Double gaufrette 2-6 » 4H N - sic enduites gaufrettes de carbure de silicium de polonais de côté
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | ZMKJ |
Numéro de modèle: | Taille de Customzied |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 1pcs |
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Prix: | 600-1500usd/pcs by FOB |
Détails d'emballage: | paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
Délai de livraison: | 1-6weeks |
Conditions de paiement: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacité d'approvisionnement: | 1-50pcs/month |
Détail Infomation |
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Matériau: | Type du monocristal sic 4H-N | Qualité: | Simulacre/catégorie /Production de recherches |
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Thicnkss: | 4 adaptés aux besoins du client | Suraface: | LP/LP ou comme-coupe |
Application: | essai de polissage de fabricant de dispositif | Diamètre: | 150±0.5mm |
Surligner: | substrat de carbure de silicium,silicium sur des gaufrettes de saphir |
Description de produit
Gaufrettes de substrats de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm de la catégorie 6inch de l'essai 4H-N (sic), de lingots substrats sic en cristal de semi-conducteur sic, gaufrette en cristal de carbure de silicium
Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)
Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance
spécifications conductrices de gaufrette de 4 pouces sic | ||||
Produit | 4H-SiC | |||
Catégorie | Catégorie I | Catégorie II | Catégorie III | |
secteurs polycristallins | Aucun n'a laissé | Aucun n'a laissé | <5> | |
secteurs de polytype | Aucun n'a laissé | ≤20% | 20% | 50% | |
Densité de Micropipe) | <>5micropipes/cm-2 | <>30micropipes/cm-2 | <100micropipes>-2 | |
Secteur utilisable total | >95% | >80% | NON-DÉTERMINÉ | |
Diamètre | 100,0 millimètres +0/-0.5 millimètres | |||
Épaisseur | 500 μm du ± 25 de μm ou spécifications de client | |||
Dopant | type de n : azote | |||
Orientation plate primaire) | Perpendiculaire<11-20> au ± 5.0° | |||
Longueur plate primaire | 32,5 millimètres de ± 2,0 millimètres | |||
Orientation plate secondaire) | Onde entretenue de 90° du ± plat primaire 5.0° | |||
Longueur plate secondaire) | 18,0 millimètres de ± 2,0 millimètres | |||
Sur l'orientation de gaufrette d'axe) | {± 0.25° de 0001} | |||
Outre de l'orientation de gaufrette d'axe | 4.0° vers <11-20> le ± 0.5° ou les spécifications de client | |||
TTV/BOW/Warp | <>5μm/<10>μm/< 20=""> | |||
Résistivité | 0.01~0.03 ×cm de Ω | |||
Finition extérieure | Poli de visage de C. CMP de visage de SI (visage de SI : Rq<> 0,15 nanomètres) ou spécifications de client |
Double poli de côté |
Gaufrette du type 4H-N/grande pureté sic
2 gaufrette de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic 4 gaufrette de type n de pouce 4H sic 6 gaufrette de type n de pouce 4H sic |
gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic 2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic |
sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette de type n de pouce 6H sic |
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Ventes et service à la clientèle
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Qualité
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Service
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