LED bleu vert à base de GaN de 2 pouces et 4 pouces cultivé sur plat ou PPS Sapphire MOCVD DSP SSP

2 pouces 4 pouces GaN-sur-saphir bleu/vert LED Wafer plat ou PPS Saphir MOCVD DSP SSP

Description de la plaque à LED bleu/vert à GaN sur le saphir:

Les plaquettes GaN sur saphir (GaN/Sapphire) désignent un matériau de substrat composé d'un substrat de saphir avec une couche de nitrure de gallium (GaN) cultivée sur le dessus.Le GaN est un matériau semi-conducteur utilisé pour fabriquer des appareils électroniques à haute puissance et à haute fréquence, tels que les diodes électroluminescentes (LED), les diodes laser et les transistors à haute mobilité électronique (HEMT).ce qui en fait un substrat approprié pour la croissance du GaNLes plaquettes GaN sur saphir sont largement utilisées dans la fabrication d'appareils optoélectroniques, de dispositifs à micro-ondes et à ondes millimétriques et de dispositifs électroniques de haute puissance.

Structure de la plaquette LED bleu/vert à GaN sur le saphir:

Structure et composition:

Nitrure de gallium (GaN) Couche épitaxienne:

Film fin monocristallin: la couche GaN est un film mince monocristallin, assurant une pureté élevée et une excellente qualité cristalline.améliorer ainsi les performances des dispositifs fabriqués selon ces modèles.
Caractéristiques du matériau: Le GaN est réputé pour sa large bande passante (3,4 eV), sa grande mobilité électronique et sa haute conductivité thermique.Ces propriétés le rendent très approprié pour des applications de haute puissance et haute fréquence, ainsi que des dispositifs fonctionnant dans des environnements difficiles.

Substrate de saphir:

Résistance mécanique: le saphir (Al2O3) est un matériau robuste à résistance mécanique exceptionnelle, fournissant une base stable et durable pour la couche GaN.
Stabilité thermique: le saphir présente d'excellentes performances thermiques, y compris une haute conductivité thermique et une stabilité thermique,aide à dissiper la chaleur générée pendant le fonctionnement du dispositif et maintient l'intégrité du dispositif à des températures élevées.
Transparence optique: la transparence du saphir dans la gamme ultraviolette à infrarouge le rend approprié pour les applications optoélectroniques,où il peut servir de substrat transparent pour émettre ou détecter la lumière.

Les types de modèles GaN sur Sapphire:

Nitrure de gallium de type n
Type de véhicule
Type de semi-isolant

Forme de plaquette LED bleu/vert GaN-sur-saphir:

Image d'application de la plaque LED bleu/vert GaN sur saphir:

Personnalisation:

Les micro-LED sont considérées comme une technologie clé pour la plate-forme metaverse pour permettre des écrans de nouvelle génération pour la réalité augmentée (RA), la réalité virtuelle (VR), les téléphones portables et les montres intelligentes.
Nous pouvons offrir GaN basé rouge, vert, bleu, ou UV LED Epitaxial Wafers ainsi que d'autres. Le substrat pourrait être Sapphire, SiC, Silicone & Bulk GaN Substrate. la taille est disponible de 2 pouces à 4 pouces

Emballage et expédition

FAQ:

1Pourquoi le GaN est-il sur le saphir?
R: L'utilisation de substrats de saphir permet des tampons GaN plus minces et des structures d'épitaxie plus simples, en raison de la croissance de meilleure qualité, par rapport au matériau cultivé sur le silicium.Le substrat de saphir est également plus isolant électriquement que le silicium, ce qui devrait permettre une capacité de blocage kilovolt.

2.Q: Quels sont les avantages de la GaN LED?
R: Économies considérables de coûts énergétiques. Les systèmes d'éclairage traditionnels, tels que les ampoules à incandescence ou fluorescentes, consomment souvent peu d'énergie et peuvent contribuer à une augmentation des dépenses énergétiques.L'éclairage à LED à base de GaN est très efficace et consomme beaucoup moins d'énergie tout en offrant un éclairage supérieur.

Recommandation du produit:

1. 8 pouces GaN-sur-Si Epitaxy Si Substrate RF

2Une gaufre de 2 pouces et 4 pouces de nitrure de gallium.