Description de produit

3 pouces InP Indium Phosphide Substrate de type N semi-conducteur méthode de croissance VGF 000 001 orientation

Résumé du produit

Nos produits à base d'InP (phosphure d'indium) offrent des solutions de haute performance pour une variété d'applications dans les industries des télécommunications, de l'optoélectronique et des semi-conducteurs.d'une épaisseur n'excédant pas 1 mm, nos matériaux InP permettent le développement de dispositifs photoniques avancés, y compris des lasers, des photodétecteurs et des amplificateurs optiques.ou composants conçus sur mesure, nos produits InP offrent fiabilité, efficacité et précision pour vos projets photoniques exigeants.

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Propriétés du produit

1. Haute transparence optique: InP présente une excellente transparence optique dans la région infrarouge, ce qui le rend adapté à diverses applications optoélectroniques.

2. Intervalle de bande directe: La nature de l'intervalle de bande directe de l'InP permet une émission et une absorption de lumière efficaces, ce qui le rend idéal pour les lasers semi-conducteurs et les photodétecteurs.

3. Haute mobilité électronique: InP offre une grande mobilité électronique, permettant un transport rapide des chargeurs et facilitant les appareils électroniques à grande vitesse.

4. Faible conductivité thermique: La faible conductivité thermique de l'InP contribue à une dissipation thermique efficace, ce qui le rend approprié pour les appareils optoélectroniques de haute puissance.

5. Stabilité chimique: InP démontre une bonne stabilité chimique, assurant la fiabilité à long terme des dispositifs même dans des environnements de fonctionnement difficiles.

6. Compatibilité avec les semi-conducteurs composés III-V: l'InP peut être intégré en toute transparence avec d'autres semi-conducteurs composés III-V,permettant le développement d'hétérostructures complexes et de dispositifs multifonctionnels.

7. La bande passante de l'InP peut être conçue en ajustant la composition du phosphore, ce qui permet la conception de dispositifs avec des propriétés optiques et électroniques spécifiques.

8. Voltage de rupture élevé: InP présente une tension de rupture élevée, assurant la robustesse et la fiabilité des appareils dans les applications à haute tension.

9. Faible densité de défaut: les substrats InP et les couches épitaxiales ont généralement une faible densité de défaut, ce qui contribue à des performances et à un rendement élevés de l'appareil.

10. Compatibilité environnementale: InP est respectueux de l'environnement et présente un risque minimal pour la santé et l'environnement pendant la fabrication et l'exploitation.

11. Paramètre	2 ̊ InP Wafer dopé en S	2 ̊ Wafer InP dopé au Fe
    Matériel	Plaquette à cristal unique VGF InP	Plaquette à cristal unique VGF InP
    Grade	Épi-prêt	Épi-prêt
    Dépendant	S	Le Fe
    Type de conduction	S-C-N	Je vous en prie.
    Diamètre de la gaufre (mm)	500,8 ± 0.4	500,8 ± 0.4
    Les orientations	(100) o± 0,5°	(100) o±0,5o
    D'emplacement / longueur	Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 utilisé.	Le nombre d'heures d'attente est le plus élevé possible.
    SI Localisation / longueur	Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de la période de travail.	Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de la période de travail.
    Concentration du support (cm-3)	(1 à 6) E 18	1.0E7 à 5.0E8
    Résistance (Wcm)	8 à 15 E-4	≥1,0E7
    Mobilité (cm2/Vs)	1300 à 1800	≥ 2000
    Département de production moyen (cm-2)	≤ 500	≤ 3000
    Épaisseur (μm)	475 ± 15	475 ± 15
    Le nombre de fois où le véhicule est utilisé	≤ 15	≤ 15
    Arbre à voile (μm)	≤ 15	≤ 15
    Enveloppe (μm)	≤ 15	≤ 15
    Nombre de particules	N/A	N/A
    Surface	Côté avant: poli, Côté noir: gravé	Côté avant: poli, Côté noir: gravé
    Emballages de gaufres	Wafer fixé par une araignée dans un plateau individuel et scellé avec du N2 dans un sac de blindage statique.	Wafer fixé par une araignée dans un plateau individuel et scellé avec du N2 dans un sac de blindage statique.

12. Applications du produit

13. Télécommunications: les appareils basés sur InP sont largement utilisés dans les réseaux de télécommunications pour la transmission de données à grande vitesse.y compris les systèmes de communication par fibre optique et la communication sans fil à haute fréquence.

14. Photonics: les matériaux InP sont essentiels pour le développement de divers dispositifs photoniques, tels que les lasers semi-conducteurs, les photodétecteurs, les modulateurs et les amplificateurs optiques, utilisés dans les télécommunications,détection, et les applications d'imagerie.

15. Optoélectronique: les appareils optoélectroniques basés sur l'InP, tels que les diodes électroluminescentes (LED), les diodes laser et les cellules solaires, trouvent des applications dans les écrans, l'éclairage, les équipements médicaux,et les systèmes d'énergie renouvelable.

16. Électronique des semi-conducteurs: les substrats InP et les couches épitaxiales servent de plateformes pour la fabrication de transistors haute performance, de circuits intégrés et de dispositifs à micro-ondes pour les systèmes radar,communications par satellite, et des applications militaires.

17. Détection et imagerie: Les photodétecteurs et capteurs d'imagerie basés sur InP sont utilisés dans diverses applications de détection, notamment la spectroscopie, le lidar, la surveillance et l'imagerie médicale,en raison de leur sensibilité élevée et de leur temps de réponse rapide.

18. Technologie quantique: les points quantiques InP et les puits quantiques sont explorés pour leurs applications potentielles dans l'informatique quantique, la communication quantique et la cryptographie quantique,offrant des avantages en matière de cohérence et d'évolutivité.

19. Défense et aérospatiale: les appareils InP sont déployés dans les systèmes de défense et aérospatiale pour leur fiabilité, leur fonctionnement à grande vitesse et leur dureté radiologique, en soutenant des applications telles que les systèmes radar,guidage de missiles, et la communication par satellite.

20. Ingénierie biomédicale: les capteurs optiques et les systèmes d'imagerie basés sur l'InP sont utilisés dans la recherche biomédicale et le diagnostic clinique pour la surveillance non invasive, l'imagerie,et analyse spectroscopique des échantillons biologiques.

21. Surveillance environnementale: les capteurs basés sur InP sont utilisés pour des applications de surveillance environnementale, y compris la détection de la pollution, la détection des gaz et la télédétection des paramètres atmosphériques,contribuer aux efforts de durabilité environnementale.

22. Technologies émergentes: l'InP continue de trouver des applications dans les technologies émergentes telles que le traitement quantique de l'information, l'intégration de la photonique du silicium et l'électronique terahertz,les progrès de l'informatique, la communication et les sens.

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