SiC Fourniture de croissance de cristaux à résistance à cristal unique pour la fabrication de plaquettes SiC de 6 pouces 8 pouces 12 pouces

SiC Fourniture de croissance de cristaux à résistance à cristal unique pour la fabrication de plaquettes SiC de 6 pouces 8 pouces 12 pouces

Résumé du four de croissance à cristal unique SiC

ZMSH est fière d'offrir le four de croissance à cristal unique SiC, une solution de pointe pour la fabrication de plaquettes SiC de haute qualité.Notre four est conçu pour produire efficacement des cristaux simples de SiC de 6 pouces, 8 pouces et 12 pouces, répondant aux demandes croissantes dans des industries telles que les véhicules électriques (EV), les énergies renouvelables et l'électronique haute puissance.

Propriétés du four de croissance à monocristal SiC

• Technologie avancée de chauffage par résistance: le four de croissance à cristal unique SiC utilise une technologie de chauffage par résistance de pointe,assurer une répartition uniforme de la température et une croissance cristalline de haute qualité.
• Précision de contrôle de la température: permet une régulation précise de la température avec une tolérance de ± 1 °C tout au long du processus de croissance du cristal.
• Applications polyvalentes: Capable de faire pousser des cristaux de SiC pour des plaquettes jusqu'à 12 pouces, permettant la production de plaquettes plus grandes et de haute performance pour les appareils électriques de nouvelle génération.
• Gestion du vide et de la pression: le four est équipé d'un système avancé de contrôle du vide et de la pression, qui maintient des conditions optimales pour la croissance des cristaux, réduisant les taux de défauts,et améliorer le rendement.
  
   

  Je ne veux pas.	Spécification	Détails
  1	Modèle	Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome.
  2	Les dimensions (L × P × H)	2500 × 2400 × 3456 mm
  3	Diamètre du creuset	900 mm
  4	Pression au vide ultime	6 × 10−4 Pa (après 1,5 h de vide)
  5	Taux de fuite	≤ 5 Pa/12h (pâte à pâte)
  6	Diamètre de l'arbre de rotation	50 mm
  7	Vitesse de rotation	0.5 ∙5 tours par minute
  8	Méthode de chauffage	Chauffage par résistance électrique
  9	Température maximale du four	2500°C
  10	Puissance de chauffage	40 kW × 2 × 20 kW
  11	Mesure de la température	Pyromètre infrarouge à double couleur
  12	Plage de température	900 ∼ 3000°C
  13	Précision de la température	± 1°C
  14	Plage de pression	1 ‰ 700 mbar
  15	Précision du contrôle de la pression	1 ‰ 10 mbar: ± 0,5% F.S; 10 à 100 mbar: ± 0,5% F.S. Pour les véhicules à moteur à commande autonome, la valeur de l'indicateur de freinage doit être supérieure à:
  16	Type d'opération	Chargement vers le bas, options de sécurité manuelle/automatique
  17	Caractéristiques facultatives	Mesure à double température, zones de chauffage multiples

Résultat du four de croissance à monocristal SiC

Une croissance cristalline parfaite

La force de base de notre four de croissance à cristaux simples de SiC réside dans sa capacité à produire des cristaux de SiC de haute qualité, sans défaut.et technologie de chauffage par résistance de pointe, nous nous assurons que chaque cristal cultivé est sans défaut, avec une densité de défaut minimale.Cette perfection est essentielle pour répondre aux exigences rigoureuses des applications de semi-conducteurs où même la moindre imperfection peut affecter les performances du dispositif final.

Répondre aux normes en matière de semi-conducteurs

Les plaquettes de SiC cultivées dans notre fourneau dépassent les normes de l'industrie pour les performances et la fiabilité.avec une densité de dislocation faible et une conductivité électrique élevéeCes qualités sont essentielles pour les dispositifs de puissance de nouvelle génération, y compris ceux utilisés dans les véhicules électriques (VE),systèmes d'énergie renouvelable, et les équipements de télécommunication.

Surveillance de la ZMSH

ZMSH: four de croissance à cristal unique SiC personnalisable avec support complet

Chez ZMSH, nous fournissons des fours de croissance à cristaux simples SiC avancés adaptés à vos besoins spécifiques.,vous aidant à obtenir des cristaux de SiC de haute qualité.

Installation et mise en place sur site

Notre équipe s'occupera de l'installation sur place, en veillant à ce que le four soit intégré et fonctionne efficacement dans votre installation.Nous accordons la priorité à une installation en douceur pour minimiser les temps d'arrêt et optimiser votre processus de production.

Formation complète des clients

Nous offrons une formation approfondie aux clients, couvrant le fonctionnement du four, l'entretien et le dépannage.Notre objectif est d'équiper votre équipe avec les connaissances pour faire fonctionner le four efficacement et d'atteindre une croissance optimale de cristal.

Maintenance après vente

ZMSH fournit un soutien après-vente fiable, y compris des services d'entretien et de réparation pour s'assurer que votre four reste en parfait état.Notre équipe est toujours disponible pour minimiser les temps d'arrêt et soutenir votre succès continu.

Questions et réponses

Q. Quelle est la croissance cristalline du carbure de silicium?

A:La croissance des cristaux de carbure de silicium (SiC) implique le processus de création de cristaux de SiC de haute qualité par des méthodes telles que Czochralski ou Physical Vapor Transport (PVT),essentiels pour les appareils à semi-conducteurs de puissance.


Les bois clés:Forneau de croissance à cristal unique en SiC    Cristaux de SiC   Dispositifs à semi-conducteursTechnologie de croissance des cristaux