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Le four de production de boules de SiC PVT HTCVD et les technologies LPE pour la production de boules de SiC à cristal unique
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | fourneau de croissance SiC Boule |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
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| Délai de livraison: | 6-8 mois |
| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Dimensions (L × W × H): | 3200 × 1150 × 3600 mm or customise | Ultimate Vacuum: | 5 × 10⁻⁶ mbar |
|---|---|---|---|
| Furnace Height: | 1250 mm | Heating Method: | PVT, HTCVD, and LPE |
| Temperature Range: | 900–3000°C | Pressure Range: | 1–700 mbar |
| Crystal Size: | 6–8 inches | Pressure Rise Rate: | < 5 Pa/12 h |
| Optional Features: | Shaft rotation, dual temperature zones | ||
| Mettre en évidence: | Chauffure de production de boules LPE SiC,Un four de croissance de boules au SiC à cristal unique,Chauffure de production de boules à SiC PVT |
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Description de produit
Le four de production de boules de SiC est équipé de PVT, de HTCVD et de technologies LPE pour la production de boules de SiC monocristallines.
Résumé du four de croissance SiC Boule
La ZMSH est fière de vous proposerLe four de croissance de SiC Boule, une solution avancée conçue pour la production deBoules SiC à cristal unique. Utilisation de technologies de pointe telles quePVT (transport physique par vapeur),HTCVD (dépôt de vapeur chimique à haute température), etLPE (épitaxie en phase liquide), notreLe four de croissance de SiC Bouleest optimisé pour la croissance stable et efficace de produits de haute puretéBoules de siliciumCe fourneau soutient la production6 pouces,8 pouces, et taille personnaliséeBoules de silicium, répondant aux exigences strictes de l'électronique de puissance, des véhicules électriques et des systèmes d'énergie renouvelable.
Propriétés du four de croissance SiC Boule
- Compatibilité entre plusieurs technologiesLeLe four de croissance de SiC Boulesupporte les processus PVT, HTCVD et LPE, offrant une flexibilité pour différentes méthodes de croissance des cristaux de SiC.
- Contrôle précis de la température: la résistance avancée ou le chauffage par induction assure une répartition uniforme de la température, avec une précision de contrôle de ±1°C, essentielle pour une étanchéité sans défautSiC Boulela croissance.
- Contrôle du vide et de la pression: Les systèmes de vide et de pression intégrés de haute précision maintiennent des conditions de croissance optimales, améliorant ainsi la qualité de l'eau et la qualité de l'eau.SiC Boulequalité et rendement.
- Support de taille de cristal: Capable de se développerBoules SiC de 6 et 8 pouces, avec une personnalisation disponible pour des tailles plus grandes.
- Haute efficacité et sécuritéLeLe four de croissance de SiC Bouleest conçu pour une efficacité énergétique, une facilité d'utilisation et une sécurité, avec des caractéristiques telles que le chargement au fond et des systèmes de commande automatique.
- Environnement stable pour la croissance des cristaux: Assure des conditions de croissance cohérentes, réduit la densité des défauts et améliore les performances des produitsDes plaquettes de SiC.
Spécification Détails Les dimensions (L × P × H) 3200 × 1150 × 3600 mm Diamètre du creuset Ø 400 mm Le vide ultime 5 × 10−4 Pa (après 1,5 h de pompage) Diamètre de l'arbre de rotation Ø 200 mm Hauteur du four 1250 mm Méthode de chauffage Chauffage par induction Température maximale 2400°C Puissance de chauffage Pmax = 40 kW, fréquence = 8 ∼ 12 kHz Mesure de la température Pyromètre infrarouge à double couleur Plage de température 900 ∼ 3000°C Précision de la température ± 1°C Plage de pression 1 ‰ 700 mbar Précision du contrôle de la pression 1 ‰ 10 mbar: ± 0,5% F.S;
10 à 100 mbar: ± 0,5% F.S.
Pour les véhicules à moteur à commande autonome, la valeur de l'indicateur de freinage doit être supérieure à:Mode de chargement Chargement au fond, fonctionnement sûr et facile Caractéristiques facultatives Rotation de l'arbre, deux zones de température
Trois types de four de croissance de boules de SiC détails
Photo du four de croissance SiC Boule
SiC Boule de notre four
Photo du four de croissance de boules SiC dans l'usine des clients
Ci-dessous une installation de notreLe four de croissance de SiC BouleNous avons développé des systèmes de production de produits de base, qui sont utilisés dans les installations de nos clients, démontrant une application réelle et des performances fiables dans les environnements de production de masse.Le four de croissance de SiC Boulepour la production à grande échelle deDes plaquettes de SiCavec une consistance et une qualité exceptionnelles.
Services personnalisables pour les fours de croissance de boules au SiC
ÀZMSH, nous comprenons que les besoins de production de chaque client sont uniques.Des solutions entièrement personnalisablesPour notreLe four de croissance de SiC Boule, assurant une compatibilité optimale avec vos processus de production, vos exigences techniques et vos objectifs de croissance des cristaux.