Nom De Marque: | ZMSH |
Numéro De Modèle: | SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche |
Conditions De Paiement: | T/T |
SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche
Nos substrats de silicium 2/3/4/6/8 de pouce HPSI de production de qualité de rechercheest conçu pour des applications de recherche avancées, fournissant des substrats de carbure de silicium de haute qualité qui facilitent la recherche et le développement de semi-conducteurs de pointe.
2.1 Description du produit:
Nos substrats de silicium 2/3/4/6/8 de pouce HPSI de production de qualité de rechercheest conçu pour répondre aux normes rigoureuses des laboratoires de recherche.
Voltage de rupture élevé: Les substrats en SiC permettent la fabrication de dispositifs avec des tensions de rupture nettement plus élevées que le silicium.
Stabilité thermique: Le SiC peut fonctionner à des températures plus élevées (jusqu'à 600°C) sans dégradation des performances.qui est essentiel pour les applications dans les industries automobile et aérospatiale.
Amélioration de l'efficacité: Les substrats de SiC contribuent à réduire la résistance d'allumage et à accélérer les vitesses de commutation dans les dispositifs semi-conducteurs.Cela se traduit par une réduction des pertes d'énergie et une amélioration de l'efficacité globale des systèmes de conversion d'énergie.
Diminution de la taille et du poids: En raison de leur capacité à gérer des densités de puissance plus élevées, les appareils SiC peuvent être plus petits et plus légers que leurs homologues en silicium.Ceci est particulièrement avantageux dans les applications où l'espace et le poids sont essentiels, tels que les véhicules électriques et les appareils électroniques portables.
2.2 Description de l'entreprise:
Notre société (ZMSH)Il s'est concentré sur le champ de saphir depuisplus de 10 ans, avec des équipes professionnelles d'usine et de vente.Produits sur mesureNous prenons également en charge la conception personnalisée et pouvons être OEM.ZMSHsera le meilleur choix compte tenu du prix et de la qualité.N'hésitez pas à vous joindre à nous!
Débloquez le potentiel de vos projets de recherche et de développement avecNos substrats de silicium 2/3/4/6/8 pouces HPSI production de qualité de recherche facticeConçus spécialement pour les applications de semi-conducteurs avancés, nos substrats de qualité de recherche offrent une qualité et une fiabilité exceptionnelles.
4. Affichage du produit - ZMSH
5. Spécifications du substrat SiC
6.1 A:Dans quelles tailles les substrats de SiC sont-ils disponibles?
Q: Les substrats de SiC sont disponibles en différentesNous sommes en mesure de produire des modèles de 8 pouces. D'autres tailles personnalisées peuvent également être disponibles en fonction des exigences spécifiques de l'application.
6.2 A:Quel est le but d'une galette fictive?
Q: Les plaquettes fictives sont principalement utilisées à des fins d'essais et de recherche, sans qu'il soit nécessaire de fabriquer un dispositif actif.
6.3 A:Pouvez-vous fournir des spécifications personnalisées?
Q: Nous pouvons discuter des commandes personnalisées en fonction de vos besoins de recherche spécifiques; veuillez nous contacter pour plus d'informations.