Résumé du produit des plaquettes épitaxales 4H-SiC

Le développement rapide des véhicules électriques, des réseaux intelligents, des énergies renouvelables et des systèmes industriels à haute puissance stimule la demande de dispositifs semi-conducteurs capables de gérer des tensions plus élevées,une plus grande densité de puissanceParmi les semi-conducteurs à large bandeau, le carbure de silicium (SiC) est devenu le matériau de choix en raison de son large bandeau, de sa haute conductivité thermique, de sa résistance à l'usure et de sa résistance à la corrosion.et résistance critique supérieure du champ électrique.

Nos plaquettes épitaxiales 4H-SiC sont spécialement conçues pour les applications MOSFET à ultra-haute tension.ces plaquettes fournissent les régions de longue dérive requises pour les appareils de puissance de la classe kV. Disponibles dans des spécifications standard de 100 μm, 200 μm et 300 μm, et construites sur des substrats de 6 pouces (150 mm), elles combinent évolutivité avec une excellente qualité de matériau,Ce qui en fait une base idéale pour la prochaine génération d'électronique de puissance..

Épaisseur de la couche épitaxienne des plaquettes épitaxiennes 4H-SiC

La couche épitaxienne est un facteur essentiel dans la détermination des performances des dispositifs MOSFET, en particulier leurstension de panne et compensation de la résistance.

• 100 ‰ 200 μmLes couches sont bien adaptées aux MOSFET de moyenne à haute tension, équilibrant l'efficacité de la conduction et la capacité de blocage.

• 200 ‰ 500 μmLes couches permettentappareils à ultra-haute tension (10 kV et plus), fournissant des régions de dérive étendues qui maintiennent des champs de dégradation plus élevés.

• Dans toute la gamme d'épaisseurs, l'uniformité est soigneusement contrôlée dans les± 2%, assurant la cohérence d'une plaque à l'autre et d'un lot à l'autre.

Cette souplesse permet aux concepteurs d'appareils de sélectionner l'épaisseur la plus appropriée pour leur classe de tension cible tout en maintenant la reproductibilité dans la production de masse.

Processus de fabrication des plaquettes épitaxales 4H-SiC

Nos galettes sont fabriquées avec les plus modernesDépôt de vapeur chimique (CVD)Ce procédé permet un contrôle précis de l'épaisseur de la couche, de la concentration de dopage et de l'épaisseur de la couche.qualité cristalline même à grande épaisseur.

• Epitaxie des maladies cardiovasculaires
  Les gaz de haute pureté et les conditions de croissance optimisées assurent une excellente morphologie de surface et une faible densité de défauts.

• Contrôle de la couche épaisse
  Les recettes de procédé propriétaires permettent d'obtenir une épaisseur épitaxielle jusqu'à500 μmavec un dopage uniforme et des surfaces lisses, supportant des modèles MOSFET à ultra-haute tension.

• Uniformité du dopage
  La concentration peut être personnalisée dans la gamme de1 × 1014 1 × 1016 cm−3, avec une homogénéité supérieure à ± 5%, ce qui assure une performance électrique constante sur l'ensemble de la plaque.

• Préparation de la surface
  Les plaquettes sont soumisesPolissage chimique mécanique (CMP)Les surfaces polies sont compatibles avec des procédés de dispositifs avancés tels que l'oxydation des portes, la photolithographie et la métallisation.

Principaux avantages des plaquettes épitaxales 4H-SiC

1. Capacité à ultra-haute tension

   • Des couches épitaxiales épaisses (100 ‰ 500 μm) permettent aux MOSFET d'atteindre des tensions de rupture de classe kV.

2. Une qualité cristalline exceptionnelle

   • Faible densité de dislocations et de défauts du plan basal (BPD, TSD), minimisant les courants de fuite et garantissant la fiabilité du dispositif.

3. Substrats de grand diamètre

   • Les plaquettes de 6 pouces prennent en charge la fabrication en grand volume, réduisent le coût par appareil et améliorent la compatibilité des processus avec les lignes de semi-conducteurs existantes.

4. Propriétés thermiques supérieures

   • La conductivité thermique élevée du 4H-SiC et ses caractéristiques de large bande passante garantissent que les appareils fonctionnent efficacement dans des conditions de haute puissance et de température.

5. Paramètres personnalisables

   • L'épaisseur, la concentration de dopage, l'orientation de la gaufre et la finition de la surface peuvent tous être adaptés aux exigences spécifiques de conception du MOSFET.

Spécifications typiques des plaquettes épitaxales 4H-SiC

Zones d'application des plaquettes épitaxales 4H-SiC

Nos plaquettes épitaxales 4H-SiC sont conçues pourAppareils MOSFET dans les applications à ultra-haute tension, y compris:

• Inverteurs de traction pour véhicules électriques et modules de charge haute tension

• Systèmes de transport et de distribution de réseaux intelligents

• Inverteurs d'énergie renouvelable (énergie solaire, éolienne, stockage d'énergie)

• Appareils électriques industriels à haute puissance et systèmes de commutation

FAQ 4H-SiC plaquettes épitaxiales pour les MOSFET à ultra-haute tension

Q1: Quel est le type de conductivité de vos plaquettes épitaxiales SiC?
R1: Nos plaquettes sont de type N, dopées d'azote, qui est le choix standard pour les MOSFET et autres applications de dispositifs électriques.

Q2: Quelles épaisseurs sont disponibles pour la couche épitaxienne?
R2: Nous fournissons une épaisseur épitaxielle de 100 à 500 μm, avec des offres standard de 100 μm, 200 μm et 300 μm. Des épaisseurs personnalisées peuvent également être produites sur demande.

Q3: Quelle est l'orientation du cristal et quel est l'angle hors axe?
A3: Les plaquettes sont orientées sur la face en Si (0001) avec un angle hors axe de 4° ± 0,5°, généralement dans la direction [11-20].