• Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs
  • Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs
  • Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs
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Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs

Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Certification: Rohs

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 11
Détails d'emballage: conteneur simple de gaufrette
Délai de livraison: 2-4weeks
Conditions de paiement: T/T
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Diameter: 300mm 12inch Thickness: 750μm±15 μm
Wafer Orientation: Off axis : 4.0° toward <1120 >±0.5° for 4H-N, On axis : <0001>±0.5° for 4H-SI Micropipe Density: ≤0.4cm-2
Resistivity: ≥1E10 Ω·cm Roughness: Ra≤0.2 nm
Base plane dislocation: ≤1000 cm-2 Emballage: conteneur simple de gaufrette
Mettre en évidence:

Plaquettes de silicium de 300 mm

,

Plaquettes SiC à semi-conducteurs

,

Wafer SiC de 12 pouces

Description de produit

 

Wafer SiC 12 pouces 300 mm épaisseur 750 ± 25um Prime Dummy Reaserch Grade pour les semi-conducteurs

 

 

Les plaquettes de silicium de 12 pouces

 

Un de 12 pouces (300 mm)un débit de sortie de l'unité d'alimentation supérieure à 50 W,avec une épaisseur de 750 ± 25 microns, est un matériau essentiel dans l'industrie des semi-conducteurs en raison de sa conductivité thermique exceptionnelle, de sa tension de rupture élevée et de ses propriétés mécaniques supérieures.Ces plaquettes sont fabriquées avec des techniques avancées pour répondre aux exigences strictes des applications de semi-conducteurs haute performanceLes propriétés inhérentes du SiC le rendent idéal pour les appareils électriques et les appareils électroniques à haute température, offrant une efficacité et une durabilité plus élevées que les semi-conducteurs traditionnels à base de silicium.

 

 

 

 


 

 

Fiche de données des plaquettes SiC de 12 pouces

 

Spécification du substrat de carbure de silicium (SiC) de 12 pouces
Grade
Production ZéroMPD
Grade (grade Z)
Production standard
Grade ((P Grade)
Grade de factice
(Classe D)
Diamètre 3 0 0 mm à 1305 mm
Épaisseur 4H-N 750 μm±15 μm 750 μm±25 μm
4H-SI 750 μm±15 μm 750 μm±25 μm
Orientation de la gaufre En dehors de l'axe : 4,0° vers < 1120 > ± 0,5° pour 4H-N, sur l'axe : < 0001> ± 0,5° pour 4H-SI
Densité des micropipes 4H-N ≤ 0,4 cm-2 ≤ 4 cm-2 ≤ 25 cm-2
4H-SI ≤ 5 cm-2 ≤ 10 cm-2 ≤ 25 cm-2
Résistance 4H-N 00,015 à 0,024 Ω·cm 00,015 à 0,028 Ω·cm
4H-SI ≥ 1E10 Ω·cm ≥ 1E5 Ω·cm
L'orientation principale est plate {10-10} ± 5,0°
Longueur plate primaire 4H-N N/A
4H-SI Encastrement
Exclusion des bords 3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement comprise entre 5 μm et 15 μm. Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.
1 Dureté Ra≤1 nm polonais
CMP Ra≤0,2 nm Ra≤0,5 nm
Les bords se fissurent à la lumière de haute intensité
1 Plaques hexagonales par haute intensité lumineuse
1 Zones de polytypes par haute intensité lumineuse
Inclusions de carbone visuel
La surface du silicium est rayée par la lumière de haute intensité
Aucune
Surface cumulée ≤ 0,05%
Aucune
Surface cumulée ≤ 0,05%
Aucune
Longueur cumulée ≤ 20 mm, longueur unique ≤ 2 mm
Surface cumulée ≤ 0,1%
Surface cumulée ≤ 3%
Surface cumulée ≤ 3%
Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaque
Les puces de pointe par la lumière de haute intensité Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm 7 permis, ≤ 1 mm chacune
Dislocation de vis de filetage ≤ 500 cm2 N/A
Dislocation du plan de base ≤ 1000 cm2 N/A

Contamination de la surface du silicium par la lumière à haute intensité
Aucune
Emballage Cassette à plaquettes multiples ou récipient à plaquette unique

 


 

 

 

Une photo d'une gaufre en SiC de 12 pouces.

 

Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs 0Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs 1

 


 

 

Propriétés des plaquettes SiC de 12 pouces

 

 

1. Avantages de la galette de 12 pouces (grande taille):

Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs 2

  • Wafer SiC de 12 pouces Augmentation de l'efficacité de la production: à mesure que la taille de la wafer augmente, le nombre de puces par unité de surface augmente considérablement, ce qui améliore considérablement l'efficacité de la fabrication.une plaquette de 12 pouces peut produire plus d'appareils dans le même temps, raccourcissant le cycle de production.
  • Wafer SiC de 12 poucesRéduction des coûts de production: puisqu'une seule plaque SiC de 12 pouces peut produire plus de puces, le coût de fabrication par puce est considérablement réduit.Des plaquettes plus grandes améliorent l'efficacité de procédés tels que la photolithographie et le dépôt de films minces., réduisant ainsi le coût global de production.
  • Un rendement plus élevé: alors que le matériau SiC a par nature un taux de défauts plus élevé, les plus grandes plaquettes offrent une plus grande tolérance aux défauts dans le processus de production, ce qui contribue à améliorer le rendement.

 

 

 

2. Convient pour les applications de haute puissance:

 

  • Wafer SiC de 12 poucesLe matériau SiC lui-même a d'excellentes propriétés pour des performances à haute température, haute fréquence, haute puissance et haute tension, ce qui le rend idéal pour l'électronique de puissance, l'électronique automobile,et les stations de base 5GUne plaque SiC de 12 pouces répond mieux aux exigences de performance et de fiabilité des appareils dans ces domaines.
  • Wafer SiC de 12 poucesVéhicules électriques (VE) et bornes de recharge: les dispositifs SiC, en particulier ceux fabriqués à partir de plaquettes de 12 pouces, sont devenus une technologie clé dans les systèmes de gestion des batteries (BMS) des véhicules électriques (VE),Charge rapide en courant continuLa plus grande taille des plaquettes peut répondre aux besoins de puissance plus élevés, offrant une plus grande efficacité et une consommation d'énergie plus faible.

 

 

 

3- l'alignement sur les tendances de développement de l'industrie:

Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs 3

  • Wafer SiC de 12 poucesProcessus avancés et intégration accrue: à mesure que la technologie des semi-conducteurs progresse, la demande de dispositifs de puissance avec une intégration et des performances plus élevées augmente.En particulier dans des domaines tels que l'automobile, les énergies renouvelables (soleil, éolien) et les réseaux intelligents.La gaufre en SiC de 12 pouces offre non seulement une plus grande densité de puissance et une plus grande fiabilité, mais répond également à la conception de plus en plus complexe des appareils et aux exigences de plus petite taille.
  • Croissance de la demande sur le marché mondial: la demande mondiale d'énergie verte, de développement durable et de transmission d'énergie efficace est en hausse, ce qui continue de stimuler le marché des appareils de puissance SiC.Le développement rapide des véhicules électriques et des équipements électriques efficaces a étendu l'application des plaquettes SiC de 12 pouces.

 

 

 

4Les avantages matériels:

 

  • Wafer SiC de 12 poucesLe matériau SiC a une excellente conductivité thermique, une résistance à haute température et une tolérance aux rayonnements.ce qui le rend particulièrement adapté pour la haute tension, des applications à haute puissance.
  • La plaque SiC de 12 pouces peut également fonctionner sur une plage de température plus large, ce qui est essentiel pour la stabilité et la durabilité des appareils électroniques de puissance.

 


 

Questions et réponses

 

Q: Quels sont les avantages de l'utilisation de plaquettes SiC de 12 pouces dans la fabrication de semi-conducteurs?

 


R: Les principaux avantages de l'utilisation de plaquettes SiC de 12 pouces sont les suivants:

  1. Augmentation de l'efficacité de la production: les plus grandes plaquettes permettent de produire plus de puces par unité de surface, ce qui réduit le temps de cycle de fabrication.Cela se traduit par un débit plus élevé et une meilleure efficacité globale par rapport aux plus petites plaquettes.
  2. Réduction des coûts de production: une seule gaufre de 12 pouces produit plus de puces, ce qui réduit le coût par puce.Des plaquettes plus grandes améliorent également l'efficacité de procédés tels que la photolithographie et le dépôt de films minces..
  3. Produit plus élevé: Bien que le matériau SiC ait tendance à avoir un taux de défauts plus élevé, les plus grandes plaquettes permettent une plus grande tolérance aux défauts, ce qui contribue en fin de compte à améliorer le rendement.

 

Q: Quelles sont les principales applications des plaquettes SiC de 12 pouces dans les systèmes à haute puissance?

 


Les plaquettes de SiC de 12 pouces sont particulièrement adaptées aux applications de haute puissance telles que:

  1. Véhicules électriques (VE) et stations de recharge: les appareils SiC fabriqués à partir de plaquettes de 12 pouces sont essentiels pour les systèmes de conversion d'énergie, les systèmes de gestion des batteries (BMS),et la recharge rapide en courant continu dans les véhicules électriquesLa plus grande taille des plaquettes permet de supporter des demandes de puissance plus élevées, améliorant l'efficacité et réduisant la consommation d'énergie.
  2. électronique haute tension et haute puissance: l'excellente conductivité thermique et la résistance aux températures élevées du SiC® rendent les plaquettes SiC de 12 pouces idéales pour les appareils électroniques de haute puissance utilisés dans l'automobile,les énergies renouvelables (soleil, éolienne) et les applications de réseaux intelligents.
    Ces plaquettes répondent au besoin croissant de dispositifs d'alimentation efficaces sur le marché mondial en évolution de l'énergie verte et des technologies durables.

 

Tag: plaquette SiC de 12 pouces plaquette SiC de 300 mm plaquette SiC

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Wafer SiC 12 pouces 300 mm Épaisseur 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Pour les semi-conducteurs pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
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