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gaufrette 6H-N/4 H-N Dummy sic Crystal Wafers For Device Test de carbure de silicium de 2Inch 4inch
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMKJ |
| Numéro de modèle: | 2inch*0.625mmt |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 10pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
| Délai de livraison: | 2-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 1-50pcs/month |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Type 4H-N de monocristal sic | Catégorie: | Simulacre/catégorie production de recherches |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.625MM | Suraface: | comme-coupe |
| Application: | essai polonais de dispositif | Diamètre: | 50.8mm |
| Surligner: | substrat de carbure de silicium,sic gaufrette |
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Description de produit
De Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de lingots/de substrats wafersS/Customzied de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm grande pureté 4H-N 4inch 6inch (sic) de comme-coupe gaufrettes sic
Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)
Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance.
PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
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Propriété |
4H-SiC, monocristal |
6H-SiC, monocristal |
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Paramètres de trellis |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
a=3.073 Å c=15.117 Å |
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Empilement de l'ordre |
ABCB |
ABCACB |
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Dureté de Mohs |
≈9,2 |
≈9,2 |
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Densité |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
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Therm. Coefficient d'expansion |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
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Index @750nm de réfraction |
aucun = 2,61 Ne = 2,66 |
aucun = 2,60 Ne = 2,65 |
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Constante diélectrique |
c~9.66 |
c~9.66 |
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ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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Conduction thermique (semi-isolante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
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Bande-Gap |
eV 3,23 |
eV 3,02 |
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Champ électrique de panne |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
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Vitesse de dérive de saturation |
2,0×105 m/s |
2,0×105 m/s |
spécifications de substrat de carbure de silicium de 2 po. de diamètre (sic)
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Catégorie |
Catégorie de production |
Catégorie de recherches |
Catégorie factice |
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Diamètre |
50,8 mm±0.38 millimètre |
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Épaisseur |
330 μm±25μm ou customzied |
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Orientation de gaufrette |
Sur l'axe : <0001> ±0.5° pour 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI outre d'axe : 4.0° vers le 1120 de ±0.5° pour 4H-N/4H-SI |
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Densité de Micropipe |
cm2 ≤5 |
cm2 ≤15 |
cm2 ≤50 |
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Résistivité |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
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6H-N |
0.02~0.1 Ω·cm |
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4/6H-SI |
>1E5 Ω·cm |
(90%) >1E5 Ω·cm |
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Appartement primaire |
{10-10} ±5.0° |
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Longueur plate primaire |
15,9 mm±1.7 millimètre |
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Longueur plate secondaire |
8,0 mm±1.7 millimètre |
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Orientation plate secondaire |
Silicium récepteur : Onde entretenue de 90°. de ±5.0° plat principal |
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Exclusion de bord |
1 millimètre |
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TTV/Bow /Warp |
≤15μm/≤25μm/≤25μm |
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Rugosité |
Ra≤1 polonais nanomètre |
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CMP Ra≤0.5 nanomètre |
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Aucun |
Aucun |
1 laissé, ≤1 millimètre |
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Plats de sortilège par la lumière de forte intensité |
Area≤ cumulatif 1 % |
Area≤ cumulatif 1 % |
Area≤ cumulatif 3 % |
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Aucun |
Area≤ cumulatif 2 % |
Area≤5% cumulatif |
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3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer |
5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer |
8 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer |
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Puce de bord |
Aucun |
3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun |
5 laissés, ≤1 millimètre chacun |
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4 H-N Type/gaufrette/lingots grande pureté sic
2 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic 4 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic 6 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic |
2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic |
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sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette/lingot de type n de pouce 6H sic |
Taille de Customzied pour 2-6inch
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Au sujet de ZMKJ Company
ZMKJ peut fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de haute température et de puissance élevée. Sic la gaufrette peut être fournie dans pouce du diamètre 2-6, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.
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