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Un four de croissance à cristal unique pour les cristaux de 6 pouces et 8 pouces utilisant les méthodes PVT, Lely, TSSG.
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Délai de livraison: | 6 à 8 mois |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 5set/month |
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Détail Infomation |
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| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | Puissance d'entrée: | Trois phases, cinq fils AC 380V ± 10% 50 Hz à 60 Hz |
|---|---|---|---|
| Température maximale de chauffage: | 2300°C | Puissance nominale de chauffage: | 80kW |
| Portée de puissance du chauffe-eau: | 35 kW à 40 kW | Consommation d'énergie par cycle: | Pour les appareils à combustion |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | Taille principale de machine: | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (longueur x largeur x hauteur) |
| Mettre en évidence: | 8 pouces SiC fourneau de croissance en lingots,Un four de croissance en lingots de SiC de 6 pouces,Chauffure de croissance en lingots SiC PVT |
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Description de produit
Forneau de croissance de lingots SiC à haut rendement pour les cristaux de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces utilisant les méthodes PVT, Lely et TSSG
Résumé du four de croissance de lingots de silicium
Le four de croissance d'ingots SiC utilise un chauffage par résistance au graphite pour une croissance efficace des cristaux de carbure de silicium.Le four consomme entre 3500 kWh et 4500 kWh par cycleIl mesure 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm et a un débit d'eau de refroidissement de 6 m3/h.Fonctionnement dans un environnement sous vide avec des gaz argon et azote, ce four garantit la production de lingots de SiC de haute qualité avec des performances constantes et un rendement fiable.
La photo du four de croissance en lingots de silicium
Le type de cristal spécial de notre four de croissance de lingots SiC
Le SiC a plus de 250 structures cristallines, mais seul le type 4HC peut être utilisé pour les appareils de puissance SiC.ZMSH a aidé avec succès des clients à cultiver ce type de cristal spécifique plusieurs fois en utilisant son propre four..
Notre four de croissance d'ingots SiC est conçu pour la croissance de cristaux de carbure de silicium (SiC) à haut rendement, capable de traiter des plaquettes SiC de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces.En utilisant des techniques avancées comme le PVT (Physical Vapor Transport), Lely, TSSG (Méthode du gradient de température) et LPE (Epitaxie de phase liquide), notre fourneau prend en charge des taux de croissance élevés tout en assurant une qualité cristalline optimale.
Le four est conçu pour faire pousser diverses structures cristallines de SiC, y compris le 4H conducteur, le 4H semi-isolant et d'autres types de cristaux, tels que le 6H, le 2H et le 3C.Ces structures sont cruciales pour la production de dispositifs de puissance SiC et de semi-conducteurs, qui sont essentiels pour les applications dans l'électronique de puissance, les systèmes écoénergétiques et les appareils haute tension.
Notre four SiC assure un contrôle précis de la température et des conditions uniformes de croissance des cristaux, permettant la production de lingots et de plaquettes SiC de haute qualité pour des applications de semi-conducteurs avancées.
L'avantage de notre four de croissance de lingots SiC
1.Conception unique du champ thermique
Les gradients de température axiale et radiale peuvent être contrôlés avec précision, le profil de température étant lisse et uniforme.maximiser l'utilisation de l'épaisseur du cristal.
Amélioration de l'efficacité des matières premières: le champ thermique est réparti uniformément dans tout le système, ce qui garantit une température plus constante à l'intérieur de la matière première.Cela augmente considérablement l' utilisation de la poudre, réduisant les déchets de matériaux.
L'indépendance entre les températures axiale et radiale permet un contrôle de haute précision des deux gradients, ce qui est essentiel pour lutter contre les contraintes cristallines et minimiser la densité de dislocation.
2. Haute précision de contrôle
Le four de croissance de lingots SiC est méticuleusement conçu pour produire des cristaux SiC de haute qualité, qui sont essentiels pour un large éventail d'applications de semi-conducteurs, comme l'électronique de puissance,optoélectroniqueLe SiC est un matériau essentiel dans la fabrication de composants nécessitant une excellente conductivité thermique, des performances électriques et une durabilité de longue durée.Notre fourneau dispose de systèmes de contrôle avancés conçus pour maintenir des performances constantes et une qualité de cristal supérieure tout au long du processus de croissance.
Le four de croissance en lingots SiC offre une précision exceptionnelle, avec une précision d'alimentation de 0,0005%, une précision de contrôle du débit de gaz de ±0,05 L/h, une précision de régulation de la température de ±0,5°C,et stabilité de la pression de chambre de ±10 PaCes paramètres bien réglés assurent un environnement stable et homogène pour la croissance des cristaux, ce qui est crucial pour la production de lingots et de plaquettes SiC de haute pureté avec des défauts minimes.
Les principaux composants du four de croissance en lingots SiC, y compris la vanne proportionnelle, la pompe mécanique, la chambre à vide, le débitmètre de gaz et la pompe moléculaire,fonctionner ensemble de manière transparente pour assurer un fonctionnement fiableCes caractéristiques permettent au four de produire des cristaux de SiC qui répondent aux exigences strictes de l'industrie des semi-conducteurs.
La technologie ZMSH® intègre des techniques de croissance de cristaux de pointe, assurant la plus haute qualité dans la production de cristaux SiC.Notre équipement est optimisé pour servir des industries telles que l'électronique de puissance, les énergies renouvelables et les technologies avancées, qui stimulent les progrès dans les solutions énergétiquement efficaces et les innovations durables.
3Opération automatisée
UneRéponse utramatique:Surveillance du signal, rétroaction du signal
Je suis désolée.Alarme automatique:Avertissement de dépassement des limites, sécurité dynamique
Contrôle automatique:Surveillance et stockage en temps réel des paramètres de production, accès à distance et contrôle.
Prompte active:Système expert, interaction homme-machine
Le four à SiC de ZMSH intègre une automatisation avancée pour une efficacité opérationnelle optimale.et contrôle des paramètres en temps réel avec des capacités de surveillance à distanceLe système fournit également des notifications proactives pour l'assistance d'experts et permet une interaction fluide entre l'opérateur et la machine.
Ces caractéristiques réduisent l'intervention humaine, améliorent le contrôle des processus et assurent la production constante de lingots de SiC de haute qualité, favorisant ainsi l'efficacité des opérations de fabrication à grande échelle.
La feuille de données de notre four de croissance de lingots SiC
| Un four à 6 pouces | Une fournaise de 8 pouces. | ||
| Le projet | Paramètre | Le projet | Paramètre |
| Méthode de chauffage | Résistance au graphite | Méthode de chauffage | Résistance au graphite |
| Puissance d'entrée | Trois phases, cinq fils AC 380V ± 10% 50 Hz à 60 Hz | Puissance d'entrée | Trois phases, cinq fils AC 380V ± 10% 50 Hz à 60 Hz |
| Température maximale de chauffage | 2300°C | Température maximale de chauffage | 2300°C |
| Puissance de chauffage nominale | 80 kW | Puissance de chauffage nominale | 80 kW |
| Portée de puissance du chauffe-eau | 35 kW à 40 kW | Portée de puissance du chauffe-eau | 35 kW à 40 kW |
| Consommation d'énergie par cycle | Pour les appareils à combustion | Consommation d'énergie par cycle | Pour les appareils à combustion |
| Le cycle de croissance du cristal | 5D ~ 7D | Le cycle de croissance du cristal | 5D ~ 7D |
| Taille de la machine principale | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (longueur x largeur x hauteur) | Taille de la machine principale | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (longueur x largeur x hauteur) |
| Poids de la machine principale | ≈ 2 000 kg | Poids de la machine principale | ≈ 2 000 kg |
| Flux d'eau de refroidissement | 6 m3/h | Flux d'eau de refroidissement | 6 m3/h |
| Vacuum limite du four à froid | 5 × 10−4 Pa | Vacuum limite du four à froid | 5 × 10−4 Pa |
| Atmosphère du four | Argon (5N), azote (5N) | Atmosphère du four | Argon (5N), azote (5N) |
| Matière première | Particules de carbure de silicium | Matière première | Particules de carbure de silicium |
| Type de cristal du produit | 4 heures | Type de cristal du produit | 4 heures |
| Épaisseur de cristal du produit | 18 mm ~ 30 mm | Épaisseur de cristal du produit | ≥ 15 mm |
| Diamètre effectif du cristal | ≥ 150 mm | Diamètre effectif du cristal | ≥ 200 mm |
Notre service
Des solutions uniques sur mesure
Nous fournissons des solutions de fours à carbure de silicium (SiC) sur mesure, y compris les technologies PVT, Lely et TSSG/LPE, adaptées à vos besoins spécifiques.Nous veillons à ce que nos systèmes correspondent à vos objectifs de production.
Formation des clients
Nous offrons une formation complète pour que votre équipe comprenne parfaitement comment utiliser et entretenir nos fours.
Installation sur place et mise en service
Notre équipe installe et met en service personnellement les fours SiC à votre emplacement. Nous assurons une mise en place en douceur et menons un processus de vérification approfondi pour garantir le plein fonctionnement du système.
Assistance après-vente
Notre équipe est prête à vous aider avec les réparations sur place et le dépannage pour minimiser les temps d'arrêt et maintenir le bon fonctionnement de votre équipement.
Nous nous engageons à offrir des fours de haute qualité et un soutien continu pour assurer votre succès dans la croissance des cristaux de SiC.