substrat de saphir

• Optoélectronique élevée de diodes de la dureté 4Inch Sapphire Wafer For Leds Laser
• Substrat 8inch Dia200mm du C-avion Al2O3 99,999% Sapphire Single Crystal Wafer Carrier
• épaisseur de gaufrettes de saphir de 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp pour la caméra
• 4Inch a adapté un axe aux besoins du client Sapphire Wafers For Epitaxial Growth 430um SSP DSP

Saphir Windows optique

• Place ronde de fan de cercle d'Al2O3 Crystal Sapphire Windows Glass Lens Substrates
• Sapphire Windows Glass Substrates Al 2O3 Crystal Circle Round Fan Square 200x200mm
• lentille protectrice de laboratoire de 10x10/7x7mm d'équipement de saphir de laser à verre de caméra scientifique de coupe
• Crystal Silicon Windows Wafer Substrate simple adapté aux besoins du client Demo Monocrystalline Silicon Lens

Gaufrette de carbure de silicium

• 5×5 mm 10×10 mm Wafer SiC de type 4H-P 6H-P 3C-N de qualité de production de qualité de recherche de qualité de mannequin
• 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H P Type 6H P Type 3C N Type SiC Wafer Carbure de silicium Wafer semi-conducteur
• Wafer SiC 4H de type N de qualité carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces DSP sur mesure
• Substrats composites semi-isolants au SiC Epi prêts 6 pouces 150 mm pour appareils optoélectroniques

Sapphire Tube

• Place ronde Sapphire Tubes de fan de cercle/cristal en verre des substrats Al2O3 lentille de Rods
• Diamètre à hautes températures KY Sapphire Rods de Sapphire Tube 50.4mm de résistance grand
• Composants extérieurs de roulement polis par composants de saphir de résistance à la corrosion
• Tube de quartz d'instrument de Sapphire Tube Rods Protective Insulating de contrôle de flux

Substrat de semi-conducteur

• GaP Wafer 2 pouces N Type Non dopé S Dopé 100 DSP SSP CZ Haute pureté 5N 99,999%
• Si Wafer 4 pouces Polissé CZ Dopant Arsenic ((As) Boron ((B)) Phosphore ((Ph)) (100) Semiconducteur
• Tuyaux de quartz optiques fusionnés SiO2 verre cristallin personnalisé Transparent Les deux extrémités ouvertes Une extrémité fermée
• Substrate GaN-sur-Si Epitaxy Si 110 111 110 de 8 pouces pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF

Gem Stone synthétique

• Olivier vert saphir pierre précieuse brute synthétique 99,999% Al2O3 dureté Mohs 9.0
• Champagne Moissanite 9,25 Dureté de Mohs Pierre précieuse colorée créée en laboratoire Pierres brutes de moissanite
• Moissanite pierre précieuse brute bleue royale synthétique SiC monocristallin Dureté de Mohs 9,25 Matières premières pour bijoux
• Royal Blue Moissanite Carbure de silicium monocristallin brut dans l'industrie de la joaillerie créé en laboratoire

équipement de laboratoire scientifique

• Systèmes de croissance des cristaux de TSSG et LPE pour la production de carbure de silicium
• Puce modulateur d' intensité MIOC, puce modulateur de phase
• Modulateur de phase au niobate de lithium multibande de 40 GHz
• Forneau de croissance de cristaux de saphir méthode KY Kyropoulos 90-400 kg Pour la fabrication de saphir