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de 6inch 150mm SIC de la gaufrette 4 de H-N Type production factice de substrat sic et catégorie zéro
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMKJ |
| Certification: | ROHS |
| Numéro de modèle: | substrat de 6inch 150mm sic |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 2pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
| Delivery Time: | 1-6weeks |
| Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 1-500pcs/month |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Monocristal sic 4H-N 4H-Si | Catégorie: | Factice de production et Zéro MPD |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0,35 mm et 0,5 mm | Chaîne de LTV/TTV/Bow: | ≤5 um/≤15 u/$40 um/≤60 um |
| Application: | Pour le MOS et le semi-conducteur | Diamètre: | 6inch 150mm |
| Couleur: | Thé vert | MPD: | <2cm-2 pour la qualité de production zéro MPD |
| Surligner: | gaufrette de 150mm SIC,Substrat de 4 H-N Type sic,Gaufrette zéro de carbure de silicium de catégorie |
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Description de produit
Type Epi-prêt de la gaufrette N de carbure du substrat 4H et 6H de substrats de carbure de silicium (sic) sic/silicium des gaufrettes (150mm, 200mm) (sic)
couche sic épitaxiale de GaN de gaufrettes de catégorie de production de H-N Type de la gaufrette 4 de 6inch SIC dessus sic
Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)
Le commerce célèbre Cie., gaufrettes de Changhaï de Ltd 150 millimètres sic offrent à des fabricants de dispositif un substrat cohérent et de haute qualité pour développer les dispositifs de puissance performants. Nos sic substrats sont produits à partir des lingots en cristal du plus de haute qualité utilisant les techniques physiques de pointe de propriété industrielle de croissance du transport de vapeur (PVT) et la fabrication assistée par ordinateur (FAO). Des techniques de fabrication avancées de gaufrette sont employées pour convertir des lingots en gaufrettes pour assurer la qualité cohérente et fiable que vous avez besoin.
Fonctionnalités clé
- Optimizes a visé la représentation et le coût total de la propriété pour les dispositifs de la deuxième génération de l'électronique de puissance
- Gaufrettes de grand diamètre pour des économies d'échelle améliorées à la fabrication de semi-conducteur
- Gamme des seuils de tolérance pour répondre aux besoins spécifiques de fabrication de dispositif
- Qualité en cristal élevée
- Basses densités de défaut
Classé pour la production améliorée
Avec le 6inch taille de gaufrette de 150 millimètres sic, nous offrons à des fabricants la capacité d'accroître des économies d'échelle améliorées comparées à 100 millimètres de fabrication de dispositif. Notre 6inch gaufrettes de 150 millimètres sic offrir des caractéristiques mécaniques uniformément excellentes pour assurer la compatibilité avec des processus existants et se développants de fabrication de dispositif.
| caractéristiques de type n de substrats de 6inch 200mm sic | ||||
| Propriété | Catégorie de PMOS | Catégorie de P-SBD | Catégorie de D | |
| Crystal Specifications | ||||
| Crystal Form | 4H | |||
| Région de Polytype | Aucun n'a laissé | Area≤5% | ||
| (MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 | |
| Plats de sortilège | Aucun n'a laissé | Area≤5% | ||
| Polycrystal hexagonal | Aucun n'a laissé | |||
| Inclusions a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | NON-DÉTERMINÉ | |
| Résistivité | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm | |
| (EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | NON-DÉTERMINÉ | |
| (TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | NON-DÉTERMINÉ | |
| (Baril par jour) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | NON-DÉTERMINÉ | |
| (DST) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | NON-DÉTERMINÉ | |
| (Défaut d'empilement) | Secteur de ≤0.5% | Secteur de ≤1% | NON-DÉTERMINÉ | |
| Contamination extérieure en métal | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganèse) cm2 ≤1E11 | |||
| Caractéristiques mécaniques | ||||
| Diamètre | 150,0 millimètres +0mm/-0.2mm | |||
| Orientation extérieure | En dehors de l'axe : 4°toward <11-20>±0.5° | |||
| Longueur plate primaire | 47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres | |||
| Longueur plate secondaire | Aucun appartement secondaire | |||
| Orientation plate primaire | <11-20>±1° | |||
| Orientation plate secondaire | NON-DÉTERMINÉ | |||
| Misorientation orthogonal | ±5.0° | |||
| Finition extérieure | C-visage : Polonais optique, SI-visage : CMP | |||
| Bord de gaufrette | Tailler | |||
| Aspérité (10μm×10μm) | Visage Ra≤0.20 nanomètre de SI ; Visage Ra≤0.50 nanomètre de C | |||
| Épaisseur a | μm 350.0μm± 25,0 | |||
| LTV (10mm×10mm) a | ≤2μm | ≤3μm | ||
| (TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | ||
| (ARC) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | |
| (Chaîne) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm | |
| Caractéristiques extérieures | ||||
| Puces/creux | Aucun n'a laissé la largeur et la profondeur de ≥0.5mm | Largeur et profondeur de Qty.2 ≤1.0 millimètre | ||
| Éraflures a (Visage de SI, CS8520) | ≤5 et diamètre cumulatif de Length≤0.5×Wafer | ≤5 et diamètre cumulatif de gaufrette de Length≤1.5× | ||
| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | NON-DÉTERMINÉ | |
| Fissures | Aucun n'a laissé | |||
| Contamination | Aucun n'a laissé | |||
| Exclusion de bord | 3mm | |||
CATALOGUE TAILLE COMMUNE Dans NOTRE LISTE d'INVENTAIRE
4 H-N Type/gaufrette/lingots grande pureté sic 2 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic 3 gaufrette de type n de pouce 4H sic 4 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic 6 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic | 2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic |
sic gaufrette 6H de type n 2 gaufrette/lingot de type n de pouce 6H sic | Taille de Customzied pour 2-6inch |
>Empaquetage – logistique
Soucis concernant chaque détail du traitement de paquet, de nettoyage, antistatique, et de choc.
Selon la quantité et la forme du produit, nous prendrons un processus de empaquetage différent ! Presque par les cassettes simples de gaufrette ou les cassettes 25pcs dans la salle de nettoyage de 100 catégories.