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Wafer SiC de 12 pouces 4H-N Fausse recherche DSP SSP Substrats SiC Wafer au carbure de silicium
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | undetermined |
| Détails d'emballage: | plastique mousseux + carton |
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000 pièces par semaine |
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Détail Infomation |
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| Diamètre de la gaufre: | 12 pouces (300 mm) ± 0,2 mm | Épaisseur de la gaufre: | 500 μm ± 10 μm |
|---|---|---|---|
| Orientation en cristal: | 4H-SiC (hexagonale) | Type de dopage: | Nitrogen (N) dopé (conductivité de type n) |
| Type de polissage: | Polissage à une face (SSP), polissage à double face (DSP) | Orientation extérieure: | 4° vers < 11-20> ± 0,5° |
| Mettre en évidence: | Wafer SiC de 12 pouces,Recherche sur les plaquettes SiC,Plaquettes SiC 4H-N |
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Description de produit
Wafer SiC de 12 pouces 4H-N de qualité de production, de qualité de mannequin, de qualité de recherche et de double face DSP poli, de côté unique SSP poli
Résumé de la galette SiC de 12 pouces
une plaquette SiC de 12 pouces fait référence à une plaquette en carbure de silicium (SiC) d'un diamètre de 12 pouces (environ 300 mm),une norme de taille utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour la production en série de dispositifs à semi-conducteursCes plaquettes sont intégrées dans diverses applications hautes performances en raison des propriétés uniques du SiC, y compris une conductivité thermique élevée, une tension de rupture élevée et une résistance aux températures élevées.Les plaquettes SiC sont un matériau de base pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés utilisés dans des domaines tels que l'électronique de puissance, les véhicules électriques, les télécommunications, l'aérospatiale et les énergies renouvelables.
La gaufre SiC est un matériau semi-conducteur à large bande et ses avantages de performance par rapport aux gaufres traditionnelles
le silicium (Si) en ont fait un choix préféré dans des applications spécifiques où le silicium n'est plus efficace, en particulier dans des environnements à haute puissance, à haute température et à haute fréquence.
Le tableau des spécifications pour un SiC 4H-N de 12 pouces
| Diamètre | 300.0 mm + 0 mm/- 0,5 mm |
| Orientation de la surface | 4° vers le bas < 11-20> ± 0,5° |
| Longueur plate primaire | Encastrement |
| Longueur plate secondaire | Aucune |
| Orientation de l'encoche | Le niveau d'humidité doit être supérieur ou égal à: |
| Angle d'encoche | 90° +5/-1° |
| Profondeur d'encoche | 1 mm + 0,25 mm/-0 mm |
| Fausse orientation orthogonale | ± 5,0° |
| Finition de surface | C-Face: Polissage optique, Si-Face: CMP |
| Border de la gaufre | Le bévellement |
| Roughness de la surface 10 μm × 10 μm |
La surface de Si:Ra≤0,2 nm La surface de C:Ra≤0,5 nm |
| Épaisseur | 500.0μm±25.0μm |
| LTV ((10 mmx10 mm) | ≤ 8 μm |
| TTV | ≤ 25 μm |
| - Je vous en prie. | ≤ 35 μm |
| La distorsion. | ≤ 45 μm |
| Paramètres de surface | |
| Les puces ou les indentations | Aucun n'est autorisé ≥ 0,5 mm Largeur et profondeur |
| Des rayures2 (Si face CS8520) |
≤ 5 et longueur cumulée ≤ 1 diamètre de la gaufre |
| Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement de l'eau. | ≥ 95% |
| Les fissures | Aucun n'est autorisé |
| La tache | Aucun n'est autorisé |
| Exclusion des bords | 3 mm |
Propriétés des plaquettes SiC de 12 pouces
1. Propriétés de large bande:
Le SiC a une large bande passante de 3,26 eV, ce qui est nettement plus élevé que celui du silicium (1,1 eV).et températures sans dégradation ni perte de performanceCeci est essentiel pour des applications telles que l'électronique de puissance et les appareils haute tension où une plus grande efficacité et une plus grande stabilité thermique sont nécessaires.
2. Haute conductivité thermique:
Le SiC présente une conductivité thermique exceptionnelle (environ 3,5 fois supérieure à celle du silicium), ce qui est bénéfique pour la dissipation de chaleur.la capacité de conduire efficacement la chaleur est essentielle pour prévenir la surchauffe et assurer les performances à long terme, surtout lorsqu'il s'agit de manipuler de grandes quantités de puissance.
3.Tension de rupture élevée:
En raison de la large bande passante, le SiC peut résister à des tensions beaucoup plus élevées que le silicium, ce qui le rend approprié pour une utilisation dans des applications à haute tension telles que la conversion et la transmission de puissance.Les appareils SiC peuvent supporter jusqu'à 10 fois la tension de panne des appareils à base de silicium, ce qui les rend idéales pour l'électronique de puissance fonctionnant à haute tension.
4- Faible résistance:
Les matériaux SiC ont une résistance d'allumage beaucoup plus faible que le silicium, ce qui conduit à une efficacité plus élevée, en particulier dans les applications de commutation de puissance.Cela réduit les pertes d'énergie et augmente l'efficacité globale des appareils qui utilisent des plaquettes SiC.
5. Haute densité de puissance:
La combinaison de haute tension de rupture, faible résistance,et une conductivité thermique élevée permettent la production de dispositifs à haute densité de puissance qui peuvent fonctionner dans des conditions extrêmes avec des pertes minimales.
Processus de fabrication des plaquettes SiC de 12 pouces
La fabrication de plaquettes SiC de 12 pouces suit plusieurs étapes essentielles pour produire des plaquettes de haute qualité qui répondent aux spécifications requises pour une utilisation dans les dispositifs à semi-conducteurs.Ci-dessous sont les étapes clés impliquées dans la production de plaquettes SiC:
1- La croissance des cristaux.:
La production de plaquettes de SiC commence par la croissance de grands cristaux simples.qui consiste à sublimer le silicium et le carbone dans un fourD'autres méthodes, telles que la croissance en solution et le dépôt de vapeur chimique (CVD), peuvent également être utilisées.mais la PVT est la méthode la plus largement adoptée pour la production à grande échelle.
Le procédé nécessite des températures élevées (environ 2000°C) et un contrôle précis pour assurer une structure cristalline uniforme et exempte de défauts.
2- Coupe de gaufre:
Une fois qu'un seul cristal de SiC est cultivé, il est coupé en plaquettes fines à l'aide de scies à pointe de diamant ou de scies métalliques.Les gaufres sont généralement coupées en épaisseurs d'environ 300 ∼ 350 microns.
3- Le polissage.:
Après coupage, les plaquettes SiC sont polies pour obtenir une surface lisse adaptée aux applications de semi-conducteurs.Cette étape est cruciale pour réduire les défauts de surface et assurer une surface plane idéale pour la fabrication de dispositifsLe polissage chimique mécanique (CMP) est souvent utilisé pour obtenir la douceur souhaitée et éliminer tout dommage résiduel de la découpe.
4.Dopage:
Pour modifier les propriétés électriques du SiC, le dopage est effectué en introduisant de petites quantités d'autres éléments tels que l'azote, le bore ou le phosphore.Ce processus est essentiel pour contrôler la conductivité de la plaque SiC et créer des matériaux de type p ou n nécessaires pour différents types de dispositifs semi-conducteurs.
Applications des plaquettes SiC de 12 pouces
Les principales applications des plaquettes SiC de 12 pouces se trouvent dans les industries où une efficacité élevée, une gestion de l'énergie et une stabilité thermique sont requises.Ci-dessous, vous trouverez quelques-uns des domaines clés dans lesquels les plaquettes SiC sont largement utilisées:
1électronique:
Les appareils SiC, en particulier les MOSFET de puissance (transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde métallique) et les diodes, sont utilisés dans l'électronique de puissance pour des applications à haute tension et à haute puissance.
Les plaquettes SiC de 12 pouces permettent aux fabricants de produire un plus grand nombre d'appareils par plaquette, ce qui conduit à des solutions plus rentables pour la demande croissante en électronique de puissance.
2. Véhicules électriques (VE):
L'industrie automobile, en particulier le secteur des véhicules électriques (VE), s'appuie sur des dispositifs à base de SiC pour des systèmes de conversion et de recharge efficaces de l'énergie.Les plaquettes SiC sont utilisées dans les modules de puissance des onduleurs électriques, aidant les véhicules à fonctionner plus efficacement avec des temps de charge plus rapides, des performances plus élevées et une autonomie étendue.
Les modules d'alimentation en SiC permettent aux véhicules électriques d'obtenir de meilleures performances thermiques et une densité de puissance plus élevée, ce qui permet des systèmes plus légers et plus compacts.
3Télécommunications et réseaux 5G:
Les plaquettes SiC sont essentielles pour les applications à haute fréquence dans l'industrie des télécommunications.fournissant une puissance élevée et une faible perte à des fréquences plus élevéesLa haute conductivité thermique et la tension de rupture du SiC permettent à ces appareils de fonctionner dans des conditions extrêmes, comme dans l'espace ou dans des systèmes radar très sensibles.
4Aérospatiale et Défense:
Les plaquettes SiC sont utilisées dans les industries aérospatiales et de la défense pour l'électronique haute performance qui doit fonctionner dans des environnements à haute température, haute tension et rayonnement.Il s'agit notamment d'applications telles que les systèmes satellites., l'exploration spatiale, et les systèmes radar avancés.
5Les énergies renouvelables:
Dans les systèmes d'énergie solaire et éolienne, les appareils SiC sont utilisés dans les convertisseurs de puissance et les onduleurs pour convertir l'énergie produite à partir de sources renouvelables en électricité utilisable.La capacité du SiC à gérer des tensions élevées et à fonctionner efficacement à haute température le rend idéal pour ces applications.
Questions et réponses
- Je ne sais pas.Quels sont les avantages des gaufres SiC de 12 pouces?
A: Je suis désolé.L'utilisation de plaquettes SiC de 12 pouces dans la fabrication de semi-conducteurs présente plusieurs avantages importants:
1Une plus grande efficacité:
Les appareils à base de SiC offrent une efficacité plus élevée que les appareils à base de silicium, en particulier dans les applications de conversion d'énergie.qui est crucial pour les industries comme les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les réseaux électriques.
2Une meilleure gestion thermique:
La haute conductivité thermique du SiC aide à dissiper la chaleur plus efficacement, permettant aux appareils de fonctionner à des niveaux de puissance plus élevés sans surchauffe.Cela se traduit par des composants plus fiables et plus durables.
3- Une plus grande densité de puissance.:
Les appareils SiC peuvent fonctionner à des tensions et fréquences plus élevées, ce qui entraîne une densité de puissance plus élevée pour l'électronique de puissance.économiser de l'espace et réduire le poids du système dans des applications telles que les VE et les télécommunications.
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