Plaquette de carbure de silicium (SiC) de 12 pouces – Introduction du produit

Aperçu du produit

La plaquette de carbure de silicium (SiC) de 12 pouces représente la prochaine génération de substrats semi-conducteurs à large bande interdite, conçus pour soutenir la production à grande échelle de dispositifs électroniques de puissance haute performance. Comparé aux plaquettes de SiC conventionnelles de 6 et 8 pouces, le format de 12 pouces augmente considérablement la surface de puce utilisable par plaquette, améliore l'efficacité de la fabrication et offre un fort potentiel de réduction des coûts à long terme.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur à large bande interdite présentant une résistance élevée au champ électrique de claquage, une excellente conductivité thermique, une vitesse de dérive des électrons saturée élevée et une stabilité thermique exceptionnelle. Ces propriétés font des plaquettes de SiC de 12 pouces une plateforme idéale pour les applications haute tension, haute puissance et haute température.

Spécifications des matériaux et des cristaux

• Matériau: Carbure de silicium (SiC) monocristallin

• Polytype: 4H-SiC (standard pour les dispositifs de puissance)

• Type de conductivité:

  • Type N (dopé à l'azote)

  • Semi-isolant (personnalisable)

La croissance de monocristaux de SiC de 12 pouces nécessite un contrôle avancé des gradients de température, de la répartition des contraintes et de l'incorporation d'impuretés. La technologie améliorée de croissance cristalline PVT (Physical Vapor Transport) est généralement employée pour obtenir des boules de SiC de grand diamètre et à faible défaut.

Processus de fabrication

La production de plaquettes de SiC de 12 pouces implique une série de processus de haute précision :

1. Croissance de monocristaux de grand diamètre

2. Orientation des cristaux et découpe des lingots

3. Rectification de précision et amincissement des plaquettes

4. Polissage simple face ou double face

5. Nettoyage avancé et inspection complète

Chaque étape est étroitement contrôlée pour garantir une excellente planéité, une uniformité de l'épaisseur et une qualité de surface.

Principaux avantages

• Rendement de dispositif plus élevé par plaquette: Une plus grande taille de plaquette permet d'obtenir plus de puces par lot

• Efficacité de fabrication améliorée: Optimisé pour les usines de nouvelle génération

• Potentiel de réduction des coûts: Coût par dispositif inférieur en production à volume élevé

• Performances thermiques et électriques supérieures: Idéal pour les conditions de fonctionnement difficiles

• Forte compatibilité des processus: Adapté à la fabrication de dispositifs de puissance SiC grand public

Applications typiques

• Véhicules électriques (MOSFET SiC, diodes Schottky SiC)

• Chargeurs embarqués (OBC) et onduleurs de traction

• Infrastructure de recharge rapide et modules d'alimentation

• Onduleurs solaires et systèmes de stockage d'énergie

• Entraînements de moteurs industriels et systèmes ferroviaires

• Électronique de puissance haut de gamme et applications de défense

Spécifications typiques (personnalisables)

Foire aux questions (FAQ)

Q1 : Les plaquettes de SiC de 12 pouces sont-elles prêtes pour la production de masse ?
R : Les plaquettes de SiC de 12 pouces en sont actuellement au stade initial de l'industrialisation et sont activement évaluées pour la production pilote et en volume par les principaux fabricants du monde entier.

Q2 : Quels sont les avantages des plaquettes de SiC de 12 pouces par rapport aux plaquettes de 8 pouces ?
R : Le format de 12 pouces augmente considérablement le rendement des puces par plaquette, améliore le débit de l'usine et offre des avantages en termes de coûts à long terme.

Q3 : Les spécifications des plaquettes peuvent-elles être personnalisées ?
R : Oui, des paramètres tels que le type de conductivité, l'épaisseur, la méthode de polissage et le grade d'inspection peuvent être personnalisés.