• Plaque porteuse SiC Conductivité thermique Résistance à la corrosion Wafer MOCVD
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Plaque porteuse SiC Conductivité thermique Résistance à la corrosion Wafer MOCVD

Plaque porteuse SiC Conductivité thermique Résistance à la corrosion Wafer MOCVD

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH

Conditions de paiement et expédition:

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Détail Infomation

Description de produit

Introduction de la plaque porteuse de SiC

La plaque porteuse SiC est un substrat de support de précision fabriqué à partir de carbure de silicium de haute pureté.et une résistance exceptionnelle à la corrosion chimiqueAvec une surface précision usinée et poli, les plaques porteuses de SiC sont largement utilisées dans le traitement des plaquettes, l'épitaxie MOCVD, le recuit à haute température et d'autres applications exigeantes.Comparé aux matériaux traditionnels comme le quartz ou l'AlNLe SiC offre une stabilité thermique supérieure et une durée de vie prolongée.

 Plaque porteuse SiC Conductivité thermique Résistance à la corrosion Wafer MOCVD 0Plaque porteuse SiC Conductivité thermique Résistance à la corrosion Wafer MOCVD 1

 

Principe de fonctionnementd'une épaisseur n'excédant pas 50 mm

 

Dans les procédés à haute température, la plaque porteuse de SiC sert de support pour transporter des plaquettes ou des matériaux à couches minces.amélioration de la stabilité et de l'uniformité des processusEn outre, en raison de sa dureté et de son inerté chimique, la plaque maintient son intégrité structurelle même dans des environnements corrosifs, assurant la pureté du produit et la sécurité des équipements.

 Plaque porteuse SiC Conductivité thermique Résistance à la corrosion Wafer MOCVD 2

 

Applications typiquesd'une épaisseur n'excédant pas 50 mm

  • Le support du substrat dans l'épitaxie de la MOCVD
  • Traitement thermique des semi-conducteurs à large bande comme le SiC et le GaN
  • Processus de recuit, de frittage et de diffusion des plaquettes
  • Diffuseurs de chaleur et porteurs dans la fabrication de puces LED
  • Transport et support des matériaux dans des environnements à haut vide ou corrosifs

  Plaque porteuse SiC Conductivité thermique Résistance à la corrosion Wafer MOCVD 3

 

Questions et réponsesd'une épaisseur n'excédant pas 50 mm

Q1: Quelle est la température de fonctionnement maximale des plaques porteuses de SiC?
R: Les plaques SiC peuvent généralement résister à des températures allant jusqu'à 1600°C ou plus, selon l'environnement de traitement et la durée.

 

Q2: Comment le SiC se compare-t-il à l'AlN ou au quartz?
R: Le SiC offre une conductivité thermique plus élevée, une résistance aux chocs thermiques supérieure et une durée de vie plus longue, ce qui le rend idéal pour des applications difficiles et à utilisation répétée.

 

Q3: La taille et la forme peuvent-elles être personnalisées?
R: Oui, nous offrons des tailles, des épaisseurs, des motifs de trous et des finitions de surface personnalisés pour répondre à vos besoins spécifiques en matière d'équipement et de processus.

 

 

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