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Équipement de levage laser à semi-conducteurs pour l'amincissement non destructif des lingots
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | Équipement de décollage au laser |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | 500 USD |
| Détails d'emballage: | cartons sur mesure |
| Délai de livraison: | 4-8 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | par cas |
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Détail Infomation |
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| Longueur d'onde: | IR/SHG/THG/FHG | Étape XY: | 500 mm × 500 mm |
|---|---|---|---|
| Plage de traitement: | 160 millimètres | Répétabilité: | ± 1 μm ou moins |
| Précision de position absolue: | ± 5 μm ou moins | Taille de gaufrette: | 2–6 pouces Ou Personnalisé |
| Mettre en évidence: | Équipement d'amincissement de lingots non destructeur,Équipement de levage laser à semi-conducteurs |
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Description de produit
Équipement de décollement laser de semi-conducteurs pour l'amincissement non destructif des lingots
Aperçu du produit de l'équipement de décollement laser
L'équipement de décollement laser de semi-conducteurs représente une solution de nouvelle génération pour l'amincissement avancé des lingots dans le traitement des matériaux semi-conducteurs. Contrairement aux méthodes de tranchage traditionnelles qui reposent sur le meulage mécanique, le sciage au fil diamanté ou la planarisation chimico-mécanique, cette plateforme basée sur le laser offre une alternative sans contact et non destructive pour détacher des couches ultra-minces des lingots de semi-conducteurs en vrac.
Optimisé pour les matériaux fragiles et de grande valeur tels que le nitrure de gallium (GaN), le carbure de silicium (SiC), le saphir et l'arséniure de gallium (GaAs), l'équipement de décollement laser de semi-conducteurs permet une découpe précise de films à l'échelle des plaquettes directement à partir du lingot cristallin. Cette technologie révolutionnaire réduit considérablement le gaspillage de matériaux, améliore le débit et améliore l'intégrité des substrats, ce qui est essentiel pour les appareils de nouvelle génération dans l'électronique de puissance, les systèmes RF, la photonique et les micro-écrans.
En mettant l'accent sur le contrôle automatisé, le façonnage du faisceau et l'analyse de l'interaction laser-matériau, l'équipement de décollement laser de semi-conducteurs est conçu pour s'intégrer de manière transparente dans les flux de travail de fabrication de semi-conducteurs tout en prenant en charge la flexibilité de la R&D et l'évolutivité de la production de masse.
Technologie et principe de fonctionnement de l'équipement de décollement laser
Le processus effectué par l'équipement de décollement laser de semi-conducteurs commence par l'irradiation du lingot donneur d'un côté à l'aide d'un faisceau laser ultraviolet à haute énergie. Ce faisceau est focalisé avec précision sur une profondeur interne spécifique, généralement le long d'une interface conçue, où l'absorption d'énergie est maximisée en raison du contraste optique, thermique ou chimique.
À cette couche d'absorption d'énergie, le chauffage localisé entraîne une micro-explosion rapide, une expansion des gaz ou une décomposition d'une couche interfaciale (par exemple, un film de contrainte ou un oxyde sacrificiel). Cette perturbation contrôlée avec précision provoque le détachement propre de la couche cristalline supérieure — d'une épaisseur de dizaines de micromètres — de la base du lingot.
L'équipement de décollement laser de semi-conducteurs s'appuie sur des têtes de balayage synchronisées avec le mouvement, un contrôle programmable de l'axe z et une réflectométrie en temps réel pour garantir que chaque impulsion délivre de l'énergie exactement sur le plan cible. L'équipement peut également être configuré avec des capacités en mode rafale ou multi-impulsions pour améliorer la douceur du détachement et minimiser les contraintes résiduelles. Il est important de noter que, comme le faisceau laser n'entre jamais en contact physique avec le matériau, le risque de microfissuration, de gauchissement ou d'écaillage de surface est considérablement réduit.
Cela fait de la méthode d'amincissement par décollement laser un véritable changement de donne, en particulier dans les applications où des plaquettes ultra-plates et ultra-minces sont nécessaires avec une variation d'épaisseur totale (TTV) inférieure au micron.
Paramètres de l'équipement de décollement laser de semi-conducteurs
| Longueur d'onde | IR/SHG/THG/FHG |
|---|---|
| Largeur d'impulsion | Nanoseconde, Picoseconde, Femtoseconde |
| Système optique | Système optique fixe ou système galvano-optique |
| Table XY | 500 mm × 500 mm |
| Plage de traitement | 160 mm |
| Vitesse de déplacement | Max 1 000 mm/sec |
| Répétabilité | ±1 μm ou moins |
| Précision de position absolue : | ±5 μm ou moins |
| Taille de la plaquette | 2–6 pouces ou personnalisée |
| Contrôle | Windows 10,11 et PLC |
| Tension d'alimentation | CA 200 V ±20 V, monophasé, 50/60 kHz |
| Dimensions externes | 2400 mm (L) × 1700 mm (P) × 2000 mm (H) |
| Poids | 1 000 kg |
Applications industrielles de l'équipement de décollement laser
L'équipement de décollement laser de semi-conducteurs transforme rapidement la façon dont les matériaux sont préparés dans de multiples domaines des semi-conducteurs :
- Dispositifs de puissance GaN verticaux de l'équipement de décollement laser
Le décollement de films GaN-sur-GaN ultra-minces à partir de lingots en vrac permet des architectures de conduction verticales et la réutilisation de substrats coûteux.
- Amincissement des plaquettes SiC pour les dispositifs Schottky et MOSFET
Réduit l'épaisseur de la couche du dispositif tout en préservant la planéité du substrat — idéal pour l'électronique de puissance à commutation rapide.
- Matériaux LED et d'affichage à base de saphir de l'équipement de décollement laser
Permet une séparation efficace des couches de dispositifs des boules de saphir pour prendre en charge la production de micro-LED minces et thermiquement optimisées.
- Ingénierie des matériaux III-V de l'équipement de décollement laser
Facilite le détachement des couches GaAs, InP et AlGaN pour l'intégration optoélectronique avancée.
- Fabrication de circuits intégrés et de capteurs à plaquettes minces
Produit des couches fonctionnelles minces pour les capteurs de pression, les accéléromètres ou les photodiodes, où le volume est un goulot d'étranglement des performances.
- Électronique flexible et transparente
Prépare des substrats ultra-minces adaptés aux écrans flexibles, aux circuits portables et aux fenêtres intelligentes transparentes.
Dans chacun de ces domaines, l'équipement de décollement laser de semi-conducteurs joue un rôle essentiel en permettant la miniaturisation, la réutilisation des matériaux et la simplification des processus.
Foire aux questions (FAQ) de l'équipement de décollement laser
Q1 : Quelle est l'épaisseur minimale que je peux obtenir en utilisant l'équipement de décollement laser de semi-conducteurs ?
A1 : Généralement entre 10 et 30 microns selon le matériau. Le processus est capable d'obtenir des résultats plus minces avec des configurations modifiées.
Q2 : Cela peut-il être utilisé pour trancher plusieurs plaquettes à partir du même lingot ?
A2 : Oui. De nombreux clients utilisent la technique de décollement laser pour effectuer des extractions en série de plusieurs couches minces à partir d'un seul lingot en vrac.
Q3 : Quelles sont les caractéristiques de sécurité incluses pour le fonctionnement du laser haute puissance ?
A3 : Les enceintes de classe 1, les systèmes de verrouillage, le blindage du faisceau et les arrêts automatiques sont tous standard.
Q4 : Comment ce système se compare-t-il aux scies à fil diamanté en termes de coût ?
A4 : Bien que les dépenses d'investissement initiales puissent être plus élevées, le décollement laser réduit considérablement les coûts des consommables, les dommages aux substrats et les étapes de post-traitement — ce qui réduit le coût total de possession (TCO) à long terme.
Q5 : Le processus est-il évolutif pour les lingots de 6 ou 8 pouces ?
A5 : Absolument. La plateforme prend en charge des substrats jusqu'à 12 pouces avec une distribution uniforme du faisceau et des tables de mouvement grand format.
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À propos de nous
ZMSH est spécialisée dans le développement, la production et la vente de haute technologie de verres optiques spéciaux et de nouveaux matériaux cristallins. Nos produits servent l'électronique optique, l'électronique grand public et l'armée. Nous proposons des composants optiques en saphir, des protections d'objectifs de téléphones portables, de la céramique, du LT, du carbure de silicium SIC, du quartz et des plaquettes de cristaux semi-conducteurs. Grâce à une expertise qualifiée et à des équipements de pointe, nous excellons dans le traitement de produits non standard, dans le but d'être une entreprise de haute technologie de matériaux optoélectroniques de premier plan.
Informations sur l'emballage et l'expédition
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