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En tant que substrat 2 pouces 3 pouces 4 pouces 5 pouces 6 pouces Un/S/Zn Type N/P DSP/SSP poli
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | Substrate d'arsenure d'indium (InAs) |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 25 |
|---|---|
| Prix: | undetermined |
| Détails d'emballage: | plastique mousseux + carton |
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000 pièces par semaine |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Arséniure d'indium (InAs) | Le bandgap: | 0.354 eV (intervalle de bande directe à 300 K) |
|---|---|---|---|
| Mobilité des électrons: | > 40 000 cm2/V·s (300 K), permettant l'utilisation de dispositifs électroniques à grande vitesse | Masse réelle: | Masse effective des électrons: ~ 0,023 m0 (masse des électrons libres) |
| Treillagez constant: | 6.058 Å, bien adapté à des matériaux tels que GaSb et InGaAs | Conductivité thermique: | ~ 0,27 W/cm·K à 300 K |
| Concentration intrinsèque du transporteur: | ~1,5 × 1016 cm-3 à 300 K | Indice de réfraction: | ~ 3,51 (à une longueur d'onde de 10 μm) |
| Mettre en évidence: | 5 pouces en tant que substrat,6 pouces en tant que substrat,4 pouces en tant que substrat |
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Description de produit
En tant que substrat 2 pouces 3 pouces 4 pouces 5 pouces 6 pouces Un/S/Zn Type N/P DSP/SSP
Abstrait de substrats d'arsenure d'indium (InAs)
Les substrats d'arsenure d'indium (InAs) sont essentiels dans le développement de technologies de semi-conducteurs avancées, grâce à leur combinaison unique de propriétés électriques et optiques.comme semi-conducteur composé III-V, InAs est particulièrement apprécié pour sa bande passante étroite de 0,36 eV à température ambiante, ce qui lui permet de fonctionner efficacement dans le spectre infrarouge.Cela fait de l'InAs un matériau idéal pour les photodétecteurs infrarouges, où une grande sensibilité au rayonnement infrarouge est requise.ce qui le rend essentiel pour les appareils électroniques à haute vitesse tels que les transistors et les circuits intégrés utilisés dans les systèmes de communication et les applications à haute fréquence.
En outre, InAs joue un rôle clé dans le domaine émergent des technologies quantiques.qui sont essentiels pour le développement des dispositifs quantiquesLa capacité d'intégrer InAs avec d'autres matériaux tels que InP et GaAs améliore encore sa polyvalence,conduisant à la création d'hétérostructures avancées pour les appareils optoélectroniques tels que les diodes laser et les diodes électroluminescentes.
Propriétés des substrats InAs
1- Une bande étroite.
InAs a une bande passante directe de 0,354 eV à température ambiante, ce qui le positionne comme un excellent matériau pour la détection infrarouge à longue longueur d'onde (LWIR).Sa bande passante étroite permet une grande sensibilité dans la détection de photons à basse énergie, essentielle pour les applications en imagerie thermique et en spectroscopie.
2Mobilité élevée des électrons
L'une des propriétés les plus remarquables de l'INA est sa mobilité électronique exceptionnelle, qui dépasse 40 000 cm2/V•s à température ambiante.Cette grande mobilité facilite le développement d'appareils électroniques à grande vitesse et à faible consommation, tels que les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) et les oscillateurs terahertz.
3Faible masse efficace
La faible masse effective d'électrons dans InAs conduit à une grande mobilité du porteur et à une dispersion réduite, ce qui le rend idéal pour les applications à haute fréquence et les études de transport quantique.
4Excellente correspondance avec la grille.
Les substrats InAs présentent une bonne correspondance de réseau avec d'autres matériaux III-V tels que l'antimonure de gallium (GaSb) et l'arsenure d'indium de gallium (InGaAs).Cette compatibilité permet la fabrication d'hétérostructures et de dispositifs à plusieurs jonctions, qui sont cruciales pour les applications optoélectroniques avancées.
5Une forte réponse infrarouge.
L'absorption et l'émission fortes de l'As dans le spectre infrarouge en font un matériau optimal pour les appareils photoniques tels que les lasers et les détecteurs qui fonctionnent dans les régions spectrales de 3 à 5 μm et de 8 à 12 μm.
| Les biens immobiliers | Définition |
|---|---|
| Le vide de bande | 0.354 eV (intervalle de bande directe à 300 K) |
| Mobilité des électrons | > 40 000 cm2/V·s (300 K), permettant l'utilisation de dispositifs électroniques à grande vitesse |
| Masse efficace | Masse effective des électrons: ~ 0,023 m0 (masse des électrons libres) |
| Constante de la grille | 6.058 Å, bien adapté à des matériaux tels que GaSb et InGaAs |
| Conductivité thermique | ~ 0,27 W/cm·K à 300 K |
| Concentration intrinsèque du transporteur | ~1,5 × 1016 cm-3 à 300 K |
| Indice de réfraction | ~ 3,51 (à une longueur d'onde de 10 μm) |
| Réaction infrarouge | Sensibles aux longueurs d'onde dans les gammes de 3 5 μm et 8 12 μm |
| Structure cristalline | Blé de zinc (cube face centrée) |
| Propriétés mécaniques | Fragile et nécessite une manipulation prudente pendant la transformation |
| Coefficient de dilatation thermique | ~4,6 × 10−6 /K à 300 K |
| Point de fusion | ~ 942 °C |
Fabrication de substrats à base d'INAs
1. Croissance cristalline
Les substrats InAs sont principalement produits à l'aide de techniques telles que la méthode Czochralski (CZ) et la méthode Vertical Gradient Freeze (VGF).Ces méthodes assurent des cristaux simples de haute qualité avec un minimum de défauts.
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Méthode de Czochralski: Dans ce processus, un cristal de graine est plongé dans un mélange fondu d'indium et d'arsenic.
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Le gel du gradient vertical: Cette technique consiste à solidifier le matériau fondu dans un gradient thermique contrôlé, ce qui donne une structure cristalline uniforme avec moins de dislocations.
2. Traitement des plaquettes
Une fois que le cristal est cultivé, il est coupé en plaquettes de l'épaisseur souhaitée à l'aide d'outils de découpe de précision.essentiels à la fabrication du dispositifLe polissage chimique-mécanique (CMP) est souvent utilisé pour éliminer les imperfections de surface et améliorer la planéité.
3. Contrôle de la qualité
Des techniques de caractérisation avancées, y compris la diffraction par rayons X (XRD), la microscopie de force atomique (AFM) et les mesures de l'effet Hall, sont utilisées pour assurer la structure, l'efficacité électrique, la résistance à la corrosion et la résistance à la corrosion.et qualité optique des substrats.
Applications des substrats à base d'INA
1Détecteurs infrarouges.
Les substrats InAs sont largement utilisés dans les photodétecteurs infrarouges, notamment pour l'imagerie thermique et la surveillance de l'environnement.Leur capacité à détecter la lumière infrarouge à longue longueur d'onde les rend indispensables pour les applications de défense, l'astronomie et l'inspection industrielle.
2Les dispositifs quantiques
InAs est un matériau préféré pour les dispositifs quantiques en raison de sa faible masse effective et de sa grande mobilité électronique.et circuits photoniques avancés.
3Électronique à grande vitesse
La haute mobilité électronique des InAs permet le développement de transistors à grande vitesse, y compris les HEMT et les transistors bipolaires hétérojoints (HBT).Ces appareils sont essentiels pour les applications de communication sans fil, systèmes de radar et amplificateurs haute fréquence.
4Optoélectronique
Les substrats inAs sont utilisés dans la fabrication de lasers infrarouges et de diodes électroluminescentes (LED).
5Les technologies Terahertz
Les propriétés de l'As® le rendent approprié pour les sources et détecteurs de rayonnement terahertz.
Questions et réponses
Q:Quels sont les avantages des substrats InAs?
A: Je suis désolé.1Haute sensibilité: Les appareils basés sur InAs présentent une excellente sensibilité à la lumière infrarouge, ce qui les rend idéaux pour les conditions de faible luminosité.
2.Versatilité: les substrats InAs peuvent être intégrés à divers matériaux III-V, ce qui permet la conception de dispositifs polyvalents et performants.
3Évolutivité: les progrès réalisés dans les techniques de croissance des cristaux ont permis de produire des plaquettes InAs de grand diamètre, répondant aux exigences de la fabrication moderne de semi-conducteurs.
certains produits similaires aux substrats d'arsenure d'indium (InAs)
1. Substrats à base d'arsenure de gallium (GaAs)
- Propriétés clés: bande passante directe (1,42 eV), mobilité électronique élevée (~ 8,500 cm2/V·s) et excellente conductivité thermique (~ 0,55 W/cm·K).
- Applications: largement utilisé dans l'électronique à haute fréquence, les cellules solaires et l'optoélectronique, telles que les LED et les diodes laser.
- Les avantages: Des procédés de fabrication bien établis, ce qui le rend rentable pour de nombreuses applications.
2Substrats à base de phosphure d'indium (InP)
- Propriétés clés: bande passante directe (1,34 eV), mobilité électronique élevée (~ 5,400 cm2/V·s), et excellente correspondance de réseau avec les InGaAs.
- Applications: essentiel pour les appareils photoniques à grande vitesse, les systèmes de communication optique et les lasers en cascade quantique.
- Les avantages: Haute conductivité thermique et adaptation aux applications à haute puissance.
# En tant que substrat #Substrate à semi-conducteurs