Vue d'ensemble de la plaque épitaxienne SiC

Les plaquettes épitaxial SiC de 8 pouces (200 mm) sont désormais devenues le facteur de forme le plus avancé de l'industrie SiC.Les plaquettes épitaxales en SiC offrent des possibilités inégalées d'accroître la production de dispositifs de puissance tout en réduisant le coût par dispositif.

Alors que la demande de véhicules électriques, d'énergie renouvelable et d'électronique de puissance industrielle continue d'augmenter à l'échelle mondiale, les plaquettes 8 ̊ permettent une nouvelle génération de MOSFET SiC, de diodes,et modules d'alimentation intégrés avec un débit plus élevé, un meilleur rendement et des coûts de fabrication plus faibles.

Grâce à leurs propriétés de large bande passante, à leur haute conductivité thermique et à leur tension de rupture exceptionnelle, les plaquettes 8 ̊ SiC débloquent de nouveaux niveaux de performance et d'efficacité dans l'électronique de puissance avancée.

Comment sont fabriquées les plaquettes épitaxiennes 8 ̊ SiC?

La fabrication de plaquettes épitaxales 8 ̊ SiC nécessite des réacteurs CVD de nouvelle génération, un contrôle précis de la croissance des cristaux et une technologie de substrat ultra-plat:

1. Fabrication de substrats
   Les substrats monocristallins 8 ̊ SiC sont produits par des techniques de sublimation à haute température et ensuite polies jusqu'à une rugosité inférieure à un nanomètre.

2. Croissance épitaxienne des MTC
   Les outils CVD avancés à grande échelle fonctionnent à ~ 1600 °C pour déposer des couches épitaxiales SiC de haute qualité sur les substrats 8 ̊, avec un débit de gaz et une uniformité de température optimisés pour gérer la plus grande surface.

3. Dopage sur mesure
   Les profils de dopage de type N ou de type P sont créés avec une grande uniformité sur l'ensemble de la plaque de 300 mm.

4. Métrologie de précision
   Le contrôle de l'uniformité, la surveillance des défauts de cristal et la gestion des processus in situ assurent la cohérence du centre de la gaufre au bord.

5. Assurance de la qualité complète
   Chaque plaquette est validée par:

   • AFM, Raman et XRD

   • Cartographie des défauts des plaquettes complètes

   • Analyse de la rugosité de surface et de la déformation

   • Mesures des propriétés électriques

Les spécifications

Applications

Les plaquettes épitaxales de SiC permettent la production en série de dispositifs de puissance fiables dans des secteurs tels que:

• Véhicules électriques (VE)
  Invertisseurs de traction, chargeurs embarqués et convertisseurs CC/CC.

• Énergie renouvelable
  Des onduleurs solaires, des convertisseurs d'énergie éolienne.

• Les moteurs industriels
  Des moteurs efficaces, des servos.

• Infrastructure 5G/RF
  Amplificateurs de puissance et commutateurs RF.

• Produits électroniques de consommation
  Des sources d'alimentation compactes et efficaces.

Questions fréquemment posées

1Quel est l'avantage des plaquettes 8 ̊ SiC?
Ils réduisent considérablement le coût de production par puce grâce à l'augmentation de la surface des plaquettes et du rendement du procédé.

2Quelle est la maturité de la production de SiC 8?
L'entreprise est en train d'entrer dans la production pilote avec des leaders de l'industrie sélectionnés.

3Le dopage et l'épaisseur peuvent-ils être personnalisés?
Oui, la personnalisation complète du profil de dopage et de l'épaisseur d'épinephrine est disponible.

4Les usines existantes sont-elles compatibles avec les plaquettes 8 ̊ SiC?
Des améliorations mineures de l'équipement sont nécessaires pour une compatibilité complète 8 ̊.

5Quel est le délai de livraison typique?
6 à 10 semaines pour les commandes initiales; plus courte pour les volumes répétés.

6Quels sont les secteurs qui adopteront le plus rapidement le SiC?
secteurs de l'automobile, des énergies renouvelables et des infrastructures de réseau.

Produits connexes

Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type

4H/6H P-type Sic Wafer 4 pouces 6 pouces Z Grade P Grade D Grade hors axe 2,0°-4,0° Vers le dopage de type P