Plaquettes de carbure de silicium de 4 pouces, type 4H-N, épaisseur 350um, substrat SiC

4 pouces Plaquettes en carbure de silicium 4H-N Substrat SiC de 350um d'épaisseur

Introduction des plaquettes en carbure de silicium de 4 pouces :

   Le marché des plaquettes de SiC (carbure de silicium) de 4 pouces est un segment émergent de l'industrie des semi-conducteurs, stimulé par la demande croissante de matériaux haute performance dans diverses applications. Les plaquettes de SiC sont réputées pour leur excellente conductivité thermique, leur résistance élevée au champ électrique et leur efficacité énergétique exceptionnelle. Ces caractéristiques les rendent très adaptées à une utilisation dans l'électronique de puissance, les applications automobiles et les technologies d'énergie renouvelable. La plaquette de SiC de type 4H-N de 4 pouces est un substrat conducteur en carbure de silicium de haute qualité basé sur la structure cristalline polytype 4H. Dotée d'une large bande interdite, d'un champ électrique de claquage élevé, d'une excellente conductivité thermique et d'une mobilité élevée des électrons, elle est idéale pour la fabrication de dispositifs de puissance haute tension, haute fréquence et haute température, tels que les MOSFET, les diodes Schottky, les JFET et les IGBT. Elle est largement utilisée dans les nouveaux systèmes énergétiques, les véhicules électriques, les réseaux intelligents, les communications 5G et les applications aérospatiales.

Principaux avantages des plaquettes en carbure de silicium de 4 pouces :

Haute tension de claquage – Jusqu'à 10× celle du silicium, idéale pour les dispositifs haute tension.

Faible résistance à l'état passant – Une mobilité élevée des électrons permet une commutation plus rapide et des pertes plus faibles.

Excellente conductivité thermique – Environ 3× supérieure à celle du silicium, assurant la fiabilité des dispositifs en cas de forte charge.

Fonctionnement à haute température – Performances stables au-delà de 600°C.

Qualité cristalline supérieure – Faible densité de micropipes et de dislocations, excellente surface pour la croissance épitaxiale.

Options personnalisables – Disponibles avec un dopage, une épaisseur et une finition de surface adaptés aux processus spécifiques des dispositifs.

Paramètres des plaquettes SiC ZMSH et recommandation de produits :

Carbure de silicium de 6 pouces (SiC) Plaquette pour lunettes AR MOS SBD pour référence

Applications des plaquettes en carbure de silicium :

   La plaquette en carbure de silicium (SiC) est l'un des matériaux semi-conducteurs de troisième génération, caractérisé par une capacité de puissance élevée, de faibles pertes d'énergie, une grande fiabilité et une faible génération de chaleur. Elle peut être utilisée dans des environnements haute tension et difficiles dépassant 1200 volts, et est largement appliquée dans les systèmes d'énergie éolienne, les équipements ferroviaires et de transport de grande taille, ainsi que dans les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les réseaux intelligents, et d'autres applications électroniques de haute puissance.

Véhicules électriques (VE) : Pour les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC.

Énergie renouvelable : Onduleurs pour panneaux solaires et éoliennes.

Systèmes industriels : Entraînements de moteurs et équipements haute puissance.

Aérospatiale et défense : Systèmes d'alimentation à haut rendement dans des environnements difficiles.

Q&R :

Q : Quelle est la différence entre une plaquette de Si et de SiC ?

R : Les plaquettes de silicium (Si) et de carbure de silicium (SiC) sont toutes deux utilisées dans la fabrication de semi-conducteurs, mais elles ont des propriétés physiques, électriques et thermiques très différentes qui les rendent adaptées à différents types de dispositifs. Les plaquettes de silicium sont idéales pour l'électronique standard à faible puissance, comme les circuits intégrés et les capteurs.

Les plaquettes en carbure de silicium sont utilisées pour les dispositifs de puissance haute tension, haute température et à haut rendement, tels que ceux des véhicules électriques, des onduleurs solaires et des systèmes d'alimentation industriels.

Q : Qu'est-ce qui est le mieux, SiC ou GaN ?

R : Le SiC est le meilleur pour les applications haute tension, haute puissance et haute température telles que les VE, les énergies renouvelables et les systèmes industriels. Le GaN est le meilleur pour les applications haute fréquence et basse à moyenne tension telles que les chargeurs rapides, les amplificateurs RF et les dispositifs de communication. En fait, la technologie GaN-sur-SiC combine les forces des deux — la vitesse du GaN + les performances thermiques du SiC — et est largement utilisée dans les systèmes 5G et radar.

Q : Le SiC est-il une céramique ?

R : Oui, le carbure de silicium (SiC) est une céramique — mais c'est aussi un semi-conducteur.