Silicium sur une plaque SOI isolante 6", 2,5 "m (dopé au P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (type P /dopé au bore)

Wafer SOI au silicium sur isolant 6", 2,5 "m (dopé au P) + 1,0 SiO2 + 625um Si (type P/dopé au bore)

Résumé de la gaufre en silicium sur isolant (SOI)

Cette plaque en silicium sur isolant (SOI) est un substrat semi-conducteur spécialisé conçu pour des applications de systèmes électroniques et microélectromécaniques avancés (MEMS).La gaufre est caractérisée par une structure multicouche qui améliore les performances du dispositif, réduit la capacité parasitaire et améliore l'isolation thermique, ce qui en fait un choix idéal pour un large éventail d'applications de haute performance et de haute précision.

Propriétés du produit des plaquettes en silicium sur isolant (SOI)

Spécifications des plaquettes:

• Diamètre de la gaufre: 150 mm
  • Le diamètre de 6 pouces fournit une grande surface pour la fabrication de dispositifs, améliorant l'efficacité de la fabrication et réduisant les coûts de production.

Couche d'appareil:

• Épaisseur: 2,5 micromètres
  • La couche mince des dispositifs permet un contrôle précis des propriétés électroniques, essentiel pour les applications à haute vitesse et haute performance.
• Le dopage: de type P (dopé au phosphore)
  • Le dopage au phosphore améliore la conductivité électrique de la couche du dispositif, ce qui le rend approprié pour divers dispositifs semi-conducteurs de type p.

Couche d'oxyde enfoui (BOX):

• Épaisseur: 1,0 micromètre
  • La couche de SiO2 d'une épaisseur de 1,0 μm fournit une excellente isolation électrique entre la couche de l'appareil et la gaufre de la poignée, réduisant la capacité parasitaire et améliorant l'intégrité du signal.

Griffe de la galette:

• Épaisseur: 625 micromètres
  • L'épaisse poignée assure la stabilité mécanique pendant la fabrication et l'exploitation, empêchant la déformation ou la rupture.
• Le type: de type P (dopé au bore)
  • Le dopage au bore améliore la résistance mécanique et la conductivité thermique de la gaufre à poignée, aidant à la dissipation de la chaleur et améliorant la fiabilité globale du dispositif.

Principales propriétés du produit:

1. Couche de dispositif de haute qualité:

   • Mobilité des transporteurs: La mobilité élevée du porteur dans la couche dopée de phosphore assure une réponse électronique rapide et un fonctionnement à grande vitesse.
   • Faible densité de défauts: Le procédé de fabrication de haute qualité assure un minimum de défauts, ce qui conduit à de meilleures performances et à des rendements plus élevés.

2. Isolement électrique efficace:

   • Faible capacité parasitaire: La couche BOX isole efficacement la couche de l'appareil du substrat, réduisant la capacité parasitaire et le bruit croisé, essentiels pour les applications à haute fréquence et à faible puissance.
   • Intégrité du signal: L'isolation électrique améliorée aide à maintenir l'intégrité du signal, ce qui est essentiel pour les circuits analogiques et numériques de haute précision.

3. Gestion thermique:

   • Conductivité thermique: La gaufre à poignée dopée au bore offre une bonne conductivité thermique, ce qui contribue à la dissipation de la chaleur générée pendant le fonctionnement de l'appareil, empêchant ainsi la surchauffe et assurant une performance stable.
   • Résistance à la chaleur: La structure et les matériaux de la gaufre lui permettent de résister à des températures élevées pendant le traitement et le fonctionnement.

4. Stabilité mécanique:

   • Résilience: L'épaisse poignée fournit un support mécanique, assurant la stabilité de la gaufre pendant le processus de fabrication et sous les contraintes de fonctionnement.
   • Durabilité: La stabilité mécanique de la gaufre à poignée aide à prévenir les dommages, réduisant le risque de rupture de la gaufre et améliorant la longévité globale de l'appareil.

5. Versatilité dans les applications:

   • L'informatique haute performance: Convient pour les processeurs et autres circuits logiques numériques à grande vitesse, grâce à sa grande mobilité de support et sa faible capacité parasitaire.
   • Communication 5G: idéal pour les composants RF et le traitement des signaux haute fréquence, bénéficiant d'excellentes propriétés d'isolation électrique et de gestion thermique.
   • Appareils MEMS: Parfait pour la fabrication de MEMS, offrant la stabilité mécanique et la précision nécessaires pour les structures microfabricées.
   • Circuits analogiques et à signal mixte: Le faible bruit et le bruit croisé réduit le rendent adapté aux circuits analogiques de haute précision.
   • Électronique de puissance: Ses propriétés thermiques et mécaniques robustes le rendent adapté aux applications de gestion de l'énergie nécessitant une efficacité et une fiabilité élevées.

Conclusion

Cette gaufre en silicium sur isolant (SOI) offre une combinaison unique de matériaux de haute qualité et de techniques de fabrication avancées, ce qui donne un substrat qui excelle dans les performances électriques,gestion thermiqueCes propriétés en font un choix idéal pour un large éventail d'applications électroniques et MEMS hautes performances,en faveur du développement de dispositifs semi-conducteurs de nouvelle génération.

Wafer au silicium sur isolant (SOI) Photos du produit

Questions et réponses

Quelles sont les plaquettes SOI (plaquettes au silicium sur isolant)?

Les plaquettes en silicium sur isolant (SOI) sont un type de substrat semi-conducteur composé de plusieurs couches, y compris une couche mince de dispositif en silicium, une couche d'oxyde isolant,et une plaquette de poignée en silicium de supportCette structure améliore les performances des dispositifs semi-conducteurs en fournissant une meilleure isolation électrique, en réduisant la capacité parasitaire et en améliorant la gestion thermique.