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Semi-isolant 3 pouces Wafer de carbure de silicium 4H N-type CVD Orientation 4.0°±0.5°
Détails sur le produit:
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | Gaufrette de carbure de silicium |
Conditions de paiement et expédition:
| Délai de livraison: | 2 à 4 semaines |
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| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Méthode de croissance: | CVD | La structure: | Hexagonale, cristal unique |
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| Diamètre: | jusqu'à 150 mm, 200 mm | Épaisseur: | Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équ |
| catégories: | Prime, Dummy, Recherch. Je vous en prie. | Conductivité thermique: | 370 (W/mK) à température ambiante |
| Coefficient de dilatation thermique: | 4.5 (10-6K-1) | Chaleur spécifique (250 °C): | 0.71 (J g-1 K-1) |
| Surligner: | Plaquettes à base de silicone semi-isolateur,Wafer en carbure de silicium de 3 pouces,Plaquettes en carbure de silicium 4H de type N |
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Description de produit
Semi-isolateur de 3 pouces en carbure de silicium 4H orientation CVD de type N: 4.0°±0.5°
Abstract de la plaque de carbure de silicium de 3 pouces semi-isolant
The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for advanced high-power and high-frequency semiconductor devices that operate well beyond the capabilities of either silicon or gallium arsenide devicesLes principaux avantages de la technologie basée sur le SiC comprennent une réduction des pertes de commutation, une densité de puissance plus élevée, une meilleure dissipation de chaleur et une capacité de bande passante accrue.Il en résulte des solutions très compactes avec une efficacité énergétique considérablement améliorée à moindre coût.La liste en croissance rapide des applications commerciales actuelles et prévues utilisant les technologies SiC comprend les sources d'alimentation par commutation, les onduleurs pour la production d'énergie solaire et éolienne,moteurs à entraînement industriel, les véhicules électriques et électriques, et la commutation électrique de réseau intelligent.
La caractéristique clé de la gaufre en carbure de silicium de 3 pouces semi-isolante
La plaque de carbure de silicium semi-isolant de 3 pouces présente des caractéristiques clés qui la rendent essentielle dans diverses applications de semi-conducteurs.ces plaquettes constituent un substrat essentiel pour la fabrication de dispositifs électroniques hautes performancesLa propriété de semi-isolation, qui indique un degré d'isolation électrique, est une caractéristique déterminante, réduisant les fuites de courant et améliorant les performances des composants électroniques.
Le carbure de silicium (SiC), le principal matériau de construction, est un composé connu pour ses propriétés exceptionnelles.ce qui le rend idéal pour des applications exigeantesLa nature semi-isolante de ces plaquettes est avantageuse dans les appareils à micro-ondes et à radiofréquence, tels que les amplificateurs de puissance et les commutateurs RF.où l'isolation électrique est cruciale pour des performances optimales.
L'une des principales applications des plaquettes en carbure de silicium semi-isolant est dans les appareils électroniques de puissance.Ces plaquettes sont utilisées dans la fabrication de diodes SiC Schottky et de transistors à effet de champ SiC (FET)., contribuant au développement de l'électronique de puissance haute tension et haute température.Les caractéristiques uniques du matériau le rendent adapté aux environnements où les semi-conducteurs classiques peuvent avoir du mal à fonctionner efficacement.
En outre, ces plaquettes trouvent des applications dans l'optoélectronique, en particulier dans la fabrication de photodiodes SiC.La sensibilité du carbure de silicium à la lumière ultraviolette le rend précieux dans les applications de détection optiqueDans des conditions extrêmes, telles que des températures élevées et des environnements difficiles, des plaquettes de SiC semi-isolantes sont utilisées dans les capteurs et les systèmes de contrôle.
Dans le domaine des applications à haute température et dans des environnements extrêmes, les plaquettes en carbure de silicium semi-isolant sont privilégiées en raison de leur stabilité et de leur résistance.Ils jouent un rôle crucial dans les systèmes de détection et de contrôle conçus pour fonctionner dans des conditions difficiles.
Dans les applications d'énergie nucléaire, la stabilité radiologique du carbure de silicium est avantageuse.
Ces caractéristiques clés positionnent collectivement les plaquettes en carbure de silicium semi-isolant de 3 pouces comme des composants essentiels dans les technologies de semi-conducteurs avancées.Les applications à haute température soulignent leur importance dans l'électronique moderne et les industries axées sur la technologieLes progrès continus de la technologie SiC renforcent encore l'importance de ces plaquettes pour repousser les limites des performances et de la fiabilité électroniques.
Application de la plaque de carbure de silicium de 3 pouces semi-isolante
La plaque de carbure de silicium semi-isolant de 3 pouces joue un rôle central dans diverses applications de semi-conducteurs,offrant des propriétés uniques qui contribuent à l'avancement des dispositifs et systèmes électroniquesAvec un diamètre de trois pouces, ces plaquettes sont particulièrement influentes dans la fabrication de composants électroniques hautes performances.
La caractéristique semi-isolante de ces plaquettes est une caractéristique clé, fournissant une isolation électrique pour minimiser les fuites de courant.Cette propriété est cruciale pour les applications où le maintien d'une résistance électrique élevée est essentiel, comme dans certains types de dispositifs électroniques et de circuits intégrés.
Une application importante des plaquettes en carbure de silicium semi-isolant de 3 pouces est la production d'appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.L'excellente conductivité thermique et l'écart de bande large du carbure de silicium le rendent approprié pour la fabrication de dispositifs tels que les diodes SchottkyCes appareils trouvent des applications dans les convertisseurs de puissance, les amplificateurs et les systèmes de radiofréquence.
L'industrie des semi-conducteurs tire également parti de ces plaquettes dans le développement de capteurs et détecteurs pour des conditions extrêmes.La robustesse du carbure de silicium dans les environnements à haute température et difficiles le rend bien adapté pour créer des capteurs qui peuvent résister à des conditions difficilesCes capteurs sont utilisés dans diverses industries, y compris l'aérospatiale, l'automobile et l'énergie.
Dans l'optoélectronique, les plaquettes de carbure de silicium semi-isolant sont utilisées pour la fabrication de photodiodes et de diodes électroluminescentes (LED).Les propriétés optiques uniques du carbure de silicium le rendent adapté aux applications nécessitant une sensibilité à la lumière ultravioletteCeci est particulièrement avantageux dans les systèmes de détection optique et de communication.
L'industrie nucléaire bénéficie de la résistance au rayonnement du carbure de silicium, et ces plaquettes trouvent des applications dans les détecteurs de rayonnement et les capteurs utilisés dans les réacteurs nucléaires.La capacité de résister à l'environnement de rayonnement sévère fait du carbure de silicium un matériau essentiel pour de telles applications critiques.
Les chercheurs et les scientifiques continuent d'explorer de nouvelles applications pour les plaquettes semi-isolantes de carbure de silicium de 3 pouces, grâce aux propriétés exceptionnelles du matériau.On s'attend à ce que ces plaquettes jouent un rôle vital dans des domaines émergents tels que l'informatique quantique, où des matériaux robustes et performants sont essentiels.
En résumé, les applications de la plaque de carbure de silicium semi-isolant de 3 pouces couvrent un large éventail d'industries, de l'électronique de puissance et de l'optoélectronique aux technologies de détection et nucléaires.Sa polyvalence et ses propriétés uniques le positionnent comme un facteur clé pour le développement de systèmes électroniques avancés fonctionnant efficacement dans des environnements exigeants.
Graphique des données de la plaque de carbure de silicium de 3 pouces semi-isolante
| Méthode de croissance | Transport physique par vapeur | |
| Propriétés physiques | ||
| La structure | Hexagonale, cristal unique | |
| Diamètre | jusqu'à 150 mm, 200 mm | |
| Épaisseur | Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement. | |
| Les notes | Prime, Développement, Mécanique | |
| Propriétés thermiques | ||
| Conductivité thermique | 370 (W/mK) à température ambiante | |
| Coefficient de dilatation thermique | 4.5 (10)- 6Le K.- Je vous en prie.) | |
| Chaleur spécifique (250 °C) | 0.71 (J g)- Je vous en prie.Le K.- Je vous en prie.) | |
| Propriétés clés supplémentaires des substrats SiC cohérents (valeurs typiques*) | ||
| Paramètre | Type N | à haute résistance à la corrosion |
| Polytypes | 4 heures | 4H, 6H |
| Dépendant | Nitrogen | Vanadium |
| Résistance | ~ 0,02 ohm-cm | > 1·1011Ohm-cm |
| Les orientations | 4° hors axe | Sur l'axe |
| FWHM | < 20 secondes d'arc | < 25 arc-secondes |
| La rugosité, Ra** | < 5 Å | < 5 Å |
| Densité de dislocation | - Je suis désolée.3en cm- Deux. | < 1 ∙ 104en cm- Deux. |
| Densité des micropipes | < 0,1 cm- Deux. | < 0,1 cm- Deux. |
* Valeur de production typique
** Mesurée par interférométrie de la lumière blanche (250 μm x 350 μm) Propriétés du matériau
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