• SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche
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SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche

SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche

Conditions de paiement et expédition:

Délai de livraison: 2 à 4 semaines
Conditions de paiement: T/T
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Matériel: Le SIC Diamètre: 2/3/4/6/8 de pouce
Le type: Le nombre de points d'intervention doit être déterminé en tenant compte de l'expérience acquise. polonais: DSP/SSP
Mettre en évidence:

Substrats de SiC de 2 pouces

,

Substrats de SiC simulés de production HPSI

,

Substrats SiC de qualité de recherche

Description de produit

 

SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche

 

1. Abstrait

 

Nos substrats de silicium 2/3/4/6/8 de pouce HPSI de production de qualité de rechercheest conçu pour des applications de recherche avancées, fournissant des substrats de carbure de silicium de haute qualité qui facilitent la recherche et le développement de semi-conducteurs de pointe.

 


 

2Description du produit et de l'entreprise

 

2.1 Description du produit:

Nos substrats de silicium 2/3/4/6/8 de pouce HPSI de production de qualité de rechercheest conçu pour répondre aux normes rigoureuses des laboratoires de recherche.

  • Voltage de rupture élevé: Les substrats en SiC permettent la fabrication de dispositifs avec des tensions de rupture nettement plus élevées que le silicium.

  • Stabilité thermique: Le SiC peut fonctionner à des températures plus élevées (jusqu'à 600°C) sans dégradation des performances.qui est essentiel pour les applications dans les industries automobile et aérospatiale.

  • Amélioration de l'efficacité: Les substrats de SiC contribuent à réduire la résistance d'allumage et à accélérer les vitesses de commutation dans les dispositifs semi-conducteurs.Cela se traduit par une réduction des pertes d'énergie et une amélioration de l'efficacité globale des systèmes de conversion d'énergie.

  • Diminution de la taille et du poids: En raison de leur capacité à gérer des densités de puissance plus élevées, les appareils SiC peuvent être plus petits et plus légers que leurs homologues en silicium.Ceci est particulièrement avantageux dans les applications où l'espace et le poids sont essentiels, tels que les véhicules électriques et les appareils électroniques portables.

 

2.2 Description de l'entreprise:

Notre société (ZMSH)Il s'est concentré sur le champ de saphir depuisplus de 10 ans, avec des équipes professionnelles d'usine et de vente.Produits sur mesureNous prenons également en charge la conception personnalisée et pouvons être OEM.ZMSHsera le meilleur choix compte tenu du prix et de la qualité.N'hésitez pas à vous joindre à nous!

 


 

3. Applications

 

Débloquez le potentiel de vos projets de recherche et de développement avecNos substrats de silicium 2/3/4/6/8 pouces HPSI production de qualité de recherche facticeConçus spécialement pour les applications de semi-conducteurs avancés, nos substrats de qualité de recherche offrent une qualité et une fiabilité exceptionnelles.

  • Lesseurs:Les substrats SiC permettent la production de diodes laser de haute puissance qui fonctionnent efficacement dans les régions de lumière UV et bleue.Leur excellente conductivité thermique et leur durabilité les rendent idéales pour les applications nécessitant des performances fiables dans des conditions extrêmes.
  • Produits électroniques de consommation:Les substrats SiC améliorent les circuits intégrés de gestion de l'énergie, permettant une conversion d'énergie plus efficace et une durée de vie plus longue de la batterie.permettant des chargeurs plus petits et plus légers tout en maintenant des performances élevées.
  • Piles à bord de véhicules électriques: Les substrats en SiC améliorent l'efficacité énergétique et augmentent l'autonomie de conduite. Leur application dans les infrastructures de recharge rapide favorise des temps de recharge plus rapides, ce qui améliore la commodité des utilisateurs de véhicules électriques.

SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche 0


 

4. Affichage du produit - ZMSH

 

SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche 1


 

5. Spécifications du substrat SiC

 

SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche 2


 

6Questions fréquemment posées

 

6.1 A:Dans quelles tailles les substrats de SiC sont-ils disponibles?

Q: Les substrats de SiC sont disponibles en différentesNous sommes en mesure de produire des modèles de 8 pouces. D'autres tailles personnalisées peuvent également être disponibles en fonction des exigences spécifiques de l'application.

 

6.2 A:Quel est le but d'une galette fictive?

Q: Les plaquettes fictives sont principalement utilisées à des fins d'essais et de recherche, sans qu'il soit nécessaire de fabriquer un dispositif actif.

 

6.3 A:Pouvez-vous fournir des spécifications personnalisées?

Q: Nous pouvons discuter des commandes personnalisées en fonction de vos besoins de recherche spécifiques; veuillez nous contacter pour plus d'informations.

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à SiC Substrats 2/3/4/6/8 pouces HPSI Production Fausse qualité de recherche pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
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