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le côté de 4inch 101.6mm Sapphire Wafer Substrate Carrier Single a poli Crystal Al simple 2O3
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Certification: | ROHS |
| Numéro de modèle: | 4INCH*0.5mmt |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 25pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | dans la boîte de gaufrette de la cassette 25pcs sous la pièce de nettoyage 100grade |
| Délai de livraison: | 1 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000pcs par mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | monocristal Al2O3 99,999% de saphir | orientation: | C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS |
|---|---|---|---|
| Surface: | SSP DSP ou meulage | Épaisseur: | 0.17mm, 0.5mm ou autre |
| Application: | verre mené ou optique | Méthode de croissance: | LES KY |
| Taille: | 4inch DIA100mm | Paquet: | 25/Cassette |
| Surligner: | 4inch Sapphire Wafer Substrate Carrier,Crystal Al simple 2O3 Sapphire Substrate,Transporteur poli latéral simple de substrat |
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Description de produit
le côté de 4inch 101.6mm Sapphire Wafer Substrate Carrier Single a poli Crystal Al simple 2O3
Cristal de saphir environ synthétique
Le saphir est un monocristal d'alumine et est le matériel deuxième-le plus dur en nature, après diamant. Le saphir a la bonne transmittance légère, de haute résistance, résistance de collision, la résistance à l'usure, résistance à la corrosion, et la résistance à hautes températures et à haute pression, biocompatibility est un matériel idéal de substrat pour la production des dispositifs optoélectroniques de semi-conducteur, les propriétés électriques du saphir la faire devenir le matériel de substrat pour la production de la LED blanche et bleue.
Épaisseur à long terme ≧0.1mm de la production de notre société, et sa gaufrette de saphir haute précision de la taille ≧Φ2 de forme de ». En plus du Φ2 conventionnel « , Φ4 », Φ6 « , Φ8 », Φ10 « , Φ12 » et d'autres tailles peuvent être adaptés aux besoins du client, contactent svp notre personnel de vente.
Le saphir (substrat de ₃ de ₂ d'Al O) est un genre de matériel pour des puces de LED. En raison de son de forte stabilité, ₃ de saphir convient à la croissance à hautes températures. En conclusion, le saphir est mécaniquement fort et facile à manipuler et nettoyer. Par conséquent, le saphir est généralement employé comme substrat pour la plupart des processus.
Sapphire Properties
| Physique | |
| Formule chimique | Al2O3 |
| Densité | 3,97 g/cm3 |
| Dureté | 9 Mohs |
| Point de fusion | OC 2050 |
| La température maximale d'utilisation | 1800-1900oC |
| Mécanique | |
| Résistance à la traction | 250-400 MPA |
| Résistance à la pression | MPA 2000 |
| Le coefficient de Poisson | 0.25-0.30 |
| Module de Young | 350-400 GPa |
| Résistance à la flexion | 450-860 MPA |
| Module d'enchantement | 350-690 MPA |
| Courant ascendant | |
| Taux linéaire d'expansion (à 293-323 K) | 5.0*10-6K-1 (⊥ C) |
| 6.6*10-6K-1 (∥ C) | |
| Conduction thermique (à 298 K) | 30,3 avec (m*K) (⊥ C) |
| 32,5 avec (m*K) (∥ C) | |
| La chaleur spécifique (à 298 K) | 0,10 cal*g-1 |
| Élém. élect. | |
| Résistivité (à 298 K) | 5.0*1018 Ω*cm (⊥ C) |
| 1.3-2.9*1019 Ω*cm (∥ C) | |
| Constante diélectrique (à 298 K, dans l'intervalle de 103 - 109 hertz) | 9,3 (⊥ C) |
| 11,5 (∥ C) | |
Le saphir synthétique est un monocristal transparent 99,99% Al2O3 purs qui montre une combinaison unique des propriétés physiques, chimiques, électriques et optiques : conduction thermique élevée, de haute résistance, résistance d'éraflure, dureté (9 sur l'échelle de Mohs), transparente dans un large éventail de longueur d'onde, inertie chimique.
La perfection en cristal élevée, la basse réactivité, et la taille appropriée de cellules d'unité font à saphir un excellent substrat dans l'industrie de semi-conducteur pour les diodes électroluminescentes bleues (LED).
Depuis le Prix Nobel dans la physique Shuji Nakamura a employé le substrat de saphir pendant les années 1990 pour la LED, la demande pour le cristal de saphir s'était développé rapidement.
Il conduit le développement des marchés comme l'éclairage général, l'éclairage de postérieur dans des téléviseurs, les affichages, les appareils du consommateur, l'espace et la défense, et d'autres applications
Caractéristiques de transporteur de substrat de gaufrette du saphir 4inch
| Spéc. | 2 pouces | 4 pouces | 6 pouces | 8inch |
| Diamètre | ± 50,8 0,1 millimètres | ± 100 0,1 millimètres | ± 150 0,1 millimètres | ± 200 0,1 millimètres |
| Épais | 430 ± 25 um | 650 ± 25 um | ± 1300 25 um | ± 1300 25 um |
| Ra | ≤ de Ra 0,3 nanomètres | ≤ 0.3nm de Ra | ≤ 0.3nm de Ra | ≤ de Ra 0,3 nanomètres |
| TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um |
| Tolérance | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um |
| Surface de qualité | 20/10 | 20/10 | 20/10 | 20/10 |
| État extérieur | Meulage de DSP SSP | |||
| Forme | Cercle avec l'entaille ou la planéité | |||
| Chanfrein | 45°, forme de C | |||
| Matériel | Al2O3 99,999% | |||
| N/O | Gaufrette de saphir | |||
Le matériel est développé et orienté, et des substrats sont fabriqués et polis sur une surface Epi-prête sans dommage extrêmement douce un ou des deux côtés de la gaufrette. Un grand choix d'orientations de gaufrette et de tailles jusqu'à 6" de diamètre sont disponibles.
Des substrats de saphir d'Un-avion - sont habituellement employés pour des applications microélectroniques hybrides exigeant une constante diélectrique uniforme et isolant fortement des caractéristiques.
Des substrats de C-avion - tendez à être employé pour le tout-v et des composés de ll-Vl, tels que GaN, pour la LED lumineuse et les diodes lasers bleues et vertes.
Substrats de R-avion - ceux-ci sont préférés pour le dépôt hétéro-épitaxial du silicium utilisé dans des applications microélectroniques d'IC.
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Gaufrette standard gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 2 pouces
gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 3 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 4 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 6 pouces |
Coupe spéciale
1120) gaufrettes de saphir d'Un-avion ( 1102) gaufrettes de saphir de R-avion ( 1010) gaufrettes de saphir de M-avion ( 1123) gaufrettes de saphir de N-avion ( C-axe avec une chute de 0.5°~ 4°, vers l'Un-axe ou le M-axe L'autre orientation adaptée aux besoins du client |
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Taille adaptée aux besoins du client
gaufrette de saphir de 10*10mm gaufrette de saphir de 20*20mm Gaufrette ultra mince du saphir (100um) gaufrette de saphir de 8 pouces |
Sapphire Substrate modelée (PSS)
C-avion PSS de 2 pouces C-avion PSS de 4 pouces |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt C-axe 0.2/0.43mm de SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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| 3inch |
C-axe 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
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| 4Inch |
dsp c-axe 0.4mm/0.5mm/1.0mm c-axe 0.5mm/0.65mm/1.0mmt de ssp
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| 6inch |
c-axe 1.0mm/1.3mmm de ssp
c-axe 0.65mm/0.8mm/1.0mmt de dsp
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détails de saphir de gaufrette du saphir 4inch de 101.6mm
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