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Couche d'oxyde thermique SiO2 épaisseur de gaufre 20um Système de communication optique MEMS
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | Ultra-thick silicon oxide wafer |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5 |
|---|---|
| Délai de livraison: | 2-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T, |
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Détail Infomation |
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| Point d'ébullition: | 2,230° C (4,046° F) | SOURIRES: | O=[Si]=O |
|---|---|---|---|
| Tolérance à l'épaisseur des oxydes: | +/- 5% (des deux côtés) | Indice de réfraction: | Environ 1.44 |
| Conductivité thermique: | Environ 1,4 W/m·K @ 300K | Poids moléculaire: | 60.09 |
| Domaines d'application: | Fabrication de semi-conducteurs, microélectronique, appareils optiques, etc. | Indice de réfraction: | 550 nm de 1,4458 ± 0.0001 |
| Surligner: | Système de communication optique Wafer au dioxyde de silicium,Wafer à couche d'oxyde thermique SiO2,Wafer à base de 20um SiO2 |
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Description de produit
Wafer SiO2 épaisseur de laveuse d'oxyde thermique 20um+5% Système de communication optique MEMS
Description du produit:
La plaque de dioxyde de silicium SIO2 sert d'élément fondamental dans la fabrication de semi-conducteurs.ce substrat crucial est disponible en diamètres de 6 pouces et 8 poucesIl agit principalement comme une couche isolante essentielle, jouant un rôle central dans la microélectronique en fournissant une résistance diélectrique élevée.Son indice de réfraction, soit environ 1,4458 à 1550 nm, assure des performances optimales dans diverses applications.
Reconnue pour son uniformité et sa pureté, cette plaque est le choix idéal pour les appareils optiques, les circuits intégrés et la microélectronique.Ses propriétés facilitent les processus de fabrication de dispositifs précis et soutiennent les progrès technologiquesAu-delà de son rôle fondamental dans la fabrication de semi-conducteurs, il étend sa fiabilité et sa fonctionnalité à un large éventail d'applications, garantissant stabilité et efficacité.
Avec ses caractéristiques exceptionnelles, la plaque de dioxyde de silicium SIO2 continue de stimuler les innovations dans la technologie des semi-conducteurs, permettant des progrès dans des domaines tels que les circuits intégrés,optoélectroniqueSa contribution aux technologies de pointe souligne son importance en tant que matériau de base dans le domaine de la production de semi-conducteurs.
Caractéristiques:
- Nom du produit: Substrate semi-conducteur
- Indice de réfraction: 550 nm de 1,4458 ± 0.0001
- Point d'ébullition: 2 230 °C
- Les domaines d'application: fabrication de semi-conducteurs, microélectronique, appareils optiques, etc.
- Épaisseur: 20 mm, 10 mm et 25 mm
- Poids moléculaire: 60.09
- Matériau de semi-conducteur: Oui
- Matériau du substrat: Oui
- Applications: fabrication de semi-conducteurs, microélectronique, appareils optiques, etc.
Paramètres techniques:
| Paramètre | Spécification |
| Épaisseur | 20 mm, 10 mm et 25 mm |
| Densité | 2533 Kg/m3 |
| Tolérance à l'épaisseur des oxydes | +/- 5% (des deux côtés) |
| Domaines d'application | Fabrication de semi-conducteurs, microélectronique, appareils optiques, etc. |
| Point de fusion | 1,600° C (2,912° F) |
| Conductivité thermique | Environ 1,4 W/m·K @ 300K |
| Indice de réfraction | Environ 1.44 |
| Poids moléculaire | 60.09 |
| Coefficient d'expansion | 0.5 × 10^-6/°C |
| Indice de réfraction | 550 nm de 1,4458 ± 0.0001 |
| Plaquettes d'oxyde de silicium ultra épaisses | Applications |
| Oxydation de surface | Wafer ultra-mince |
| Conductivité thermique | Environ 1,4 W/m·K @ 300K |
Applications:
- Transistors à film mince:Utilisé dans la production de dispositifs TFT.
- Piles solaires:Utilisé comme substrat ou couche isolante dans la technologie photovoltaïque.
- "Système de détection de l'énergie" (MEMS) (systèmes microélectro-mécaniques):Cruciale pour le développement de dispositifs MEMS.
- Sensors chimiques:Utilisé pour la détection chimique sensible.
- Dispositifs biomédicaux:Utilisé dans diverses applications biomédicales.
- Produits photovoltaïques:Prend en charge la technologie des cellules solaires pour la conversion d'énergie.
- Passivation de surface:Aides à la protection de la surface des semi-conducteurs.
- Les guides d'ondes:Utilisé dans la communication optique et la photonique.
- Les fibres optiques:Intégré dans les systèmes de communication optique.
- Sensors de gaz:Employé pour la détection et l'analyse de gaz.
- Les nanostructures:Utilisé comme substrat pour le développement de nanostructures.
- Les condensateurs:Utilisé dans diverses applications électriques.
- Séquence de l' ADN:Soutient les applications dans la recherche génétique.
- Biosensors:Utilisé pour l'analyse biologique et chimique.
- Microfluidique:Intégrale dans la fabrication de dispositifs microfluidiques.
- Les diodes électroluminescentes (LED):Prend en charge la technologie LED dans diverses applications.
- Les microprocesseurs:Essentiel pour la production de microprocesseurs.
Personnalisation:
Nom de marque:ZMSH
Numéro de modèle:Plaquettes d'oxyde de silicium ultra épaisses
Le lieu d'origine:Chine
Notre substrat semi-conducteur est conçu avec une conductivité thermique élevée, une oxydation de surface et une plaque d'oxyde de silicium ultra-épaisse.4 W/(m·K) @ 300 K et point de fusion de 1Le point d'ébullition est de 2 230 °C et l'orientation est de < 100>< 11>< 110>. Le poids moléculaire de ce substrat est de 60.09.
Assistance et services:
Notre équipe d'experts est disponible pour répondre à toutes vos questions sur le produit et ses caractéristiques.Nous pouvons également vous aider à résoudre les problèmes que vous rencontrez lors de l'utilisation du produit.Nous offrons également une assistance à distance pour ceux qui en ont besoin. Notre équipe d'assistance est disponible pendant les heures normales de bureau, et nous pouvons être contactés par téléphone, e-mail ou via notre site Web.
Emballage et expédition
Pour l'emballage et l'expédition du substrat semi-conducteur:
- Les produits emballés doivent être manipulés avec précaution et, dans la mesure du possible, doivent être recouverts d'un revêtement protecteur, tel qu'une mousse ou une mousse.
- Si possible, utilisez plusieurs couches de couverture de protection.
- Étiquetez le colis avec le contenu et la destination.
- Envoyez le colis à l'aide d'un service d'expédition approprié.
FAQ:
- Q: Quel est le nom de marque de Semiconductor Substrate?
- R: La marque est ZMSH.
- Q: Quel est le numéro de modèle du substrat semi-conducteur?
- R: Le numéro de modèle est une gaufre à oxyde de silicium ultra épaisse.
- Q: Où le substrat de semi-conducteur est-il fabriqué?
- R: Il est fabriqué en Chine.
- Q: Quel est le but du substrat semi-conducteur?
- R: Le substrat semi-conducteur est utilisé dans la fabrication de circuits intégrés, de systèmes microélectromécaniques et d'autres microstructures.
- Q: Quelle est la caractéristique du substrat semi-conducteur?
- R: Les caractéristiques du substrat semi-conducteur comprennent un faible coefficient d'expansion thermique, une conductivité thermique élevée, une résistance mécanique élevée et une excellente résistance à la température.