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Wafer en silicium d'épaisseur de 4 pouces 500+/-20 Résistivité 1-10 ohm·cm Orientation100 polissage à double face
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | GAUFRETTE DE SI |
Conditions de paiement et expédition:
| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Méthode de culture: | FZ | orientation: | Le nombre d'étoiles |
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| Détournement d'orientation: | 4±0,5 degrés à la plus proche <110> | Type/dopant: | P/Boron |
| Résistance: | 10 à 20 W.cm | RRV: | Le produit doit être soumis à un contrôle de qualité et à un contrôle de qualité. |
| TTV: | ≤ 5 μm | arc: | ≤ 40 μm |
| chaîne: | ≤ 40 μm | ||
| Surligner: | Orientation100 Wafer au silicium,500+/-20 résistivité Wafer de silicium,4 pouces d'épaisseur de gaufre en silicium |
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Description de produit
Wafer en silicium d'épaisseur de 4 pouces 500+/-20 Résistivité 1-10 ohm·cm Orientation100 polissage à double face
Résumé du produit
Notre substrat de silicium ultra-pur est méticuleusement conçu pour servir de base à des dispositifs semi-conducteurs de haute performance.Fabriqué avec une technologie de silicium monocristallin à zone flottante avancée, ce substrat offre une pureté et une uniformité exceptionnelles, assurant des propriétés électroniques supérieures.notre substrat permet la fabrication de dispositifs semi-conducteurs de pointe avec une fiabilité et des performances amélioréesQu'il soit utilisé dans les circuits intégrés, l'électronique de puissance ou les applications photovoltaïques, notre substrat en silicium permet l'innovation dans divers secteurs,les progrès technologiques et d'ingénierie.
Vitrine de produits
Propriétés du produit
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Silicium ultra-pur: Notre substrat est composé de silicium monocristallin à zone flottante, assurant des niveaux de pureté exceptionnels cruciaux pour les appareils semi-conducteurs haute performance.
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Structure cristalline uniforme: le substrat possède une structure cristalline uniforme, exempte de défauts ou d'irrégularités, assurant des propriétés électriques cohérentes sur toute la surface.
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Faibles niveaux d'impureté: grâce à un contrôle minutieux des concentrations d'impureté, notre substrat présente de faibles niveaux de dopants et de contaminants,minimiser les effets électroniques indésirables et assurer la fiabilité du dispositif.
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Haute stabilité thermique: le substrat présente une grande stabilité thermique, ce qui permet un fonctionnement fiable dans une large gamme de températures sans compromettre les performances ou l'intégrité.
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Contrôle dimensionnel précis: chaque substrat est fabriqué avec un contrôle dimensionnel précis, assurant une épaisseur et une planéité constantes pour faciliter des processus de fabrication de dispositifs précis.
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Excellente qualité de surface: notre substrat présente une finition de surface lisse et sans défaut, essentielle pour le dépôt de films minces et la formation d'interfaces de dispositifs de haute qualité.
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Spécifications personnalisables: Nous offrons une gamme de spécifications personnalisables, y compris la concentration de dopage, la résistivité et l'orientation,pour répondre aux exigences spécifiques de diverses applications de semi-conducteurs.
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Compatibilité avec les procédés semi-conducteurs: le substrat est compatible avec diverses techniques de traitement des semi-conducteurs, y compris l'épitaxie, la lithographie et la gravure,permettant une intégration transparente dans les flux de travail de fabrication existants.
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Performance électrique: Notre substrat présente d'excellentes propriétés électriques, y compris une grande mobilité des supports, de faibles courants de fuite et une conductivité électrique uniforme,essentiels à l'optimisation des performances et de l'efficacité du dispositif.
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Fiabilité et longévité: conçu pour une fiabilité à long terme,notre substrat est soumis à des mesures rigoureuses de contrôle de la qualité pour assurer des performances et une durabilité constantes tout au long de sa durée de vie opérationnelle.
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Spécification du silicium monocristallin FZ
Le type Type de conduction Les orientations Diamètre (mm) Conductivité ((Ω•cm) Résistance élevée N & P Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel. 76.2 à 200 > 1000 NT1 dérivé N Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel. 76.2 à 200 30 à 800 CFZ N & P Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel. 76.2 à 200 1 à 50 GD N & P Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel. 76.2 à 200 0.001-300 Spécification des plaquettes
Paramètre du lingot Nom de l'article Définition Méthode de culture FZ Les orientations Le nombre d'étoiles Détournement d'orientation 4±0,5 degrés à la plus proche <110> Type/Dopant P/Boron Résistance 10 à 20 W.cm RRV Le produit doit être soumis à un contrôle de qualité et à un contrôle de qualité. Paramètre de la gaufre Nom de l'article Définition Diamètre 150 ± 0,5 mm Épaisseur 675 ± 15 μm Longueur plate primaire 57.5±2,5 mm L'orientation principale est plate Le degré d'élasticité Longueur plate secondaire Aucune Orientation à plat secondaire Aucune TTV ≤ 5 μm Faites une fleur. ≤ 40 μm La distorsion. ≤ 40 μm Profil de bord Norme SEMI Surface avant Polissage chimique mécanique LPD ≥ 0,3 μm@≤ 15 pièces Surface arrière Gravées à l'acide Les puces de bord Aucune Le paquet Emballage sous vide; plastique intérieur, aluminium extérieur -
Applications du produit
Circuits intégrés (CI): Notre substrat de silicium ultra-pur de précision sert de bloc de construction fondamental pour la fabrication de circuits intégrés utilisés dans une large gamme de dispositifs électroniques,y compris les smartphones, des ordinateurs et de l'électronique automobile.
électronique de puissance: le substrat est utilisé dans les dispositifs de semi-conducteurs de puissance tels que les diodes, les transistors et les thyristors,permettant une conversion et un contrôle efficaces de l'énergie dans des applications telles que les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et l'automatisation industrielle.
Photovoltaïque (PV): Notre substrat joue un rôle crucial dans la fabrication de cellules solaires à haut rendement,fournissant une base stable et uniforme pour le dépôt de couches de semi-conducteurs et de contacts métalliques, ce qui améliore l'efficacité de conversion de l'énergie solaire.
Diodes électroluminescentes (LED): dans la fabrication de LED, notre substrat sert de plateforme pour la croissance épitaxielle des couches de semi-conducteurs,assurer l'uniformité et la fiabilité des performances des LED pour des applications telles que l'éclairage, les écrans et l'éclairage automobile.
Systèmes microélectromécaniques (MEMS): notre substrat facilite la fabrication de dispositifs MEMS, y compris des accéléromètres, des gyroscopes et des capteurs de pression,permettant une détection et un contrôle précis dans l'électronique grand public, les systèmes automobiles et les dispositifs médicaux.
Dispositifs de radiofréquence (RF): le substrat est utilisé dans la production de dispositifs RF tels que les amplificateurs RF, les oscillateurs et les filtres, prenant en charge les systèmes de communication sans fil, la communication par satellite,et des systèmes radar avec fonctionnement et fiabilité à haute fréquence.
Dispositifs optoélectroniques: notre substrat permet le développement de dispositifs optoélectroniques tels que photodétecteurs, modulateurs optiques et diodes laser,contribuant aux applications dans le domaine des télécommunications, communication de données et détection optique.
Sensors biomédicaux: dans le génie biomédical, notre substrat est utilisé pour la fabrication de biosensors et de dispositifs bioélectroniques pour des applications telles que le diagnostic médical,Systèmes de distribution de drogues, et les dispositifs médicaux implantables.
Aérospatiale et défense: le substrat est utilisé dans les applications aérospatiales et de défense, y compris les systèmes radar, les satellites de communication et les systèmes de guidage de missiles, où la fiabilité, la stabilité,et les performances sont essentielles dans les environnements difficiles.
Technologies émergentes: Notre substrat prend en charge les progrès dans les technologies émergentes telles que l'informatique quantique, l'informatique neuromorphe et les capteurs avancés, ce qui stimule l'innovation en informatique,intelligence artificielle, et les applications de détection.