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  • La Chine Poudre abrasive au carbure de silicium pour la croissance des cristaux SIC

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  • La Chine Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type

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  • La Chine Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Substrate 750 ± 25um 4H-N Type d'orientation 100 Grade de recherche de production

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  • La Chine Type 4H N Wafer SiC de type semi 6 pouces Wafer SiC de 12 pouces Sous-strate SiC ((0001) Double côté poli Ra≤1 nm Personnalisation

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  • La Chine Wafer SiC 4 pouces 12 pouces 4H N de type Semi type de qualité de production de qualité de recherche de qualité DSP personnalisé

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  • La Chine 8 pouces 12 pouces 4H-N type SiC épaisseur de gaufre 500±25um 1000±50 N dopé Dummy Prime de qualité de recherche

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  • La Chine Wafers SiC 2/3/4/6/8 /12 pouces 4H-N de type Z/P/D/R

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  • La Chine Wafers SiC de haute qualité 2/3/4/6/8 pouces 4H-N de type Z/P/D/R de qualité non dopée

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  • La Chine SiC épitaxial Wafer Carbure de silicium 4H 4 pouces 6 pouces Industrie des semi-conducteurs à haute résistance

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  • La Chine SiC Substrate 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm à 150,0 mm Z Grade P Grade D Grade

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  • La Chine Gaufrette polie de carbure de silicium 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35mm sic

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  • La Chine 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS

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