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Méthode de résistance du four de croissance monocristallin au carbure de silicium 6 8 12 pouces four de croissance de lingots SiC
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | fourneau de croissance de lingots SiC |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Délai de livraison: | 5 à 10 mois |
| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Objectif: | pour un four de croissance à cristal unique SiC de 6 8 12 pouces | Les dimensions (L × P × H): | Les dimensions (L × P × H) |
|---|---|---|---|
| Plage de pression: | 1 ‰ 700 mbar | Plage de température: | 900 ∼ 3000°C |
| Température maximale du four: | 2500°C | Diamètre de l'arbre de rotation: | 50 mm |
| Mettre en évidence: | four de croissance de lingots SiC de 12 pouces,fourneau de croissance de lingots SiC |
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Description de produit
Méthode de résistance du four de croissance monocristallin au carbure de silicium 6 8 12 pouces four de croissance de lingots SiC
ZMSH SiC Single Crystal Growth Furnace: Conçu avec précision pour des plaquettes SiC de haute qualité
ZMSH est fière de présenter son four de croissance à cristal unique SiC, une solution avancée conçue pour la fabrication de plaquettes SiC haute performance.Notre four produit efficacement des cristaux simples de SiC en 6 pouces, de 8 pouces et de 12 pouces, répondant aux besoins croissants des industries telles que les véhicules électriques (VE), les énergies renouvelables et l'électronique haute puissance.
Propriétés du four de croissance à cristal unique en SiC
- Technologie avancée de chauffage par résistance: le four utilise une technologie de chauffage par résistance de pointe pour assurer une distribution uniforme de la température et une croissance cristalline optimale.
- Précision de contrôle de la température: réalise une régulation de la température avec une tolérance de ± 1 °C tout au long du processus de croissance du cristal.
- Applications polyvalentes: Capable de faire pousser des cristaux de SiC pour des wafers jusqu'à 12 pouces, permettant la production de wafers plus grandes pour les appareils électriques de nouvelle génération.
- Gestion du vide et de la pression: équipé d'un système avancé de vide et de pression pour maintenir des conditions de croissance idéales, réduire les taux de défauts et améliorer les rendements.
Spécifications techniques
| Spécification | Détails |
|---|---|
| Les dimensions (L × P × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm ou personnaliser |
| Diamètre du creuset | 900 mm |
| Pression au vide ultime | 6 × 10−4 Pa (après 1,5 h de vide) |
| Taux de fuite | ≤ 5 Pa/12h (pâte à pâte) |
| Diamètre de l'arbre de rotation | 50 mm |
| Vitesse de rotation | 0.5 ∙5 tours par minute |
| Méthode de chauffage | Chauffage par résistance électrique |
| Température maximale du four | 2500°C |
| Puissance de chauffage | 40 kW × 2 × 20 kW |
| Mesure de la température | Pyromètre infrarouge à double couleur |
| Plage de température | 900 ∼ 3000°C |
| Précision de la température | ± 1°C |
| Plage de pression | 1 ‰ 700 mbar |
| Précision du contrôle de la pression | 1 ‰ 10 mbar: ± 0,5% F.S; 10 à 100 mbar: ± 0,5% F.S. Pour les véhicules à moteur à commande autonome, la valeur de l'indicateur de freinage doit être supérieure à: |
| Type d'opération | Chargement vers le bas, options de sécurité manuelle/automatique |
| Caractéristiques facultatives | Mesure à double température, zones de chauffage multiples |
Résultat: une croissance cristalline parfaite
La force de base de notre four de croissance en SiC monocristallin réside dans sa capacité à produire constamment des cristaux de SiC de haute qualité, sans défaut.gestion avancée du videCette perfection est cruciale pour les applications de semi-conducteurs.où même de légères imperfections peuvent avoir une incidence significative sur les performances du dispositif final.
Répondre aux normes en matière de semi-conducteurs
Les plaquettes SiC produites dans notre fourneau dépassent les normes de l'industrie en termes de performances et de fiabilité.et haute conductivité électriqueCes qualités sont essentielles pour les appareils de puissance de nouvelle génération, y compris ceux utilisés dans les véhicules électriques (VE),systèmes d'énergie renouvelable, et les équipements de télécommunication.
| Catégorie de contrôle | Paramètres de qualité | Critères d'acceptation | Méthode de contrôle |
|---|---|---|---|
| 1. Structure cristalline | Densité de dislocation | ≤ 1 cm2 | Microscopie optique / diffraction par rayons X |
| La perfection cristalline | Aucun défaut ou fissure visible | Inspection visuelle / AFM (microscopie de la force atomique) | |
| 2. Dimensions | Diamètre du lingot | 6 pouces, 8 pouces ou 12 pouces ± 0,5 mm | Mesure de l'étrier |
| Longueur du lingot | ± 1 mm | Réglateur / Mesure au laser | |
| 3Qualité de surface | Roughness de la surface | Ra ≤ 0,5 μm | Profilomètre de surface |
| Les défauts de surface | Aucune fissure, point ou rayure. | Inspection visuelle / examen au microscope | |
| 4Propriétés électriques | Résistance | ≥ 103 Ω·cm (typique pour le SiC de haute qualité) | Mesure de l'effet Hall |
| Mobilité des transporteurs | > 100 cm2/V·s (pour le SiC à haute performance) | Mesure du temps de vol (TOF) | |
| 5Propriétés thermiques | Conductivité thermique | ≥ 4,9 W/cm·K | Analyses par éclair laser |
| 6Composition chimique | Contenu en carbone | ≤ 1% (pour des performances optimales) | Spéctroscopie de l'émission optique par plasma couplé par induction |
| Impuretés de l'oxygène | ≤ 0,5% | Spéctrométrie de masse ionique secondaire (SIMS) | |
| 7Résistance à la pression | Résistance mécanique | Il doit résister aux tests de contrainte sans fracture. | Épreuve de compression / épreuve de flexion |
| 8. Uniformité | Uniformité de cristallisation | Variation de ≤ 5% à travers le lingot | Mapping aux rayons X / SEM (microscopie électronique par balayage) |
| 9. Homogénéité des lingots | Densité des micropores | ≤ 1% par unité de volume | Microscopie / balayage optique |
Services de soutien à la ZMSH
- Solutions personnalisables: Notre four de croissance à cristal unique SiC peut être personnalisé pour répondre à vos besoins de production spécifiques, garantissant des cristaux SiC de haute qualité.
- Installation sur site: Notre équipe gère l'installation sur site et assure une intégration en douceur avec vos systèmes existants pour des performances optimales.
- Formation complète: Nous fournissons une formation approfondie aux clients couvrant l'exploitation du four, l'entretien et le dépannage pour assurer que votre équipe est équipée pour une croissance efficace du cristal.
- Maintenance après-vente: ZMSH offre un support après-vente fiable, y compris des services d'entretien et de réparation, afin de garantir que votre four fonctionne à son maximum.
Questions et réponses
Q: Quelle est la croissance cristalline du carbure de silicium?
R: La croissance des cristaux de carbure de silicium (SiC) implique la création de cristaux de SiC de haute qualité par des processus tels que Czochralski ou le transport de vapeur physique (PVT), essentiels pour les appareils à semi-conducteurs de puissance.
Les mots clés:
Un four de croissance à cristal unique SiC Cristaux de SiCDispositifs à semi-conducteursTechnologie de croissance des cristaux