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SiC Ingot fourneau de croissance PVT HTCVD LPE fourneau de croissance à cristal unique SiC Boule pour les gaufres SiC de 6 pouces 8 pouces produit
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | fourneau de croissance SiC Boule |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Délai de livraison: | 6-8 mois |
| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Vacuum Leakage Rate: | ≤ 5 Pa/12 h (after bake-out) | Crucible Diameter: | Ø 400 mm |
|---|---|---|---|
| Furnace Height: | 1250 mm | Heating Method: | PVT HTCVD LP |
| Heating Power: | Pmax = 40 kW, Frequency = 8–12 kHz | Temperature Measurement: | Dual-color infrared pyrometer |
| Pressure Range: | 1–700 mbar | Crystal Size: | 6–8 inches |
| Temperature Control Accuracy: | ±0.5°C | Pressure Rise Rate: | < 5 Pa/12 h |
| Mettre en évidence: | Furonnerie de croissance de lingots de SiC à cristal unique,8 pouces SiC fourneau de croissance en lingots,Un four de croissance en lingots de SiC de 6 pouces |
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Description de produit
SiC Ingot fourneau de croissance PVT HTCVD LPE fourneau de croissance à cristal unique SiC Boule pour les gaufres SiC de 6 pouces 8 pouces produit
SiC ingot de croissance du four abstrait
LeForneau de croissance de lingots SiCIl s'agit d'un système avancé conçu pour la croissance à haut rendement deBoules SiC à cristal uniqueutilisés dans la production de6 poucesetDes plaquettes SiC de 8 pouces. Utilisation de méthodes de croissance polyvalentes, y comprisPVT (transport physique par vapeur),HTCVD (dépôt de vapeur chimique à haute température), etLPE (épitaxie en phase liquide), ce four assure des conditions optimales pour la formation deingots de SiC de haute pureté et de faible défectuosité.
Avec un contrôle précis de la température, de la pression et du vide, leForneau de croissance de lingots SiCpermet une stabilité et une évolutivitéCroissance du SiC Boule, répondant aux exigences de la prochaine générationApplications dans le domaine des semi-conducteursIl s'agit d'un outil qui permet d'améliorer les performances de l'électronique, notamment les véhicules électriques (EV), les énergies renouvelables et les appareils électroniques de grande puissance.la conception personnalisable permet aux fabricants de s'adapter à diverses échelles de production et spécifications cristallines tout en assurant une qualité et un rendement constants des lingots.
SiC Ingot de croissance Données du four
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Taille du cristal | 6 ′′ 8 pouces |
| Méthode de chauffage | Chauffage par induction / résistance |
| Précision de l'installation et du mouvement du fil (mm) | ±0,5 mm |
| Matériau de la chambre et méthode de refroidissement | Refroidissement par eau / refroidissement par air |
| Précision du contrôle de la température | ±0,5°C |
| Précision du contrôle de la pression | Les émissions de gaz à effet de serre sont calculées en fonction de la fréquence d'émission. |
| Le vide ultime | 5 × 10−6 mbar |
| Taux d'augmentation de la pression | < 5 Pa/12 h |
Théorie de la croissance
1. Métode PVT (transport physique de vapeur)
Dans leMéthode de la PVT,carbure de silicium (SiC)Les cristaux sont cultivés à traverssublimation et condensationÀ des températures élevées (2000°C à 2500°C),Poudre de SiCLe produit sublime (transforme du solide en vapeur) à l'intérieur d'un vide ou d'un environnement à basse pression.Vapeur de SiCest transporté par une voie contrôléedégradé de températureetdépôts sur un cristal de graine, où ilElle se condense et pousse.dans un seul cristal, connu sous le nomSiC Boule.
- Principales caractéristiques:
- Croissance cristalline par transport de phase de vapeur.
- Cela nécessite un contrôle précis de la température et de la pression.
- Utilisés pour la productionBoules de SiC à cristal unique en vracpour le découpage des galettes
- Croissance cristalline par transport de phase de vapeur.
2Résistance au chauffage Principe de soutien à la croissance
Danschauffage par résistance, le courant électrique passe à travers unélément de chauffage résistif(par exemple, graphite), générant de la chaleur qui élève la température de la chambre de croissance etMatériau source de SiCCette méthode de chauffage est utilisée pour maintenir les températures élevées et stables nécessaires à laProcessus PVT.
- Principales caractéristiques:
- Chauffage indirectméthode: la chaleur est transférée du chauffe-eau vers le creuset.
- Il fournitchauffage uniforme et contrôlé.
- Convient pourproduction à moyenne échelleavec une consommation d'énergie stable.
SiC Ingot de croissance du four Photo
Le résultat de notre solution SiC
Au ZMSH, leBoules de siliciumproduit en utilisant notre avancéForneau de croissance de lingots SiCLes résultats de cette enquêtequalité cristallineetCompatibilité des procédés, en veillant à ce qu'ils répondent pleinement aux exigences strictes desfabrication de semi-conducteurs.
Principaux avantages:
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Haute pureté cristalline: Nos boules SiC sont cultivées dans des conditions strictement contrôlées, atteignant une pureté exceptionnelle et une contamination minimale, essentielle pour les appareils semi-conducteurs haute performance.
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Faible densité de défauts: Avec un contrôle précis de la température, du vide et de la pression pendant la croissance, nos boules SiCfaible densité de dislocationet des micropipes minimales, assurant des propriétés électriques supérieures et le rendement du dispositif.
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Structure cristalline uniforme: une cristallinité constante sur toute la boule, permettant une découpe et une fabrication efficaces de gaufres avecépaisseur uniforme et qualité du matériau.
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Entièrement compatible avec les procédés à semi-conducteurs: Nos boules SiC sont conçues pour s'aligner sur les normes de l'industriedécapage, polissage et croissance épitaxielleles processus, garantissant une intégration en douceur dans les processus en avalfabrication de dispositifsles flux de travail.
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Production évolutive pour les gaufres de 6 et 8 pouces: Convient à la production en série deWaffles SiC de 6 pouces et de 8 pouces, répondant à la demande croissante du marché pour l'électronique de puissance, les véhicules électriques et les applications à haute fréquence.
Notre survie
ÀZMSH, nous vous offronsservices personnalisablespour répondre aux besoins divers de nos clientsProduction de SiC BouleDe la configuration de l'équipement au support des processus, nous nous assurons que chaque solution s'aligne parfaitement avec vos objectifs de production et vos exigences techniques.
Ce que nous offrons:
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Conception d'équipements sur mesureNous personnalisons leLe four de croissance de SiC Bouleles spécifications, y compris la taille du cristal (6 pouces, 8 pouces ou sur mesure), la méthode de chauffage (induction/résistance) et les systèmes de contrôle, pour répondre à vos besoins de production spécifiques.
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Personnalisation des paramètres de processus: Nous vous aidons à optimiser les paramètres de température, de pression et de vide en fonction de votre qualité de cristal désirée, assurant une croissance stable et efficace deBoules de silicium.
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Installation sur place et mise en serviceNotre équipe d'experts fournit:l'installation sur place, l'étalonnage et l'intégration des systèmes pour assurer que votre équipement fonctionne à son maximum dès le premier jour.
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Formation des clientsNous offrons une offre complèteformation techniquepour votre personnel, couvrant le fonctionnement, l'entretien et le dépannage du four, afin d'assurer une utilisation sûre et efficace.
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Assistance après-vente: ZMSH fournit des services à long termeservice après-vente, y compris l'assistance à distance, l'entretien périodique et les services de réparation rapide pour minimiser les temps d'arrêt.