SiC Substrate Substrate de carbure de silicium 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10 mm P de qualité R de qualité D de qualité

4H/6H-P SiC Substrate 5 × 5 10 × 10 mm de résumé

Le substrat de carbure de silicium (SiC) 4H/6H-P, avec des dimensions de 5 × 5 mm et 10 × 10 mm, représente une avancée majeure dans les matériaux semi-conducteurs,en particulier pour les applications à haute puissance et à haute températureLe SiC, un semi-conducteur à large bande, présente une conductivité thermique exceptionnelle, une résistance élevée au champ électrique de décomposition et des propriétés mécaniques robustes.ce qui en fait un choix privilégié pour les appareils électroniques de puissance et optoélectroniques de nouvelle générationCette étude explore les techniques de fabrication utilisées pour obtenir des substrats SiC 4H/6H-P de haute qualité, en s'attaquant à des défis communs tels que la minimisation des défauts et l'uniformité des plaquettes.le document met en évidence les applications du substrat dans les appareils électriquesLa technologie de l'électronique de pointe est également utilisée pour la fabrication de dispositifs de radiofréquence et d'autres applications à haute fréquence, soulignant son potentiel de révolutionner l'industrie des semi-conducteurs.Les résultats suggèrent que ces substrats de SiC joueront un rôle crucial dans le développement de dispositifs électroniques plus efficaces et fiables, permettant des percées dans les performances et l'efficacité énergétique.

4H/6H-P SiC Substrate 5×5 Propriétés du 10×10 mm

le substrat 4H/6H-P SiC (carbure de silicium), en particulier dans les dimensions de 5 × 5 mm et 10 × 10 mm,présente plusieurs propriétés remarquables qui en font un choix privilégié dans les applications de semi-conducteurs haute performance:

1. Large bande passante:L'écart de bande large du SiC (environ 3,26 eV pour 4H et 3,02 eV pour 6H) permet un fonctionnement à haute température et à haute tension, ce qui est bénéfique pour l'électronique de puissance.

2. Conductivité thermique élevée:Le SiC a une excellente conductivité thermique, d'environ 3,7 W/cm·K, ce qui contribue à une dissipation de chaleur efficace, ce qui le rend approprié pour les appareils à haute puissance.

3. Champ électrique à haute décomposition:Le SiC peut résister à des champs électriques élevés (jusqu'à 3 MV/cm), ce qui le rend idéal pour les appareils électriques nécessitant des capacités de traitement à haute tension.

4. Résistance mécanique:Le SiC est connu pour sa robustesse mécanique, offrant une résistance élevée à l'usure, ce qui est essentiel pour les appareils fonctionnant dans des conditions extrêmes.

5. Stabilité chimique:Le SiC est chimiquement stable, résistant à l'oxydation et à la corrosion, ce qui le rend adapté à des environnements difficiles, y compris les applications aérospatiales et automobiles.

Ces propriétés permettent d'utiliser des substrats SiC 4H/6H-P dans un large éventail d'applications, notamment des transistors à haute puissance, des appareils RF et de l'optoélectronique,où les performances et la fiabilité sont cruciales.

4H/6H-P SiC Substrate 5×5 image de 10×10 mm

4H/6H-P SiC Substrate 5×5 10×10 mm pour les applications suivantes

Le substrat 4H/6H-P SiC (carbure de silicium), en particulier dans les tailles de 5 × 5 mm et 10 × 10 mm, est utilisé dans diverses applications performantes et exigeantes dans de multiples industries:

1. électronique de puissance:Les substrats de SiC sont largement utilisés dans les appareils électriques tels que les MOSFET, les IGBT et les diodes Schottky, qui sont essentiels dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les réseaux électriques.L'écart de bande large et la tension de rupture élevée du SiC permettent une conversion et un fonctionnement efficaces de l'énergie à haute tension et à haute température.

2. Appareils RF et micro-ondes:Le SiC est un excellent matériau pour les appareils RF et micro-ondes utilisés dans les télécommunications, les systèmes radar et les communications par satellite.Sa capacité à fonctionner à des fréquences et des températures élevées avec une faible perte de signal le rend approprié pour les amplificateurs et les commutateurs de haute puissance.

3. Optoélectronique:Les substrats de SiC sont utilisés dans les LED et les diodes laser, en particulier dans les gammes de longueurs d'onde UV et bleues.et la surveillance environnementale.

4. Aérospatiale et automobile:En raison de sa stabilité thermique et de sa résistance aux environnements difficiles, le SiC est utilisé dans les capteurs aérospatiaux et automobiles, les actionneurs et les modules de puissance, où la fiabilité dans des conditions extrêmes est cruciale.

Ces applications soulignent l'importance des substrats 4H/6H-P SiC dans les technologies avancées qui nécessitent une efficacité, une durabilité et un fonctionnement performant.

Questions et réponses

C'est quoi 4H dans 4H-SiC?

Le 4H-SiC et le 6H-SiC représententstructures cristallines hexagonales, avec "H" indiquant la symétrie hexagonale et les chiffres 4 et 6 les couches dans leurs cellules unitaires.qui est un déterminant clé des performances d'un dispositif à semi-conducteurs.