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Arséniure InAs d'indium
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February 15, 2023
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Gaufrette de phosphure d'indium de germanium/arséniure de gallium
Substrat InAs
Substrat de semi-conducteur
Substrat monocristallin de semi-conducteur monocristallin Substrat InAs d'arséniure d'indium
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Dispositif électronique à base de plaquette de Si à cristal unique, sous-strate de photolithographie, couche 2"3"4"6"8"
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Conductivité des plaquettes de silicium de haute pureté Cellules solaires
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4 pouces 6 pouces 8 pouces Wafers SOI compatibles avec la structure CMOS à trois couches
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Couche d'oxyde thermique SiO2 épaisseur de gaufre 20um Système de communication optique MEMS
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