Wafers SOI 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, compatibles avec la structure CMOS à trois couches

Description du produit:

La plaque SOI (Silicon on Insulator) est une merveille pionnière dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs, révolutionnant le paysage de l'électronique avancée.Cette galette de pointe incarne un trifecte d'innovation, offrant des performances, une efficacité et une polyvalence inégalées.

Au cœur se trouve une structure à trois couches, dont la couche supérieure est constituée d'une couche de silicium monocristallin, connue sous le nom de couche de dispositif, qui sert de base aux circuits intégrés.En dessous se trouve la couche d'oxyde enterrée., fournissant une isolation entre la couche supérieure de silicium et la base.formant le substrat sur lequel est construit ce chef-d'œuvre technologique.

L'une des caractéristiques les plus remarquables de la plaque SOI est sa compatibilité avec la technologie CMOS (complémentaire métal-oxyde-semiconducteur).Cette compatibilité intègre parfaitement les avantages de l'IES dans les processus de fabrication de semi-conducteurs existants, offrant un moyen d'améliorer les performances sans perturber les méthodes de production établies.

La composition innovante en trois couches de la gaufre SOI présente un certain nombre d'avantages: elle réduit considérablement la consommation d'énergie, grâce aux propriétés isolantes de la couche d'oxyde enfouie,qui minimise la capacité des appareils électroniques et améliore la vitesse et l'efficacité du circuitCette réduction de la consommation d'énergie améliore non seulement la durée de vie de la batterie des appareils portables, mais contribue également à un fonctionnement énergétiquement efficace dans de nombreuses applications.

En outre, la couche d'isolation de la plaque SOI confère une résistance supérieure aux rayonnements, ce qui la rend exceptionnellement adaptée aux applications dans des environnements difficiles et à haut rayonnement.Sa capacité à atténuer les effets des radiations assure sa fiabilité et sa fonctionnalité, même dans des conditions extrêmes.

La structure en trois couches diminue également les interférences du signal, optimisant ainsi les performances des circuits intégrés en réduisant le bruit croisé entre les composants.ouvrir la voie à une efficacité accrue du traitement des données et de la communication.

En outre, la couche d'isolation contribue à une dissipation de chaleur efficace, dispersant efficacement la chaleur à l'intérieur de la plaque.assurer une performance et une longévité durables des circuits intégrés.

En conclusion, la plaque SOI représente un changement de paradigme dans la technologie des semi-conducteurs.débloque un domaine de possibilités pour l'électronique haute performanceDe l'électronique grand public écoénergétique à des solutions robustes pour l'aérospatiale et la défense,La conception innovante de la plaque SOI et ses avantages à multiples facettes en font une pierre angulaire du monde en constante évolution de l'innovation en matière de semi-conducteurs..

Caractéristiques:

Structure à double couche: la plaque SOI est constituée de trois couches, la couche supérieure étant la couche de silicium monocristallin (couche de dispositif),la couche intermédiaire étant la couche isolante (couche d'oxyde enfouie), et la couche inférieure étant le substrat de silicium (couche de poignée).

Faible consommation d'énergie: en raison de la présence de la couche isolante, la plaque SOI présente une consommation d'énergie plus faible dans les appareils électroniques.La couche isolante réduit l'effet de couplage de la capacité entre les appareils électroniques, améliorant ainsi la vitesse et l'efficacité des circuits intégrés.

Résistance aux rayonnements: la couche isolante de la gaufre SOI améliore la résistance du silicium aux rayonnements, ce qui lui permet de mieux fonctionner dans des environnements à haut rayonnement,le rendant adapté à des applications spécifiques.

Réduction du bruit croisé: la présence de la couche isolante aide à réduire le bruit croisé entre les signaux, améliorant ainsi les performances des circuits intégrés.

Dissipation thermique: la couche isolante de la plaque SOI contribue à la diffusion de chaleur, améliorant l'efficacité de la dissipation thermique des circuits intégrés, aidant à prévenir la surchauffe de la puce.

Intégration et performances élevées: la technologie SOI permet aux puces d'avoir une intégration et des performances plus élevées, permettant aux appareils électroniques d'accueillir plus de composants dans la même taille.

Compatibilité CMOS: les plaquettes SOI sont compatibles avec la technologie CMOS, ce qui profite aux processus de fabrication de semi-conducteurs existants.

Fabrication de plaquettes à base de SOI

Paramètres techniques:

Applications:

La fabrication de microprocesseurs et de circuits intégrés: la technologie SOI joue un rôle essentiel dans la fabrication de microprocesseurs et de circuits intégrés.performances élevées, et la résistance aux rayonnements en font un choix idéal pour les microprocesseurs hautes performances, en particulier dans des domaines tels que les appareils mobiles et le cloud computing.

Communication et technologie sans fil: L'application généralisée de la technologie SOI dans le secteur des communications est due à sa capacité à réduire la consommation d'énergie et à améliorer l'intégration.Il s'agit notamment de la fabrication de circuits intégrés hautes performances pour les appareils radiofréquences (RF) et micro-ondes., ainsi que des puces efficaces pour les appareils 5G et Internet des objets (IoT).

Technologie de l'imagerie et des capteurs: les plaquettes SOI trouvent une utilisation significative dans la production de capteurs d'image et de divers types de capteurs.Leur haute performance et leur faible consommation d'énergie les rendent essentiels dans des domaines tels que les caméras., équipement d'imagerie médicale et capteurs industriels.

Aérospatiale et défense: La nature résistante aux radiations des plaquettes SOI les rend excellentes dans les environnements à haut rayonnement, ce qui conduit à des applications cruciales dans l'aérospatiale et la défense.Ils sont utilisés dans la fabrication de composants clés pour les véhicules aériens sans pilote, satellites, systèmes de navigation et capteurs hautes performances.

Gestion de l'énergie et technologies vertes: en raison de leur faible consommation d'énergie et de leur efficacité élevée, les plaquettes SOI trouvent également des applications dans la gestion de l'énergie et les technologies vertes.Il s'agit notamment de l'utilisation dans les réseaux intelligents, les sources d'énergie renouvelables et les dispositifs d'économie d'énergie.

Dans l'ensemble, l'application polyvalente des plaquettes SOI s'étend à divers domaines, en raison de leurs propriétés uniques,ce qui en fait un matériau préféré pour de nombreux appareils et systèmes électroniques hautes performances.

Personnalisation:

Nom de marque: ZMSH

Numéro de modèle: plaquette SOI

Lieu d'origine: Chine

Le substrat semi-conducteur personnalisé est fabriqué avec une technologie avancée de film mince, électro-oxydation, conductivité, filtration et dopage.surface plane de haute qualité, réduisant les défauts, une faible concentration d'impuretés visant à minimiser les effets de la mobilité des électrons, une structure cristalline de haute qualité, contribuant aux performances de l'appareil et une forte résistance aux rayonnements.

Assistance et services:

Nous fournissons un support technique complet et un service pour nos produits de substrat semi-conducteur, y compris:

• Conseils pour la sélection des produits
• Installation et mise en service
• Maintenance, réparations et améliorations
• Détection et résolution de problèmes
• Formation et éducation des utilisateurs
• Remplacement et échange de produits

Notre équipe de support technique est composée de professionnels expérimentés qui s'engagent à assurer la satisfaction de nos clients.Nous nous efforçons de fournir des temps de réponse rapides et une résolution efficace des problèmes.