• Orientation111 100 SSP DSP Wafer InP à haute pureté pour semi-conducteurs 6'4'
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Orientation111 100 SSP DSP Wafer InP à haute pureté pour semi-conducteurs 6'4'

Orientation111 100 SSP DSP Wafer InP à haute pureté pour semi-conducteurs 6'4'

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: China
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: InP

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Délai de livraison: 2-4weeks
Conditions de paiement: T/T
meilleur prix Contact

Détail Infomation

EPD: 5500 cm2 Concentration de dopage: Concentration de l'élément dopant 1 × 10^16 - 1 × 10^18 Cm^-3
Épaisseur: 350 + 10um Densité des défauts: ≤ 500 Cm2
Diamètre: 2 à 6 pouces Élément dopant: Élément utilisé pour le dopage Antimony (Sb), Indium (In), Phosphore (P), etc.
Polissés: DSP SSP Mobilité: 1200 à 2000
Surligner:

SSP Wafer à base de phosphure d'indium

,

Wafer semi-conducteur InP de haute pureté

,

Des plaquettes de 4'' INP

Description de produit

Description du produit:

NotreRésultats de l'enquêteLes plaquettes semi-conducteurs (indium phosphure), réputées pour leurs propriétés électroniques et optoélectroniques exceptionnelles, ont trouvé de nombreuses applications dans les communications, l'optique et l'électronique.Utilisation de technologies de croissance et de traitement avancées, nous assurons la haute pureté et l'uniformité de nos plaquettes, offrant une mobilité électronique exceptionnelle et une faible densité de défaut pour répondre aux exigences strictes des applications haut de gamme.Les plaquettes sont disponibles dans des diamètres allant de 2 à 4 pouces, avec une épaisseur et une rugosité de surface personnalisables selon les besoins du client.Nous offrons une assurance qualité complète et un soutien technique pour s'assurer que chaque gaufre répond aux attentes de nos clientsQu'ils soient utilisés pour la fabrication de composants de communication en fibre optique à grande vitesse ou comme substrat pour cellules solaires et capteurs, nosRésultats de l'enquêteLes galettes sont votre choix idéal.

 

Caractéristiques:

  • Mobilité électronique élevée:Résultats de l'enquêtepossède une mobilité électronique exceptionnellement élevée, ce qui signifie que les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau à des vitesses extrêmement élevées.Cette caractéristique rend l'InP idéal pour les appareils électroniques à grande vitesse et les applications à haute fréquence..
  • Le décalage de bande directe:Résultats de l'enquêteest un semi-conducteur à bande directe, ce qui implique qu'il peut convertir directement des photons entre la bande de conduction et la bande de valence.Il en résulte une très haute efficacité dans les diodes laser et les photodétecteurs.
  • Propriétés optiques exceptionnelles:Résultats de l'enquêteIl est donc largement utilisé dans les systèmes d'optique infrarouge et de communication par fibre optique.
  • Conductivité thermique élevée:Résultats de l'enquêteprésente une conductivité thermique relativement élevée, ce qui contribue à la dissipation efficace de la chaleur dans les appareils électroniques.
  • Stabilité chimique:Résultats de l'enquêteest chimiquement stable et très résistant à de nombreuses substances chimiques dans l'environnement.
  • Compatibilité:Résultats de l'enquêtepeuvent former des hétérostructures avec d'autres matériaux du groupe III-V tels que les GaAs et les InGaAs, ce qui est crucial dans la fabrication d'appareils optoélectroniques et microélectroniques haute performance.
  • Bien que plus fragile que le silicium,Résultats de l'enquêtea encore une résistance mécanique suffisante pour résister aux pressions des processus de fabrication et d'emballage.
  • Résistance aux rayonnements:Résultats de l'enquêteIl a une forte résistance aux rayonnements, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements difficiles, tels que les applications spatiales.
  • Dans l'ensemble, ces caractéristiquesRésultats de l'enquêtecontribuer à ses performances exceptionnelles dans les applications optoélectroniques à haute vitesse, à haute fréquence et à haute performance.

Orientation111 100 SSP DSP Wafer InP à haute pureté pour semi-conducteurs 6'4' 0

Paramètres techniques:

Paramètre Valeur
Épaisseur 350 ± 10 μm
Concentration de dopage 1 × 10^16 - 1 × 10^18 Cm^-3
DPE 5500 cm2
Densité des défauts ≤ 500 Cm2
Mobilité 1200 à 2000
Emballage Emballage sous vide, rempli d'azote
Conditions de stockage Température de 20 à 25°C, humidité ≤ 60%
Diamètre 2 à 6 pouces
Élément dopant L'antimoine (Sb), l'indium (In), le phosphore (P), etc.
Type de conductivité Type N ou type P
 

Applications:

  • Communication par fibre optique:Résultats de l'enquêteest un matériau indispensable pour la fabrication d'équipements de communication à haute vitesse en fibre optique, tels que les diodes laser et les amplificateurs optiques.capacités de transmission de données à large bande passante, ce qui en fait un élément clé de la construction de réseaux de communication modernes.
  • Les photodétecteurs:Résultats de l'enquêteIl peut être utilisé pour créer des photodétecteurs qui convertissent des signaux optiques en signaux électriques.
  • Les cellules solaires: la grande mobilité électronique et les propriétés de bande passante directe deRésultats de l'enquêteIl s'agit d'un matériau idéal pour la fabrication de cellules solaires efficaces, en particulier pour les applications spatiales et les systèmes photovoltaïques concentrés.
  • Les lasers:Résultats de l'enquêteest utilisé pour produire divers types de lasers semi-conducteurs, y compris ceux utilisés pour la communication avec des longueurs d'onde optiques spécifiques et les lasers utilisés dans les applications médicales.
  • Appareils électroniques à grande vitesse: en raison de sa grande mobilité électronique,Résultats de l'enquêteest le matériau de choix pour la fabrication de transistors à grande vitesse et de circuits intégrés, qui sont cruciaux dans le radar, la communication et l'informatique.
  • Optique infrarouge:Résultats de l'enquêteest transparent dans les gammes de longueurs d'onde infrarouges, ce qui le rend adapté à la fabrication de composants optiques infrarouges, tels que les lentilles et les fenêtres.
Orientation111 100 SSP DSP Wafer InP à haute pureté pour semi-conducteurs 6'4' 1

Personnalisation:

Services de personnalisation des plaquettes au nitrure de gallium de ZMSH

ZMSH offre des services de personnalisation de plaquettes de nitrure de gallium avec une qualité garantie.Certaines des caractéristiques de notre Gallium Nitride Wafer comprennent:

  • Nom de marque: ZMSH
  • Numéro de modèle:Résultats de l'enquête
  • Lieu d'origine: Chine
  • Emballage: Emballage sous vide, rempli d'azote
  • Élément dopant: antimonium (Sb), indium (In), phosphore (P), etc.
  • Densité de défaut: ≤ 500 cm^-2
  • Diamètre: 2 à 6 pouces
  • Conditions de stockage: température de 20 à 25°C, humidité ≤ 60%

Notre gaufre en nitrure de gallium est également de haute qualité et fiable, avec un contrôle de qualité strict pendant le processus de fabrication.Contactez-nous aujourd'hui pour en savoir plus sur notre gaufre de nitrure de gallium personnalisable!

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des plaquettes au nitrure de gallium

Chez XYZ Company, nous fournissons un support technique et un service pour nos produits de gaufres au nitrure de gallium.Notre équipe d'ingénieurs et de techniciens expérimentés est disponible pour répondre à toutes vos questions concernant votre produit.Nous sommes également disponibles pour vous aider à résoudre les problèmes, fournir des pièces de rechange et offrir des services de maintenance de routine.

Nous fournissons un soutien via notre portail de service à la clientèle en ligne, par e-mail ou par téléphone.Nous sommes heureux de vous aider et ferons de notre mieux pour que votre produit fonctionne correctement.

Si vous avez besoin d'un soutien technique supplémentaire, nous offrons un service supplémentaire comprenant des documents techniques détaillés, l'accès à notre équipe d'ingénieurs et une extension de garantie pour votre produit.Notre équipe de support technique est là pour vous aider et peut répondre à toutes vos questions..

Nous sommes fiers de la qualité de nos produits et services, et nous nous efforçons de nous assurer que nos clients sont satisfaits de leur achat.N'hésitez pas à nous contacter..

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition de la gaufre au nitrure de gallium:

Les plaquettes de nitrure de gallium (GaN) sont généralement expédiées dans des conteneurs scellés sous vide ou scellés avec du gaz d'azote.et la date de fabricationPendant l'expédition, les conteneurs doivent être emballés dans du papier de mousse ou de polystyrène pour un rembourrage supplémentaire.

 

FAQ:

  • - Je ne sais pas.Quel est le nom de marque de Gallium Nitride Wafer?
    A: Je suis désolé.La marque de Gallium Nitride Wafer est ZMSH.
  • - Je ne sais pas.Quel est le numéro de modèle de Gallium Nitride Wafer?
    A: Je suis désolé.Le numéro de modèle de la gaufre au nitrure de gallium est InP.
  • - Je ne sais pas.Où est fabriqué le Gallium Nitride Wafer?
    A: Je suis désolé.La gaufre au nitrure de gallium est fabriquée en Chine.
  • - Je ne sais pas.Quelles sont les utilisations de Gallium Nitride Wafer?
    A: Je suis désolé.La gaufre de nitrure de gallium est utilisée pour diverses applications telles que l'électronique électrique et haute fréquence, l'optoélectronique et les appareils à micro-ondes.
  • - Je ne sais pas.Quels sont les avantages de la gaufre au nitrure de gallium?
    A: Je suis désolé.La gaufre au nitrure de gallium présente de nombreux avantages, notamment une tension de rupture plus élevée, une conductivité thermique et électrique élevée et un fonctionnement à haute température.

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Orientation111 100 SSP DSP Wafer InP à haute pureté pour semi-conducteurs 6'4' pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.