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Wafer de silicium Wafer de silicium de 8 pouces N type P type < 111> < 100> < 110> SSP DSP de qualité Prime de qualité Dummy
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Diamètre: | 200 mm ± 0,2 mm | Méthode de croissance: | Czochralski (CZ) |
|---|---|---|---|
| Faites une fleur.: | ≤ 30 μm | La distorsion.: | ≤ 30 μm |
| Variation totale de l'épaisseur (TTV): | ≤ 5 μm | Particules: | ≤ 50@≥ 0,16 μm |
| Concentration en oxygène: | ≤ 18 ppm | ||
| Mettre en évidence: | Type gaufrette de P de silicium,Type gaufrette de N de silicium,Une gaufre en silicium de 8 pouces. |
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Description de produit
Plaquette de silicium Si plaquette 8 pouces type N type P <111><100><110> SSP DSP qualité supérieure qualité factice
Présentation du produit : plaquette de silicium de première qualité de 8 pouces
Les plaquettes de silicium constituent l'épine dorsale de l'industrie des semi-conducteurs, servant de substrat fondamental aux circuits intégrés, aux micropuces et à divers composants électroniques. LePlaquette de silicium de première qualité de 8 pouces (200 mm)est un produit haut de gamme conçu pour répondre aux exigences strictes des applications hautes performances. Ces plaquettes sont fabriquées à l'aide de technologies avancéesTechnologie de croissance cristalline Czochralski (CZ), garantissant une qualité et une cohérence supérieures. Avec une orientation cristalline de<100>, surfaces polies d'un seul côté (SSP) ou polies des deux côtés (DSP), etDopage de type P au bore, ces plaquettes sont idéales pour être utilisées comme matériaux semi-conducteurs dans les technologies de pointe.
1.Matériel et fabrication
1.1 Silicium monocristallin
La plaquette de 8 pouces est fabriquée à partir de silicium monocristallin de très haute pureté. Le procédé Czochralski (CZ) est utilisé pour faire croître de gros monocristaux, garantissant une excellente uniformité de la structure cristalline et un minimum de défauts de réseau. Ce procédé garantit la fiabilité de la plaquette dans les applications électroniques de haute précision.
1.2 Qualité de premier ordre
Les plaquettes de silicium de première qualité représentent le plus haut niveau de qualité dans l'industrie des semi-conducteurs. Ces plaquettes sont soumises à des tests rigoureux et à un contrôle qualité strict pour garantir leur adéquation aux processus de fabrication critiques. Les caractéristiques des plaquettes de première qualité comprennent :
- Contamination extrêmement faible des particules.
- Planéité de surface exceptionnelle et rugosité minimale.
- Uniformité de résistivité élevée et contrôle des défauts.
2.Spécifications clés
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Diamètre | 8 pouces (200 mm) |
| Matériel | Silicium monocristallin |
| Méthode de croissance cristalline | Czochralski (CZ) |
| Orientation des cristaux | <100> |
| Type/Dopant | Type P / Bore |
| Finition de surface | Poli simple face (SSP) ou poli double face (DSP) |
| Résistivité | Personnalisable en fonction des besoins de l'application |
| Épaisseur | Norme : 725 µm ± 25 µm |
| Planéité (TTV) | ≤ 5 µm |
| Arc/chaîne | ≤ 30 µm |
| Rugosité de surface (Ra) | SSP : < 0,5 nm ; DSP : < 0,3 nm |
| Conditionnement | Emballage pour salle blanche classe 100, 25 plaquettes par cassette |
3.Orientation du cristal : <100>
L'orientation cristalline <100> est l'une des orientations les plus couramment utilisées dans l'industrie des semi-conducteurs en raison de ses propriétés de gravure isotrope et de ses caractéristiques mécaniques uniformes. Cette orientation permet à la tranche de fournir des performances constantes lors de processus tels que la gravure chimique, l'implantation ionique et l'oxydation.
4.Silicium de type P avec dopant au bore
La désignation de type P indique que la tranche est dopée avecbore, un élément du groupe III qui crée des « trous » en tant que porteurs de charge majoritaires. Ce type de dopage est préféré pour de nombreux dispositifs semi-conducteurs, notamment les diodes, les transistors à jonction bipolaire (BJT) et la technologie complémentaire métal-oxyde-semi-conducteur (CMOS).
Les principaux avantages du dopage de type P comprennent :
- Performances électriques stables dans une large plage de températures.
- Haute compatibilité avec les processus standard de fabrication de semi-conducteurs.
5.Finition de surface : SSP et DSP
5.1 Poli d'un seul côté (SSP)
- Utilisé pour les applications où une seule surface nécessite un degré élevé de douceur et de planéité.
- La face non polie conserve une texture naturelle, utile pour des besoins spécifiques de manipulation ou de collage.
- Couramment appliqué dans les MEMS, les capteurs et les plaquettes de test.
5.2 Poli double face (DSP)
- Les deux côtés de la plaquette sont polis pour obtenir une surface exceptionnellement lisse avec une faible rugosité (Ra < 0,3 nm).
- Indispensable pour les processus de haute précision comme la lithographie et le dépôt de couches minces.
- Garantit un minimum de contraintes et de déformations pendant la fabrication, ce qui le rend adapté à la microélectronique avancée.
6.Propriétés thermiques et mécaniques
La plaquette de 8 pouces présente d'excellentes propriétés thermiques et mécaniques, essentielles pour les processus à haute température couramment rencontrés dans la fabrication de semi-conducteurs :
- Haute stabilité thermique :Le faible coefficient de dilatation thermique garantit la stabilité dimensionnelle pendant le recuit ou les processus thermiques rapides.
- Résistance mécanique :Le silicium de haute qualité cultivé en CZ résiste aux contraintes physiques lors de la manipulation et de la fabrication.
7.Applications
La plaquette de silicium de qualité supérieure de 8 pouces est polyvalente et sert un large éventail d'applications dans les industries des semi-conducteurs et de l'électronique :
7.1 Dispositifs semi-conducteurs
- Technologie CMOS :Constitue le matériau de base de la plupart des circuits intégrés, y compris les processeurs et les dispositifs de mémoire.
- Appareils électriques :Idéal pour la fabrication de transistors de puissance, de diodes et d'IGBT en raison de ses propriétés électriques stables.
7.2 MEMS (systèmes micro-électro-mécaniques)
La finition précise de la surface et l'orientation des cristaux rendent cette plaquette parfaite pour les dispositifs MEMS tels que les accéléromètres, les gyroscopes et les capteurs de pression.
7.3 Photonique et optoélectronique
La plaquette est utilisée dans des applications photoniques telles que les capteurs optiques, les diodes électroluminescentes (DEL) et les cellules photovoltaïques.
7.4 R&D et prototypage
Sa surface de haute qualité et ses caractéristiques électriques en font un excellent choix pour les instituts de recherche et le développement de prototypes.
8.Emballage et manutention
Pour préserver la qualité impeccable de la plaquette, elle est emballée dans des conditions strictes de salle blanche :
- Environnement de classe 100 :Garantit une contamination minimale des particules pendant l’emballage.
- Emballage sécurisé :Les plaquettes sont placées dans des cassettes (25 plaquettes par cassette) et scellées dans des sacs purgés à l'azote pour éviter l'oxydation et la contamination pendant le transport.
9.Avantages de la plaquette de silicium de première qualité de 8 pouces
9.1 Qualité exceptionnelle
La classification de qualité supérieure garantit une planéité, une douceur de surface et une densité de défauts minimales inégalées.
9.2 Compatibilité avec les normes de l'industrie
Ces plaquettes sont conformes aux normes internationales telles que SEMI M1, garantissant leur compatibilité avec les processus de fabrication mondiaux.
9.3 Fabrication rentable
La taille de 8 pouces établit un équilibre entre prix abordable et volume de production, ce qui en fait une norme industrielle depuis de nombreuses années.
9.4 Polyvalence
La disponibilité des options SSP et DSP garantit que les plaquettes peuvent être adaptées à une grande variété d'applications.
10.Options de personnalisation
Pour répondre aux besoins spécifiques des clients, la plaquette de silicium Prime Grade de 8 pouces peut être personnalisée des manières suivantes :
- Plage de résistivité :Réglable pour s'adapter aux exigences de différents appareils et processus.
- Variations d'épaisseur :Des épaisseurs spéciales peuvent être fabriquées pour des applications uniques.
- Couche d'oxyde :Des couches d'oxyde thermique ou chimique peuvent être ajoutées selon les besoins.
11.Conclusion
La plaquette de silicium de qualité supérieure de 8 pouces représente le summum de la technologie des plaquettes de silicium, offrant une qualité, des performances et une polyvalence inégalées. Ses spécifications avancées et ses processus de fabrication robustes le rendent indispensable dans la production de dispositifs semi-conducteurs modernes. Que vous conceviez des processeurs de nouvelle génération, des dispositifs MEMS ou des produits photoniques de pointe, cette plaquette garantit la fiabilité et la précision nécessaires au succès.
En offrant à la fois des options SSP et DSP, ainsi que la flexibilité de personnaliser la résistivité et l'épaisseur, ces plaquettes sont prêtes à répondre aux demandes évolutives de l'industrie des semi-conducteurs. Leurs applications généralisées dans la fabrication et la recherche de haute technologie consolident leur statut de composant essentiel de la chaîne d’approvisionnement mondiale en électronique.