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Substrat semi transparent du saphir 4H-N, lentille optique de veuves de lingot sic en cristal
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMKJ |
| Numéro de modèle: | lentille sic optique |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
| Délai de livraison: | 2-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 1-50pcs/month |
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Détail Infomation |
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| Matériau: | Type du monocristal sic 4H-N | Qualité: | Optical Lens |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 6-15mm | Suraface: | Poli |
| Application: | lentille optique de fenêtre | Diamètre: | customzied |
| Surligner: | substrat de carbure de silicium,sic gaufrette |
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Description de produit
lingot sic en cristal transparent de 3inch/4inch/2inch 4H-N/semi pour la lentille optique de veuves après poli
Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)
Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance.
Applications
Dispositifs optoélectroniques de dépôt de nitrure d'III-V
Dispositifs de puissance à haute fréquence de dispositifs à hautes températures de haute puissance de dispositifs
PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
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Propriété |
4H-SiC, monocristal |
6H-SiC, monocristal |
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Paramètres de trellis |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
a=3.073 Å c=15.117 Å |
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Empilement de l'ordre |
ABCB |
ABCACB |
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Dureté de Mohs |
≈9,2 |
≈9,2 |
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Densité |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
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Therm. Coefficient d'expansion |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
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Index @750nm de réfraction |
aucun = 2,61 Ne = 2,66 |
aucun = 2,60 Ne = 2,65 |
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Constante diélectrique |
c~9.66 |
c~9.66 |
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ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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Conduction thermique (semi-isolante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
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Bande-Gap |
eV 3,23 |
eV 3,02 |
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Champ électrique de panne |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
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Vitesse de dérive de saturation |
2,0×105 m/s |
2,0×105 m/s |
lingot specification1 de carbure de silicium de diamètre de 2 -6inch (sic)
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Catégorie |
Catégorie de production |
Catégorie de recherches |
Catégorie factice |
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Diamètre |
50.8/76.2/100/150mm±0.38mm |
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Épaisseur |
6-15mm |
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Orientation de gaufrette |
Sur l'axe : <0001>±0.5° pour 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI outre d'axe : 4.0° vers le 1120 de ±0.5° pour 4H-N/4H-SI |
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Densité de Micropipe |
cm2 ≤5 |
cm2 ≤15 |
cm2 ≤50 |
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Résistivité |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
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6H-N |
0.02~0.1 Ω·cm |
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4/6H-SI |
>1E5 Ω·cm |
(90%) >1E5 Ω·cm |
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Appartement primaire |
{10-10} ±5.0° |
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Longueur plate primaire |
15,9 mm±1.7 millimètre |
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Longueur plate secondaire |
8,0 mm±1.7 millimètre |
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S |
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Type 4H-N/gaufrette/lingots grande pureté sic
2 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic 4 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic 6 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic |
2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic |
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sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette/lingot de type n de pouce 6H sic |
Taille de Customzied pour 2-6inch
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Au sujet de ZMKJ Company
La boîte de ZMKJ fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de puissance à hautes températures et élevée. Sic la gaufrette peut être fournie dans pouce du diamètre 2-6, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.
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FAQ :
Q : Est-ce que je peux adapter les produits aux besoins du client basés sur mon besoin ?
A : Oui, nous pouvons adapter le matériel, les caractéristiques et la forme aux besoins du client, taille basée sur vos besoins.
Q : Quel est le délai de livraison ?
A : (1) pour les produits standard
Pour l'inventaire : la livraison est pendant 5 jours ouvrables après que vous passez la commande.
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(2) pour les produits en forme spéciale, la livraison est 4 semaines de travail après que vous passiez la commande.
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A : (1) nous acceptons 100% T/T à l'avance par DHL, Fedex, SME etc.
(2) si vous avez votre propre compte exprès, il est grand. Sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer.
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Q : Quel est votre MOQ ?
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(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs.