La méthode LPE est utilisée pour la fabrication de fourneaux à base de silicium.

Le four à SiC est un four de croissance à 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, PVT Lely TSSG méthode LPE

SiC Ingot Growth Furnace résumé

Le four de croissance des lingots SiC est conçu pour une croissance efficace des cristaux de carbure de silicium à l'aide d'un chauffage par résistance au graphite.Il fonctionne avec une température de chauffage maximale de 2300°C et une puissance nominale de 80kWLe four supporte une consommation d'énergie comprise entre 3500 kW·h et 4500 kW·h par cycle, avec un cycle de croissance des cristaux allant de 5D à 7D.et il a un débit d'eau de refroidissement de 6 m3/hLe four fonctionne dans un environnement sous vide avec l'argon et l'azote comme gaz atmosphériques, assurant une production de lingots de haute qualité.

SiC Ingot Growth Furnace's photo

Notre four de croissance de lingots SiC est un type de cristal spécial

Le SiC a plus de 250 structures cristallines, mais seul le type 4HC peut être utilisé pour les appareils de puissance SiC.ZMSH a aidé avec succès des clients à cultiver ce type de cristal spécifique plusieurs fois en utilisant son propre four..

Notre four de croissance d'ingots SiC est conçu pour la croissance de cristaux de carbure de silicium (SiC) à haut rendement, capable de traiter des plaquettes SiC de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces.En utilisant des techniques avancées comme le PVT (Physical Vapor Transport), Lely, TSSG (Méthode du gradient de température) et LPE (Epitaxie de phase liquide), notre fourneau prend en charge des taux de croissance élevés tout en assurant une qualité cristalline optimale.

Le four est conçu pour faire pousser diverses structures cristallines de SiC, y compris le 4H conducteur, le 4H semi-isolant et d'autres types de cristaux, tels que le 6H, le 2H et le 3C.Ces structures sont cruciales pour la production de dispositifs de puissance SiC et de semi-conducteurs, qui sont essentiels pour les applications dans l'électronique de puissance, les systèmes écoénergétiques et les appareils haute tension.

Notre four SiC assure un contrôle précis de la température et des conditions uniformes de croissance des cristaux, permettant la production de lingots et de plaquettes SiC de haute qualité pour des applications de semi-conducteurs avancées.

NotreIngots de siliciumL'avantage de la fournaise de croissance

1-Conception unique du champ thermique

• Le gradient de température axiale est contrôlable, le gradient de température radiale est réglable et le profil de température est lisse, ce qui donne une interface de croissance cristalline presque plate,augmentant ainsi l'épaisseur d'utilisation du cristal.

• Réduction de la consommation de matières premières: le champ thermique interne est réparti uniformément, ce qui assure une répartition de la température plus uniforme à l'intérieur de la matière première,amélioration significative de l'utilisation des poudres et réduction des déchets.

• Il n'y a pas de couplage fort entre les températures axiale et radiale, ce qui permet un contrôle de haute précision des gradients de température axiale et radiale.Ceci est la clé pour résoudre le stress cristallin et réduire la densité de dislocation cristalline.

2- Haute précision de commande

Le four de croissance de lingots SiC est spécialement conçu pour produire des cristaux de carbure de silicium (SiC) de haute qualité, qui sont essentiels pour les applications de semi-conducteurs, y compris l'électronique de puissance,optoélectroniqueLe SiC est un matériau essentiel dans la production de composants nécessitant une conductivité thermique élevée, une efficacité électrique et une durabilité élevée.Notre four est équipé de systèmes de contrôle avancés pour assurer une, une performance optimale et une qualité cristalline.

L'équipement offre une précision exceptionnelle, avec une précision d'alimentation de 0,0005%, une précision de débit de gaz de ±0,05 L/h, une précision de régulation de la température de ±0,5°C,et une précision de régulation de la pression de chambre de ±10 PaCes paramètres précis créent un environnement stable et uniforme de croissance des cristaux, qui est essentiel pour produire des lingots et des plaquettes de SiC de haute pureté avec un minimum de défauts.

Les composants clés du système, tels que la vanne proportionnelle, la pompe mécanique, la chambre sous vide, le débitmètre de gaz et la pompe moléculaire, fonctionnent en tandem pour assurer une performance fiable.améliorer l'utilisation des matériauxCes éléments contribuent à la capacité du four à produire des cristaux de SiC de haute qualité qui répondent aux normes exigeantes de l'industrie des semi-conducteurs.

La technologie ZMSH® intègre les dernières avancées dans les processus de croissance des cristaux, garantissant les normes les plus élevées de production de cristaux de SiC.Avec la demande toujours croissante de composants à base de SiC hautes performances, notre équipement est conçu pour soutenir des industries telles que l'électronique de puissance, l'énergie renouvelable, et le développement de technologies avancées,stimuler les innovations dans les solutions énergétiquement efficaces et les applications durables.

3- Fonctionnement automatisé

Réponse automatiqueSurveillance du signal, rétroaction du signal

Alarme automatiqueAvertissement de dépassement des limites, sécurité dynamique

Contrôle automatiqueSurveillance et stockage en temps réel des paramètres de production, accès à distance et contrôle.

Prompte activeSystème expert, interaction homme-machine

Le four en SiC de ZMSH est équipé d'une automatisation avancée pour un fonctionnement efficace.réponse automatiqueavec surveillance et rétroaction des signaux,alarmes automatiquespour les conditions de dépassement des limites, etcontrôle automatiquePour la surveillance des paramètres en temps réel avec accès à distance.les invites activespour le soutien d'experts et l'interaction parfaite homme-machine.

Ces caractéristiques réduisent la dépendance humaine, améliorent le contrôle des processus et assurent une production de lingots de SiC de haute qualité, soutenant ainsi l'efficacité de la fabrication à grande échelle.

Notre feuille de données du four de croissance de lingots SiC

Notre service

Des solutions uniques sur mesure

Nous fournissons des solutions de fours à carbure de silicium (SiC) sur mesure, y compris les technologies PVT, Lely et TSSG/LPE, adaptées à vos besoins spécifiques.Nous veillons à ce que nos systèmes correspondent à vos objectifs de production.

Formation des clients

Nous offrons une formation complète pour que votre équipe comprenne parfaitement comment utiliser et entretenir nos fours.

Installation sur place et mise en service

Notre équipe installe et met en service personnellement les fours SiC à votre emplacement. Nous assurons une mise en place en douceur et menons un processus de vérification approfondi pour garantir le plein fonctionnement du système.

Assistance après-vente

Notre équipe est prête à vous aider avec les réparations sur place et le dépannage pour minimiser les temps d'arrêt et maintenir le bon fonctionnement de votre équipement.

Nous nous engageons à offrir des fours de haute qualité et un soutien continu pour assurer votre succès dans la croissance des cristaux de SiC.