• Couleur claire Structure cristalline 4H-SiC 6H-SiC Semi-isolant SiC Haute dureté mécanique
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Couleur claire Structure cristalline 4H-SiC 6H-SiC Semi-isolant SiC Haute dureté mécanique

Couleur claire Structure cristalline 4H-SiC 6H-SiC Semi-isolant SiC Haute dureté mécanique

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: SiC semi-isolant

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 5
Délai de livraison: 2-4 semaines
Conditions de paiement: T/T
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Polytype: 4H 6H Résistivité (RT) Grosseur de surface: > 1E5 Ω.cm
Aspérité: 0.5 nm (prêt pour l'épinectomie avec CMP à face en Si) FWHM: A<30 secondes d'arc
TTV: < 25um arc: < 25um
chaîne: < 25um Orientation plate primaire: Le niveau de l'eau est supérieur ou égal à + 5,0°.
Finition de surface: d'une épaisseur n'excédant pas 10 mm Secteur utilisable: ≥ 90%
Surligner:

SiC à haute dureté mécanique semi-isolant

,

Structure cristalline 4H-SiC

,

Plaquettes SiC semi-isolantes

Description de produit

Résumé

 
Le 4-HSiC semi-isolantLe substrat est un matériau semi-conducteur à haute performance avec un large éventail d'applications.Ce substrat présente des caractéristiques électriques exceptionnelles, y compris une résistivité élevée et une faible concentration de support, ce qui en fait un choix idéal pour les appareils électroniques à radiofréquence (RF), micro-ondes et de puissance.
 
Principales caractéristiques du 4-HSiC semi-isolantLe substrat possède des propriétés électriques très uniformes, une faible concentration d'impuretés et une excellente stabilité thermique.Ces caractéristiques le rendent approprié pour la fabrication de dispositifs de puissance RF à haute fréquence, capteurs électroniques à haute température et équipements électroniques à micro-ondes.Sa résistance élevée au champ de décomposition et son excellente conductivité thermique le positionnent également comme le substrat préféré pour les appareils à haute puissance.
 
En outre, le 4-HSiC semi-isolantLe substrat présente une excellente stabilité chimique, ce qui lui permet de fonctionner dans des environnements corrosifs et d'élargir sa gamme d'applications.Il joue un rôle essentiel dans des industries telles que la fabrication de semi-conducteurs, les télécommunications, la défense, et les expériences de physique à haute énergie.
 
En résumé, le 4-HSiC semi-isolantun support, avec ses propriétés électriques et thermiques exceptionnelles,est très prometteur dans le domaine des semi-conducteurs et fournit une base fiable pour la production de dispositifs électroniques hautes performances.
 

Propriétés

Appareils électroniques à haute puissance:SiC semi-isolantest idéal pour les appareils électroniques à haute puissance et haute fréquence en raison de sa tension de rupture élevée et de sa haute conductivité thermique.
 
Appareils RF: en raison de sa haute conductivité thermique et de sa faible perte,SiC semi-isolantest utilisé dans les appareils RF tels que les amplificateurs de puissance micro-ondes et les transistors RF.
 
Appareils optoélectroniques:SiC semi-isolantIl présente également d'excellentes propriétés optoélectroniques, ce qui le rend adapté à la fabrication de LED, de lasers et de photodétecteurs.
 
Appareils électroniques dans des environnements à haute température: le point de fusion élevé et l'excellente stabilité chimique du matériau rendentSiC semi-isolantlargement utilisé dans les appareils électroniques qui fonctionnent dans des environnements à haute température, tels que dans l'aérospatiale, l'automobile et le contrôle des processus industriels.
 
Dispositifs résistants aux radiations:SiC semi-isolantest très résistant aux radiations, ce qui le rend adapté aux appareils électroniques résistants aux radiations dans les réacteurs nucléaires et les applications spatiales.
 
Sensors: les propriétés uniques deSiC semi-isolantLes matériaux utilisés pour la fabrication de différents types de capteurs, tels que les capteurs de température, les capteurs de pression et les capteurs chimiques.
 

Caractéristiques:

Résistance élevée:SiC semi-isolantpossède une résistivité très élevée, ce qui signifie qu'il peut empêcher efficacement le flux de courant électrique, ce qui le rend approprié pour une utilisation comme couche isolante dans les appareils électroniques à haute puissance
 
Conductivité thermique élevée:SiCLe matériau a une conductivité thermique très élevée, ce qui contribue à dissiper rapidement et efficacement la chaleur des dispositifs, améliorant ainsi les performances et la fiabilité des dispositifs.
 
Voltage de rupture élevé:SiC semi-isolanta une tension de panne très élevée, ce qui signifie qu'il peut fonctionner dans des applications à haute tension sans subir de panne électrique.
 
Excellente stabilité chimiqueSiCreste chimiquement stable dans une large gamme de températures et est très résistant à la plupart des acides et des bases.
 
Point de fusion élevé:SiCIl a un point de fusion exceptionnellement élevé, d'environ 2 730 °C, ce qui lui permet de maintenir sa stabilité dans des environnements à température extrême.
 
Tolérance aux rayonnements: semi-isolantSiCIl présente une grande tolérance aux rayonnements, ce qui le rend excellent dans les réacteurs nucléaires et les applications spatiales.
 
Excellentes propriétés mécaniques:SiCest un matériau très dur, présentant une excellente résistance à l'usure et une grande résistance.
 
Semi-conducteur à large bande:SiCC'est un semi-conducteur à large bande passante, doté d'une grande mobilité électronique et d'un faible débit de fuite, ce qui se traduit par des performances exceptionnelles dans les appareils électroniques à haute température et à haute fréquence.
 

Les biens immobiliers Définition
Résistance élevée Possède une résistivité électrique très élevée, agissant comme isolant efficace dans les appareils électroniques de haute puissance.
Conductivité thermique élevée Dissipant rapidement et efficacement la chaleur, améliorant les performances et la fiabilité de l'appareil.
Voltage de rupture élevé Peut fonctionner dans des conditions de haute tension sans subir de panne électrique.
Excellente stabilité chimique Reste stable dans une large gamme de températures et est très résistant à la plupart des acides et des bases.
Point de fusion élevé Maintient la stabilité dans des environnements à température extrêmement élevée avec un point de fusion d'environ 2,730EnlèvementC (4,946EnlèvementF).
Tolérance aux rayonnements Il présente une résistance élevée aux rayonnements, adapté à l'utilisation dans les réacteurs nucléaires et les applications spatiales.
Excellentes propriétés mécaniques Matériau très dur, offrant une résistance à l'usure exceptionnelle et une résistance élevée.
Semi-conducteurs à large bande Fonctionne bien dans les applications à haute température et à haute fréquence en raison de sa grande mobilité électronique et de son faible débit de fuite.

 
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Emballage et expédition

 

Emballage et expédition des plaquettes en carbure de silicium

Les plaquettes en carbure de silicium (SiC) sont de fines tranches de matériau semi-conducteur principalement utilisées pour l'électronique de puissance.il est important de suivre les instructions d'emballage et d'expédition appropriées.

Emballage

  • Les plaquettes doivent être expédiées dans un emballage sécurisé ESD.
  • Chaque plaquette doit être enveloppée dans un matériau sûr contre l'ESD, tel qu'une mousse ou une mousse à bulles.
  • Le colis doit être scellé avec du ruban adhésif ESD.
  • L'emballage doit être étiqueté avec le symbole de sécurité ESD et l'autocollant "Fragile".

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Couleur claire Structure cristalline 4H-SiC 6H-SiC Semi-isolant SiC Haute dureté mécanique pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.