
Foire aux questions (FAQ)
1. Quel est l'avantage des plaquettes en SiC de 8 pouces ?
Elles réduisent considérablement le coût de production par puce grâce à une plus grande surface de plaquette et au rendement du processus.
2. Quel est le degré de maturité de la production de SiC de 8 pouces ?
Les 8 pouces entrent en production pilote avec certains leaders de l'industrie : nos plaquettes sont désormais disponibles pour la R&D et la montée en volume.
3. Le dopage et l'épaisseur peuvent-ils être personnalisés ?
Oui, une personnalisation complète du profil de dopage et de l'épaisseur de l'épitaxie est disponible.
4. Les usines existantes sont-elles compatibles avec les plaquettes en SiC de 8 pouces ?
Des mises à niveau mineures de l'équipement sont nécessaires pour une compatibilité complète avec les 8 pouces.
5. Quel est le délai de livraison typique ?
6 à 10 semaines pour les commandes initiales ; plus court pour les volumes répétés.
6. Quelles industries adopteront le SiC de 8 pouces le plus rapidement ?
Les secteurs de l'automobile, des énergies renouvelables et des infrastructures de réseau.
Produits connexes