Vue d'ensemble du produit

LeWafer en carbure de silicium (SiC) de 6 poucesest un substrat semi-conducteur de nouvelle génération conçu pour des applications électroniques à haute puissance, haute température et haute fréquence.et stabilité chimique, les plaquettes SiC permettent la fabrication de dispositifs de puissance avancés offrant une plus grande efficacité, une plus grande fiabilité et des empreintes plus petites que les technologies traditionnelles à base de silicium.

La large bande passante (~ 3,26 eV) du SiC permet aux appareils électroniques de fonctionner à des tensions supérieures à 1 200 V, à des températures supérieures à 200 °C et à des fréquences de commutation plusieurs fois supérieures à celles du silicium.Le format de 6 pouces offre une combinaison équilibrée d'évolutivité de fabrication et de rentabilité, ce qui en fait la taille dominante pour la production industrielle en série de MOSFET SiC, de diodes Schottky et de plaquettes épitaxielles.

Principe de fabrication

La galette SiC de 6 pouces est cultivée en utilisant le transport physique de vapeur (PVT) ou la technologie de croissance par sublimation.000°C et recristallé sur un cristal de graine sous des gradients thermiques contrôlés avec précisionLa boule de SiC monocristalline résultante est ensuite tranchée, lappée, polie et nettoyée pour obtenir une planéité et une qualité de surface de type gaufre.

Pour la fabrication de dispositifs, des couches épitaxiennes sont déposées sur la surface de la gaufre viaDépôt de vapeur chimique (CVD), ce qui permet un contrôle précis de la concentration de dopage et de l'épaisseur de la couche, ce qui assure des performances électriques uniformes et des défauts de cristal minimaux sur toute la surface de la plaque.

Principales caractéristiques et avantages

• L'écart de large bande (3,26 eV):Permet un fonctionnement à haute tension et une efficacité énergétique supérieure.

• Conductivité thermique élevée (4,9 W/cm·K):Assure une dissipation de chaleur efficace pour les appareils à haute puissance.

• Champ électrique à haute décomposition (3 MV/cm):Permet des structures de dispositifs plus minces avec un courant de fuite inférieur.

• Vitesse de saturation électronique élevée:Prend en charge la commutation à haute fréquence et des temps de réponse plus rapides.

• Excellente résistance aux produits chimiques et aux radiations:Idéal pour les environnements difficiles tels que les systèmes aérospatiaux et énergétiques.

• Plus grand diamètre (6 pouces):Améliore le rendement des plaquettes et réduit le coût par appareil dans la production de masse.

Applications

• SiC dans les lunettes AR:
  Les matériaux SiC améliorent l'efficacité énergétique, réduisent la production de chaleur et permettent des systèmes AR plus minces et plus légers grâce à une conductivité thermique élevée et à de larges propriétés de bande passante.

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• SiC dans les MOSFET:
  Les MOSFET SiC offrent une commutation rapide, une tension de rupture élevée et une faible perte, ce qui les rend idéaux pour les pilote de microdisplay et les circuits d'alimentation de projection laser.

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• SiC dans les SBD:
  Les diodes de barrière SiC Schottky offrent une rectification ultra-rapide et une faible perte de récupération inverse, améliorant l'efficacité de la charge et du convertisseur CC/DC dans les verres AR.

Spécifications techniques (personnalisable)

Pourquoi choisir nos plaquettes SiC

• Résultats élevés et faible densité de défauts:Le processus de croissance avancé des cristaux assure un minimum de micropipes et de dislocations.

• Capacité d'épitaxie stable:Compatible avec plusieurs procédés de fabrication d'appareils et d'épitaxies.

• Spécifications personnalisables:Disponible dans différentes orientations, niveaux de dopage et épaisseurs.

• Contrôle de qualité strict:Inspection complète par cartographie XRD, AFM et PL pour garantir l'uniformité.

• Soutien à la chaîne d'approvisionnement mondiale:Capacité de production fiable pour les commandes de prototype et de volume.

Questions fréquentes

Q1: Quelle est la différence entre les plaquettes 4H-SiC et 6H-SiC?
A1: le 4H-SiC offre une plus grande mobilité électronique et est préférable pour les appareils à haute puissance et à haute fréquence, tandis que le 6H-SiC convient aux applications nécessitant une tension de rupture plus élevée et un coût inférieur.

Q2: La gaufre peut-elle être fournie avec une couche épitaxielle?
R2: Oui, les plaquettes SiC épitaxiales (épi-plaquettes) sont disponibles avec une épaisseur personnalisée, un type de dopage et une uniformité en fonction des exigences du dispositif.

Q3: Comment le SiC se compare-t-il aux matériaux GaN et Si?
A3: Le SiC supporte des tensions et des températures plus élevées que le GaN ou le Si, ce qui le rend idéal pour les systèmes à haute puissance.

Q4: Quelles orientations de surface sont couramment utilisées?
A4: Les orientations les plus courantes sont (0001) pour les dispositifs verticaux et (11-20) ou (1-100) pour les structures de dispositifs latéraux.

Q5: Quel est le délai de livraison typique pour les plaquettes SiC de 6 pouces?
R5: Le délai standard est d'environ4 à 6 semaines, en fonction des spécifications et du volume des commandes.