Équipement d'implantation ionique pour semi-conducteurs

Ai300 Implanteur ionique (12 pouces)

(1) Aperçu du produitL'Ai300 est un système d'implantation ionique à faisceau moyen conçu pour le traitement de plaquettes de 12 pouces dans la fabrication de semi-conducteurs avancés. Il est principalement utilisé pour les étapes d'implantation à dose moyenne et à énergie moyenne à élevée, y compris la formation de puits, l'ingénierie de canal et les structures de drain légèrement dopé (LDD) dans les processus CMOS. Le système offre un contrôle précis de la profondeur et des profils de concentration des dopants grâce à une livraison de faisceau stable et un contrôle d'angle précis, permettant l'optimisation des caractéristiques électriques des dispositifs.

(2) Spécifications clés Espèces implantées : C, B, P, N, He, ArAngle d'implantation : 0°–45° (précision ≤ 0,1°)Plage de dose : 1E11–1E16 ions/cm²Uniformité/Répétabilité : ≤ 0,5%(3) Caractéristiques techniques et avantagesDispositifs logiques avancés (CMOS, FinFET)1. Qu'est-ce que l'implantation ionique et pourquoi est-elle importante dans la fabrication de semi-conducteurs ?2. Quelle est la différence entre les implanteurs ioniques à faisceau moyen et à faisceau élevé ?Les implanteurs à faisceau moyen sont généralement utilisés pour les applications de dopage de précision avec des doses modérées et des plages d'énergie plus larges, telles que la formation de puits et l'ingénierie de canal. Les implanteurs à faisceau élevé, quant à eux, sont optimisés pour l'implantation à forte dose avec des courants de faisceau plus élevés, couramment utilisés pour la formation de sources/drains et l'ingénierie de contact.3. Comment choisir le bon système d'implantation ionique pour mon processus ? Type de matériau (Si vs SiC)Par exemple :Utiliser l'Ai300 pour le dopage de précision CMOS avancéUtiliser l'Ai350HT pour l'implantation à haute température SiC