Nom De Marque:	ZMKJ
Numéro De Modèle:	substrat de 6inch 150mm sic
MOQ:	2pcs
Prix:	by case
Détails De L'emballage:	paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Conditions De Paiement:	T/T, Western Union, MoneyGram

Les informations détaillées

Description de produit

Les informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

Certification:

ROHS

Matériel:

Monocristal sic 4H-N 4H-Si

Catégorie:

Factice de production et Zéro MPD

Thicnkss:

0,35 mm et 0,5 mm

Chaîne de LTV/TTV/Bow:

≤5 um/≤15 u/$40 um/≤60 um

Application:

Pour le MOS et le semi-conducteur

Diamètre:

6inch 150mm

Couleur:

Thé vert

MPD:

<2cm-2 pour la qualité de production zéro MPD

Capacité d'approvisionnement:

1-500pcs/month

Mettre en évidence:

gaufrette de 150mm SIC

Substrat de 4 H-N Type sic

Gaufrette zéro de carbure de silicium de catégorie

Description de produit

Type Epi-prêt de la gaufrette N de carbure du substrat 4H et 6H de substrats de carbure de silicium (sic) sic/silicium des gaufrettes (150mm, 200mm) (sic)
couche sic épitaxiale de GaN de gaufrettes de catégorie de production de H-N Type de la gaufrette 4 de 6inch SIC dessus sic

Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)

Le commerce célèbre Cie., gaufrettes de Changhaï de Ltd 150 millimètres sic offrent à des fabricants de dispositif un substrat cohérent et de haute qualité pour développer les dispositifs de puissance performants. Nos sic substrats sont produits à partir des lingots en cristal du plus de haute qualité utilisant les techniques physiques de pointe de propriété industrielle de croissance du transport de vapeur (PVT) et la fabrication assistée par ordinateur (FAO). Des techniques de fabrication avancées de gaufrette sont employées pour convertir des lingots en gaufrettes pour assurer la qualité cohérente et fiable que vous avez besoin.

Fonctionnalités clé

Optimizes a visé la représentation et le coût total de la propriété pour les dispositifs de la deuxième génération de l'électronique de puissance
Gaufrettes de grand diamètre pour des économies d'échelle améliorées à la fabrication de semi-conducteur
Gamme des seuils de tolérance pour répondre aux besoins spécifiques de fabrication de dispositif
Qualité en cristal élevée
Basses densités de défaut

Classé pour la production améliorée

Avec le 6inch taille de gaufrette de 150 millimètres sic, nous offrons à des fabricants la capacité d'accroître des économies d'échelle améliorées comparées à 100 millimètres de fabrication de dispositif. Notre 6inch gaufrettes de 150 millimètres sic offrir des caractéristiques mécaniques uniformément excellentes pour assurer la compatibilité avec des processus existants et se développants de fabrication de dispositif.

caractéristiques de type n de substrats de 6inch 200mm sic
Propriété	Catégorie de PMOS	Catégorie de P-SBD	Catégorie de D
Crystal Specifications
Crystal Form	4H
Région de Polytype	Aucun n'a laissé		Area≤5%
(MPD) a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Plats de sortilège	Aucun n'a laissé		Area≤5%
Polycrystal hexagonal	Aucun n'a laissé
Inclusions a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	NON-DÉTERMINÉ
Résistivité	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(TED) a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(Baril par jour) a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(DST) a	≤600/cm2	≤1000/cm2	NON-DÉTERMINÉ
(Défaut d'empilement)	Secteur de ≤0.5%	Secteur de ≤1%	NON-DÉTERMINÉ
Contamination extérieure en métal	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganèse) cm2 ≤1E11
Caractéristiques mécaniques
Diamètre	150,0 millimètres +0mm/-0.2mm
Orientation extérieure	En dehors de l'axe : 4°toward <11-20>±0.5°
Longueur plate primaire	47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres
Longueur plate secondaire	Aucun appartement secondaire
Orientation plate primaire	<11-20>±1°
Orientation plate secondaire	NON-DÉTERMINÉ
Misorientation orthogonal	±5.0°
Finition extérieure	C-visage : Polonais optique, SI-visage : CMP
Bord de gaufrette	Tailler
Aspérité (10μm×10μm)	Visage Ra≤0.20 nanomètre de SI ; Visage Ra≤0.50 nanomètre de C
Épaisseur a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) a	≤2μm		≤3μm
(TTV) a	≤6μm		≤10μm
(ARC) a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Chaîne) a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Caractéristiques extérieures
Puces/creux	Aucun n'a laissé la largeur et la profondeur de ≥0.5mm		Largeur et profondeur de Qty.2 ≤1.0 millimètre
Éraflures a (Visage de SI, CS8520)	≤5 et diamètre cumulatif de Length≤0.5×Wafer		≤5 et diamètre cumulatif de gaufrette de Length≤1.5×
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	NON-DÉTERMINÉ
Fissures	Aucun n'a laissé
Contamination	Aucun n'a laissé
Exclusion de bord	3mm

de 6inch 150mm SIC de la gaufrette 4 de H-N Type production factice de substrat sic et catégorie zéro 0

CATALOGUE TAILLE COMMUNE Dans NOTRE LISTE d'INVENTAIRE

4 H-N Type/gaufrette/lingots grande pureté sic 2 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic 3 gaufrette de type n de pouce 4H sic 4 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic 6 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic	gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic 2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
sic gaufrette 6H de type n 2 gaufrette/lingot de type n de pouce 6H sic	Taille de Customzied pour 2-6inch

>Empaquetage – logistique

Soucis concernant chaque détail du traitement de paquet, de nettoyage, antistatique, et de choc.
Selon la quantité et la forme du produit, nous prendrons un processus de empaquetage différent ! Presque par les cassettes simples de gaufrette ou les cassettes 25pcs dans la salle de nettoyage de 100 catégories.

Les étiquettes:

Plate en céramique de carbure de silicium SiC pour gravure de semi-conducteurs et manipulation de plaquettes photovoltaïques

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